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回炉料添加比例对铝硅合金组织和性能的影响
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作者 秦立新 汪勇 +2 位作者 余申卫 王惠梅 王成辉 《热加工工艺》 北大核心 2023年第23期109-111,118,共4页
研究了添加不同比例的回炉料对铝硅合金铸态和热处理态组织及力学性能的影响。结果表明,随回炉料含量的增加,铸态合金抗拉强度和屈服强度保持小幅度增加趋势,伸长率在回炉料的添加比例不大于20%时变化不大,但当回炉料添加量为30%时,细... 研究了添加不同比例的回炉料对铝硅合金铸态和热处理态组织及力学性能的影响。结果表明,随回炉料含量的增加,铸态合金抗拉强度和屈服强度保持小幅度增加趋势,伸长率在回炉料的添加比例不大于20%时变化不大,但当回炉料添加量为30%时,细长的针状Fe相增多,导致其伸长率下降。热处理后,与未添加回炉料相比,回炉料添加比例为10%、20%时,回炉料对合金拉伸性能的影响不大,当回炉料添加比例为30%时,其对伸长率的影响较大,抗拉强度、屈服强度降低约5%,伸长率下降约55%。 展开更多
关键词 铝硅合金 回炉料 共晶硅 力学性能
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提高黄湾区块水平井固井封固率技术研究 被引量:1
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作者 钟凯 李佳佳 +2 位作者 张永福 张东 来鹏飞 《石油化工应用》 CAS 2023年第8期38-43,共6页
黄湾区块主要部署井型为二开水平井,目的层长7。区块长6、长7层承压能力极低,钻井过程通常发生不同程度漏失,由于水平段长,漏点较多,堵漏难度大,固井前均存在不同程度渗漏,导致固井普遍漏失严重,水泥浆低返,部分井正注返高低于2000 m。... 黄湾区块主要部署井型为二开水平井,目的层长7。区块长6、长7层承压能力极低,钻井过程通常发生不同程度漏失,由于水平段长,漏点较多,堵漏难度大,固井前均存在不同程度渗漏,导致固井普遍漏失严重,水泥浆低返,部分井正注返高低于2000 m。由于补救效果存在不确定性,部分井正注与反挤未能有效衔接,上部延安组油水层固井质量差。本文从改善水泥浆摩阻及耐压性能方面入手,优选摩阻低、耐压性能好的玻璃微珠水泥浆体系及次纳米硅耐压低摩阻水泥浆体系,合理设计浆柱结构,优化施工参数,改善了区块漏失情况,2022年施工井正注水泥返高较2021年普遍返高提高800~1200 m,对于漏失水平井固井有一定参考意义。 展开更多
关键词 玻璃微珠 次纳米硅 低摩阻 耐压性能 排量 返高
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安阳市并网光伏系统案例经济和环境效益分析 被引量:5
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作者 刘振东 张石定 贾晗 《中国电力》 CSCD 北大核心 2013年第8期43-47,共5页
以安阳市某中学20 kW准单晶并网光伏系统为例,利用效益分析模型,定量计算光伏发电的社会经济和环境效益。结果显示:在标准日辐射时数4.14 h、光伏组件5.5元/W、用户侧电价0.6元/(kW.h)和无税费情况下,光伏系统投资回收期为14年,能量回收... 以安阳市某中学20 kW准单晶并网光伏系统为例,利用效益分析模型,定量计算光伏发电的社会经济和环境效益。结果显示:在标准日辐射时数4.14 h、光伏组件5.5元/W、用户侧电价0.6元/(kW.h)和无税费情况下,光伏系统投资回收期为14年,能量回收期2.9年,可以安排1人就业;与煤电相比,每年污染减排496.39当量,PV发电环境成本为0.18分/(kW.h),年投资报酬率为2%。PV的即时功率与太阳辐射量呈正比,与环境温度呈正比。系统功率与温度的相关系数r为0.46,属弱相关;系统功率与空气相对湿度的相关系数r为-0.38,属弱反相关。 展开更多
关键词 光伏并网 投资回收期 准单晶硅 能量回收期 微网光伏系统
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TSV互连结构传输性能分析及故障建模研究 被引量:3
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作者 尚玉玲 钱伟 +1 位作者 李春泉 豆鑫鑫 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第6期73-77,共5页
