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Numerical Study and Optimization of CZTS-Based Thin-Film Solar Cell Structure with Different Novel Buffer-Layer Materials Using SCAPS-1D Software
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作者 Md. Zamil Sultan Arman Shahriar +4 位作者 Rony Tota Md. Nuralam Howlader Hasibul Haque Rodro Mahfuja Jannat Akhy Md. Abir Al Rashik 《Energy and Power Engineering》 2024年第4期179-195,共17页
This study explored the performances of CZTS-based thin-film solar cell with three novel buffer layer materials ZnS, CdS, and CdZnS, as well as with variation in thickness of buffer and absorber-layer, doping concentr... This study explored the performances of CZTS-based thin-film solar cell with three novel buffer layer materials ZnS, CdS, and CdZnS, as well as with variation in thickness of buffer and absorber-layer, doping concentrations of absorber-layer material and operating temperature. Our aims focused to identify the most optimal thin-film solar cell structure that offers high efficiency and lower toxicity which are desirable for sustainable and eco-friendly energy sources globally. SCAPS-1D, widely used software for modeling and simulating solar cells, has been used and solar cell fundamental performance parameters such as open-circuited voltage (), short-circuited current density (), fill-factor() and efficiency() have been optimized in this study. Based on our simulation results, it was found that CZTS solar cell with Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S as buffer-layer offers the most optimal combination of high efficiency and lower toxicity in comparison to other structure investigated in our study. Although the efficiency of Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S, ZnS and CdS are comparable, Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S is preferable to use as buffer-layer for its non-toxic property. In addition, evaluation of performance as a function of buffer-layer thickness for Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S, ZnS and CdS showed that optimum buffer-layer thickness for Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S was in the range from 50 to 150nm while ZnS offered only 50 – 75 nm. Furthermore, the temperature dependence performance parameters evaluation revealed that it is better to operate solar cell at temperature 290K for stable operation with optimum performances. This study would provide valuable insights into design and optimization of nanotechnology-based solar energy technology for minimizing global energy crisis and developing eco-friendly energy sources sustainable and simultaneously. 展开更多
关键词 Thin-Film Solar Cell czts Buffer-Layer Renewable Energy Green-House Gases Efficiency
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溶剂热合成球形Cu_2ZnSnS_4 (CZTS)微粉的研究 被引量:7