随着集成电路复杂度的提高以及半导体制造工艺水平的不断发展,硅通孔(Through Silicon Via)TSV技术成为三维集成电路的一种主流互连技术,建立单个TSV的三维物理模型,通过回波损耗来分析不同物理参数和尺寸变化对信号传输性能的影响;利... 随着集成电路复杂度的提高以及半导体制造工艺水平的不断发展,硅通孔(Through Silicon Via)TSV技术成为三维集成电路的一种主流互连技术,建立单个TSV的三维物理模型,通过回波损耗来分析不同物理参数和尺寸变化对信号传输性能的影响;利用硅通孔的参数提取模型对其进行RLC参数的提取,并建立等效的电路模型和故障电路模型.扫描频率在10GHz范围内,利用故障电路末端电压来分析故障的大小,同时通过最小二乘法拟合一条根植电压曲线来判断故障大小. 展开更多
关键词 三维集成电路 信号完整性 硅通孔 回波损耗 短路故障
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SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究
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作者 陈鹏 方青 +1 位作者 李芳 刘育梁 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期370-372,386,共4页
采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一实用化过程中的关键问题。利用上述方法研制出了完... 采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一实用化过程中的关键问题。利用上述方法研制出了完整封装的SOI基可变光学衰减器样品。 展开更多
关键词 高斯光束耦合 回波损耗 SOI 减反膜 端面斜抛
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电控硅油风扇离合器的改进 被引量:2
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作者 魏宸官 范剑平 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1999年第3期318-323,共6页
目的研究提高已有电控硅油风扇离合器的闭阀及排空特性.方法对已有电控硅油风扇离合器在不同的粘度和加油量下进行台架试验,通过分析试验数据,找出已有电控硅油风扇离合器的不足,从排油机构和电控机构上进行改进,并对改进后的电控... 目的研究提高已有电控硅油风扇离合器的闭阀及排空特性.方法对已有电控硅油风扇离合器在不同的粘度和加油量下进行台架试验,通过分析试验数据,找出已有电控硅油风扇离合器的不足,从排油机构和电控机构上进行改进,并对改进后的电控硅油风扇离合器进行台架试验和试验分析.结果改进后的电控硅油风扇离合器的排空转速由原来的2400rmin-1降到1000rmin-1,调速时间由原3.0min降到1.0~1.5min,闭阀、排空特性和调速灵敏特性均有较大提高,能够满足使用要求.结论经试验证明,对电控机构和排油机构的改进是成功的,该电控硅油风扇离合器有较好的工程应用前景. 展开更多
关键词 硅油 风扇离合器 电控机构 排油机构
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全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计
7
作者 崔杰 陈磊 +4 位作者 赵鹏 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期362-366,共5页
利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅(SOI)CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷(SP16T)天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,... 利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅(SOI)CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷(SP16T)天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0~3GHz频段内均小于2dB,隔离度平均大于35dB,回波损耗小于-20dB,功率处理能力超过36dBm,完全满足设计要求。 展开更多
关键词 绝缘体硅 单刀十六掷 回波损耗 插入损耗 隔离度
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添加陶瓷粉对复合绝缘子微观电特性的影响 被引量:3
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作者 梁培松 刘云鹏 梁英 《电气工程学报》 2015年第6期71-77,共7页
陶瓷绝缘子大量退运后对性能良好的瓷体采取掩埋措施,不仅浪费资源而且污染环境,基于此本文将瓷体研磨后添加到硅橡胶材料中,替代了部分铝粉和气相法白炭黑,且对其进行了耐漏电起痕、热刺激电流(TSC)以及傅里叶变换红外光谱分析的试验,... 陶瓷绝缘子大量退运后对性能良好的瓷体采取掩埋措施,不仅浪费资源而且污染环境,基于此本文将瓷体研磨后添加到硅橡胶材料中,替代了部分铝粉和气相法白炭黑,且对其进行了耐漏电起痕、热刺激电流(TSC)以及傅里叶变换红外光谱分析的试验,比较了不同比例的陶瓷粉对硅橡胶的电特性的影响,试验结果表明陶瓷粉可以明显改善硅橡胶的电特性。 展开更多
关键词 硅橡胶 复合绝缘子 老化 退运 陶瓷
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太赫兹信号在老化硅橡胶中的传播特性仿真研究 被引量:2
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作者 师涛 罗康顺 +3 位作者 李传秋 史玉清 吴振升 宿振业 《电气应用》 2021年第12期43-49,共7页
绝缘是影响电力系统稳定运行的重要因素,但大多数情况下电气设备很难拆卸,对其绝缘老化程度的检测较为困难。太赫兹波具有可以轻易穿透绝缘材料等非金属材料的特性,这对于硅橡胶复合绝缘子的无损检测具有重要意义。分析了太赫兹信号在... 绝缘是影响电力系统稳定运行的重要因素,但大多数情况下电气设备很难拆卸,对其绝缘老化程度的检测较为困难。太赫兹波具有可以轻易穿透绝缘材料等非金属材料的特性,这对于硅橡胶复合绝缘子的无损检测具有重要意义。分析了太赫兹信号在理想介质与有损介质中传播的特性,从理论上阐述了其在非理想材料中可能发生的损耗,进而指出可以通过检测太赫兹回波损耗变化来反映硅橡胶介电常数的变化及其老化程度。之后在CST仿真软件上搭建仿真模型,改变材料的相对介电常数以及太赫兹信号的频率,研究其对回波损耗造成的影响,最后得出的结论可以更有效率地指导实际实验的进行。 展开更多
关键词 太赫兹 无损检测 回波损耗 硅橡胶绝缘子
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高硅球团返矿高碱度烧结矿的冶金性能研究 被引量:2
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作者 韩秀丽 《烧结球团》 北大核心 1999年第2期16-18,共3页
高硅球团返矿高碱度烧结矿矿物组成及显微结构表明,显微结构对烧结矿的强度及冶金性能影响最大,发展针状铁酸钙的网状交织结构有利于提高烧结矿的质量。
关键词 高硅球团返矿 高碱度烧结矿 冶金性能 烧结矿
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基于MEMS工艺W频段高效功率合成器的设计 被引量:1
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作者 于士同 邢小明 夏侯海 《电子测量技术》 北大核心 2021年第9期31-35,共5页
传统W波段功率合成器因为尺寸大很难与其他平面电路集成,限制了其在小尺寸平台上的应用。为了解决这个问题,开展高效率、小型化功率合成器的研究。提出了一种新型2路波导空间功率合成器结构,基于硅材料,使用MEMS工艺和晶圆键合三维堆叠... 传统W波段功率合成器因为尺寸大很难与其他平面电路集成,限制了其在小尺寸平台上的应用。为了解决这个问题,开展高效率、小型化功率合成器的研究。提出了一种新型2路波导空间功率合成器结构,基于硅材料,使用MEMS工艺和晶圆键合三维堆叠技术,在硅基上开展多路功率合成,实现W频段高效率、小型化的功率合成。极大提升加工精度,使得整体性能更好、尺寸更小、更易于集成。仿真结果显示,整体结构在90~96 GHz频率范围内,回波损耗低于-22.5 dB,插入损耗优于-0.22 dB,整体功率合成效率优于95%。 展开更多
关键词 MEMS工艺 空间功率合成 硅基波导 插入损耗 回波损耗
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低硅、低硫铝镇静钢冶炼技术研究 被引量:7