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作者 邹正光 曾彦 +2 位作者 龙飞 申玉芳 郑国源 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期708-713,共6页
本文采用高压溶剂热法合成了铜锌锡硫(CZTS)粉体,采用XRD、SEM测试方法对合成产物的物相、形貌进行了表征。探讨了温度,时间以及表面活性剂等因素对溶剂热合成CZTS粉体形貌、物相和性能的影响。结果表明:高压溶剂热法制备的CZTS目标粉... 本文采用高压溶剂热法合成了铜锌锡硫(CZTS)粉体,采用XRD、SEM测试方法对合成产物的物相、形貌进行了表征。探讨了温度,时间以及表面活性剂等因素对溶剂热合成CZTS粉体形貌、物相和性能的影响。结果表明:高压溶剂热法制备的CZTS目标粉体纯度高,制备周期短,产物形貌为球形的片状集合体。反应进程随着反应温度的升高而加快,随着保温时间的延长而趋于完全。加入部分表面活性剂对团聚现象改善并不明显。 展开更多
关键词 溶剂热 czts 球形微粉
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磁控溅射制备CZTS薄膜的研究 被引量:2
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作者 李志山 王书荣 +3 位作者 蒋志 杨敏 刘涛 郝瑞亭 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期127-131,共5页
本文采用单周期和多周期磁控溅射ZnS-SnS-Cu制备CZST薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、高倍光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和热探针对所制备的CZTS薄膜的晶体结构、拉曼位移、表面形貌、化学组分和导电... 本文采用单周期和多周期磁控溅射ZnS-SnS-Cu制备CZST薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、高倍光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和热探针对所制备的CZTS薄膜的晶体结构、拉曼位移、表面形貌、化学组分和导电类型进行研究分析。分析结果表明所制备CZTS薄膜的粘附性和结晶质量随着溅射周期的增加得到很大的改善所制备的CZTS无Cu_(2-x)S等其它二次相,且薄膜表面光滑、晶粒均匀致密、无孔洞。所制备的CZTS薄膜在化学组分是贫铜富锌(Cu/Zn+Sn≈0.88,Zn/Sn≈1.09),符合高效率太阳能电池吸收层的要求。 展开更多
关键词 磁控溅射 czts 薄膜电池 硫化
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预制层中Zn和ZnS对CZTS薄膜太阳电池的影响 被引量:2
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作者 杨敏 王书荣 +4 位作者 蒋志 李志山 刘思佳 陆熠磊 唐语 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1342-1347,共6页
采用磁控溅射后硫化的方法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,分别用Zn和Zn S作为锌源,在镀钼的钠钙玻璃衬底上以Zn(或Zn S)/Sn/Cu的顺序制备出不同的CZTS薄膜预制层。首先对预制层进行低温合金,然后以硫粉作为硫源进行高温硫化,得到CZTS薄膜... 采用磁控溅射后硫化的方法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,分别用Zn和Zn S作为锌源,在镀钼的钠钙玻璃衬底上以Zn(或Zn S)/Sn/Cu的顺序制备出不同的CZTS薄膜预制层。首先对预制层进行低温合金,然后以硫粉作为硫源进行高温硫化,得到CZTS薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)分别对所制备薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征;并用拉曼光谱表征了CZTS相的纯度。最后用CZTS薄膜制备了太阳电池,发现在预制层中以Zn S作为锌源得到的太阳电池有较高的性能参数,其开路电压:Voc=651 m V,短路电流密度:Jsc=11.4 m A/cm2,光电转换效率达到2.8%。 展开更多
关键词 铜锌锡硫(czts) 薄膜太阳电池 磁控溅射 硫化
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单质靶溅射制备CZTS薄膜及太阳电池 被引量:1
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作者 蒋志 李志山 +4 位作者 杨敏 刘思佳 刘涛 郝瑞亭 王书荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3582-3587,3592,共7页
采用单质靶磁控溅射制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,研究了薄膜的元素组分、升温速率、硫化温度对薄膜表面平整性以及晶粒尺寸的影响。通过SEM与AFM表征薄膜的表面形貌与表面粗糙度,用EDS检测薄膜的元素组分。所制备的样品的Cu/(Zn+Sn)、Zn... 采用单质靶磁控溅射制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,研究了薄膜的元素组分、升温速率、硫化温度对薄膜表面平整性以及晶粒尺寸的影响。通过SEM与AFM表征薄膜的表面形貌与表面粗糙度,用EDS检测薄膜的元素组分。所制备的样品的Cu/(Zn+Sn)、Zn/Sn处于最优范围。通过XRD及Raman检测薄膜的结晶情况以及薄膜中的二次相,经上述测试分析判定CZTS薄膜品质良好。最终制备出以CZTS为吸收层的薄膜太阳电池,并用I^V特性检验了CZTS电池性能参数,得到效率为0.83%的CZTS薄膜太阳电池,并通过改进硫化退火工艺将效率提高至1.58%。 展开更多
关键词 czts薄膜 磁控溅射 硫化 转换效率