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作者 张博 王腾飞 +2 位作者 康旭 侯雅征 董伟 《河北冶金》 2021年第7期41-45,共5页
分析了低硅、低硫铝镇静钢精炼过程中回硅的原因,并提出了改善措施。认为精炼渣中SiO_(2)含量及其氧化性是增硅的主要原因。通过加强转炉终点钢水温度、顶渣成分和下渣量控制,并优化精炼渣成分和脱氧过程,控制碱度在8~12,w(CaO)为50%~60... 分析了低硅、低硫铝镇静钢精炼过程中回硅的原因,并提出了改善措施。认为精炼渣中SiO_(2)含量及其氧化性是增硅的主要原因。通过加强转炉终点钢水温度、顶渣成分和下渣量控制,并优化精炼渣成分和脱氧过程,控制碱度在8~12,w(CaO)为50%~60%、w(Al_(2)O_(3))为20%~30%、w(SiO_(2))为4%~8%、w(MgO)为5%~7%,同时脱氧时将钢砂铝改为粒度小的铝粒,控制其加入量和氩气流量,使铝粒浮在渣面,降低其氧化性等一系列技术措施,脱硫效果优于原工艺,钢中硅质量分数明显降低,平均为0.024%,且控制稳定。 展开更多
关键词 低硅 低硫 铝镇静钢 回硅 脱硫 精炼渣 脱氧
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38CrMoAl钢中硅稳定控制工艺的研究
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作者 包石磊 白澈力格尔 +2 位作者 刘晓军 牟贝成 许明杰 《天津冶金》 CAS 2021年第4期8-10,47,共4页
38CrMoAl钢种属于中碳高铝合金结构钢,钢中的Al含量远高于普碳钢,因此极易还原所接触到的SiO2,在形成Al2O3二次夹杂的同时,钢水回硅现象较严重。本文详细论述了以38CrMoAl为代表的中碳高铝合金结构钢的特点、控硅工艺难点和生产工艺要点... 38CrMoAl钢种属于中碳高铝合金结构钢,钢中的Al含量远高于普碳钢,因此极易还原所接触到的SiO2,在形成Al2O3二次夹杂的同时,钢水回硅现象较严重。本文详细论述了以38CrMoAl为代表的中碳高铝合金结构钢的特点、控硅工艺难点和生产工艺要点,以及对此采取的措施。通过某钢厂的生产实践表明,在LF炉Al合金化前,将钢水中Si含量控制在0.13~0.20%,炉渣中SiO2含量控制在8.00%以下,可以实现38CrMoAl钢中硅含量稳定控制在目标成分范围内。 展开更多
关键词 38CrMoAl钢种 钢中硅稳定控制 回硅现象
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回水中无机离子对硅钙质磷矿石正反浮选的影响 被引量:10
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作者 耿超 程伟 刘志红 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期38-41,共4页
以贵州某硅钙质胶磷矿为研究对象,通过往矿浆中添加不同浓度的Ca^2+、Mg^2+、SO4^2-、PO4^3-、F^-等影响离子,考察了无机离子对磷矿正反浮选的影响,结果表明:Ca^2+和Mg^2+会沉淀捕收剂,使精矿P2O5品位和回收率大幅度降低;碱性条件下PO4... 以贵州某硅钙质胶磷矿为研究对象,通过往矿浆中添加不同浓度的Ca^2+、Mg^2+、SO4^2-、PO4^3-、F^-等影响离子,考察了无机离子对磷矿正反浮选的影响,结果表明:Ca^2+和Mg^2+会沉淀捕收剂,使精矿P2O5品位和回收率大幅度降低;碱性条件下PO4^3-会抑制磷矿正浮选;酸性条件下SO4^2-易与Ca^2+反应生成硫酸钙沉淀附着在磷矿表面,影响磷矿反浮选;F^-对磷矿正反浮选影响较小。研究成果可为磷矿正反浮选废水的处理回用提供指导。 展开更多
关键词 磷矿 选矿废水 硅钙质磷矿石 正反浮选 无机离子 回水
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工业硅渣重选试验研究 被引量:5
15
作者 张藜 毕红兴 +3 位作者 赵兴凡 任承伟 张忠益 徐加雄 《云南冶金》 2019年第1期30-34,共5页
工业硅精炼过程中产生的氧化硅、氧化铝、氧化钙合成渣因夹带一部分工业硅称为硅渣,硅渣约含20%左右的工业硅,具有极高的经济价值。因此为对工业硅渣进行资源回收利用,试验采用颚式破碎机和锤式打砂机将硅渣进行破碎,并将破碎后特定粒... 工业硅精炼过程中产生的氧化硅、氧化铝、氧化钙合成渣因夹带一部分工业硅称为硅渣,硅渣约含20%左右的工业硅,具有极高的经济价值。因此为对工业硅渣进行资源回收利用,试验采用颚式破碎机和锤式打砂机将硅渣进行破碎,并将破碎后特定粒度的硅渣在摇床上进行重选,最后将重选出来的精矿进行返包重熔。试验取得了良好成效并已实现了产业化应用。 展开更多
关键词 工业硅 硅渣 破碎 摇床 返包重熔
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低硅孕育剂的效果及其应用 被引量:1
16
作者 王毅 马洪亮 +1 位作者 谢高峰 王晓靖 《铸造工程》 2015年第2期9-11,共3页
研究了一种新型低硅孕育剂,在铸造生产线上进行小批量试验,经过调整后,铸件的金相组织和力学性能均合格,将该孕育剂用于大批量生产,结果铸件的各项性能仍能稳定达标.实践证明:新型低硅孕育剂具有很好的孕育效果,可明显降低铁水中的硅含... 研究了一种新型低硅孕育剂,在铸造生产线上进行小批量试验,经过调整后,铸件的金相组织和力学性能均合格,将该孕育剂用于大批量生产,结果铸件的各项性能仍能稳定达标.实践证明:新型低硅孕育剂具有很好的孕育效果,可明显降低铁水中的硅含量,熔炼时可以大幅度提高回炉料的加入量,减少废钢、生铁以及合金的使用量,解决铸造企业大量回炉料消耗难的问题. 展开更多
关键词 低硅孕育剂 金相组织 回炉料
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镍铁冶炼的返硅现象浅析
17
作者 刘大勇 殷华倩 《铁合金》 2021年第3期1-4,共4页
介绍了用于镍铁冶炼的红土镍矿含氧化镍、氧化铁、三氧化二铬、二氧化硅等多种氧化物,经干燥脱水后,与还原剂搭配混合经焙烧、预还原后进入矿热炉冶炼,各种氧化物依据还原条件逐步还原为Ni、Fe、Cr、Si等生成镍铁。一般情况下镍铁成分为... 介绍了用于镍铁冶炼的红土镍矿含氧化镍、氧化铁、三氧化二铬、二氧化硅等多种氧化物,经干燥脱水后,与还原剂搭配混合经焙烧、预还原后进入矿热炉冶炼,各种氧化物依据还原条件逐步还原为Ni、Fe、Cr、Si等生成镍铁。一般情况下镍铁成分为Ni 9.5%~12.5%、Cr 0.5%~2.5%、Si 0.5%~4.0%。镍铁冶炼过程中,常常因矿石成分变化或还原剂用量不足,出现"返硅"现象,一方面可以充分利用"返硅"产生的热能降低焙砂电耗;另一方面,应防止"返硅"可能对冶炼操作及炉衬耐材产生危害,避免发生安全事故及影响炉衬使用寿命。 展开更多
关键词 镍铁冶炼 硅的还原 还原剂选择与用量 硅热反应 返硅危害 预防措施
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宣钢150t转炉低硅铁水冶炼实践
18
作者 张立君 《河北冶金》 2016年第5期45-47,共3页
低硅铁水的冶炼一直是转炉生产的难题,操作不好就容易引起金属喷溅、黏枪、烧枪等事故。对宣钢150t转炉炼钢设备以及低硅铁水的冶炼特点进行了研究,将低硅铁水具体细分为高温低硅铁水和低温低硅铁水。通过改变加料方式、变化枪位等措施... 低硅铁水的冶炼一直是转炉生产的难题,操作不好就容易引起金属喷溅、黏枪、烧枪等事故。对宣钢150t转炉炼钢设备以及低硅铁水的冶炼特点进行了研究,将低硅铁水具体细分为高温低硅铁水和低温低硅铁水。通过改变加料方式、变化枪位等措施对不同类型低硅铁水采取不同的操作方法,促使前期渣提早形成,减少炉渣"返干"现象,降低黏枪、黏烟罩、金属喷溅等事故,提高转炉生产作业率。 展开更多
关键词 150 t转炉 低硅铁水 加料方式 枪位 返干
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基于正交设计的硅通孔信号完整性分析
19
作者 梁颖 林训超 +2 位作者 黄春跃 邵良滨 张欣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第5期66-70,共5页
针对硅通孔(Through Silicon Via;TSV)高度、直径和绝缘层厚度三个结构参数建立了25种不同水平组合的HFSS仿真模型,获取了这25种TSV的回波损耗和插入损耗并进行了方差分析。结果表明:随信号频率升高,TSV最大表面电场强度和插入损耗减小... 针对硅通孔(Through Silicon Via;TSV)高度、直径和绝缘层厚度三个结构参数建立了25种不同水平组合的HFSS仿真模型,获取了这25种TSV的回波损耗和插入损耗并进行了方差分析。结果表明:随信号频率升高,TSV最大表面电场强度和插入损耗减小而回波损耗增大;在置信度为99%时,TSV高度是影响回波损耗和插入损耗的显著性因素;TSV直径和绝缘层厚度对回波损耗和插入损耗影响均不显著;TSV高度对回波损耗和插入损耗影响最大,其次是TSV直径,最后是绝缘层厚度。 展开更多
关键词 硅通孔 电场强度 回波损耗 插入损耗 正交设计 方差分析
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