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CZTS薄膜制备的研究进展 被引量:3
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作者 文亚南 董燕 +1 位作者 王金生 梁齐 《科技创新导报》 2011年第26期1-1,6,共2页
Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与太阳光谱非常匹配的禁带宽度以及高的吸收系数,这使得CZTS薄膜成为一种最具潜力的新型太阳能电池薄膜吸收层材料。因此研究和完善CZTS薄膜的制备技术并提高薄膜质量及性能成为重要的研究课题。本文主要介绍四种CZT... Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与太阳光谱非常匹配的禁带宽度以及高的吸收系数,这使得CZTS薄膜成为一种最具潜力的新型太阳能电池薄膜吸收层材料。因此研究和完善CZTS薄膜的制备技术并提高薄膜质量及性能成为重要的研究课题。本文主要介绍四种CZTS薄膜的制备方法:磁控溅射、共蒸发、混合溅射、电子束蒸发硫化法。 展开更多
关键词 czts薄膜 太阳能电池
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预置金属层顺序沉积法制备CZTS薄膜太阳能电池的研究进展 被引量:2
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作者 王克振 王智平 +1 位作者 赵静 郭长华 《甘肃科技》 2010年第12期86-89,共4页
CZTS薄膜太阳能电池因其带隙与太阳辐射匹配性好、光吸收系数高、原料储藏量大、价格便宜、无毒等优点,将成为未来最具发展前景的薄膜电池之一。简述了预置金属层顺序沉积法制备CZTS薄膜太阳能电池的最新研究进展,并对其发展趋势进行了... CZTS薄膜太阳能电池因其带隙与太阳辐射匹配性好、光吸收系数高、原料储藏量大、价格便宜、无毒等优点,将成为未来最具发展前景的薄膜电池之一。简述了预置金属层顺序沉积法制备CZTS薄膜太阳能电池的最新研究进展,并对其发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 czts 光伏电池 薄膜电池 研究现状
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CZTS/g-C_(3)N_(4) Ⅰ型异质结中可见光驱动催化活性的提高
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作者 李玉芳 侯张晨 +2 位作者 刘劲松 施政 沈鸿烈 《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》 EI CSCD 2023年第3期293-306,共14页
为了提高Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)光催化降解罗丹明B(RhB)的速率,本文采用水热法成功制备了CZTS/g-C_(3)N_(4)复合结构的Ⅰ型异质结并首次将CZTS/g-C_(3)N_(4)应用于光催化降解有色染料RhB。结果表明,g-C_(3)N_(4)附着在花状CZTS表面,两... 为了提高Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)光催化降解罗丹明B(RhB)的速率,本文采用水热法成功制备了CZTS/g-C_(3)N_(4)复合结构的Ⅰ型异质结并首次将CZTS/g-C_(3)N_(4)应用于光催化降解有色染料RhB。结果表明,g-C_(3)N_(4)附着在花状CZTS表面,两者形成Ⅰ型异质结。CZTS作为g-C_(3)N_(4)的电子陷阱,提高了载流子的分离效率。光催化降解RhB的结果表明,CZTS/g-C_(3)N_(4)复合结构可以提高RhB的光催化降解效果。RhB的最佳光催化效率在60min内达到98.63%。 展开更多
关键词 光催化 热流体 czts/g-C_(3)N_(4) 光生载流子 异质结
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硫源种类对微波合成CZTS颗粒与薄膜性能的影响
9
作者 王威 沈鸿烈 +2 位作者 姚函妤 陈洁仪 李玉芳 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期665-671,共7页
研究不同硫源对微波液相合成的Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒尺寸及形貌的影响。结果表明:当采用硫脲作为硫源时,所制备的CZTS纳米颗粒为平均尺寸500nm的球状结构纳米颗粒;采用L-半胱氨酸作为硫源所制备的CZTS纳米颗粒为50nm的空心球状纳米颗... 研究不同硫源对微波液相合成的Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒尺寸及形貌的影响。结果表明:当采用硫脲作为硫源时,所制备的CZTS纳米颗粒为平均尺寸500nm的球状结构纳米颗粒;采用L-半胱氨酸作为硫源所制备的CZTS纳米颗粒为50nm的空心球状纳米颗粒;而当使用硫代乙酰胺作为硫源制备CZTS纳米颗粒,其平均尺寸仅为3nm。采用平均尺寸为500nm或50nm的纳米颗粒制备墨水,将墨水旋涂到衬底上时,其致密性很差,明显存在许多孔洞。当采用平均尺寸为3nm的纳米颗粒制作墨水,并将其制成薄膜时,薄膜致密性与均匀性都比较好。将最佳的预制薄膜进行硫化处理,其结晶性明显提高,并得到转化效率为2.1%的CZTS太阳电池。 展开更多
关键词 Cu2ZnSnS4(czts)薄膜 纳米颗粒 微波液相合成法 墨水法 太阳电池
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金属前驱体摩尔比对CZTS纳米晶微结构的影响 被引量:2
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作者 夏冬林 郭锦华 李云峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2441-2445,共5页
采用热注入法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)纳米晶,研究了金属前驱体摩尔比对所制备的CZTS纳米晶的晶体结构、化学组分、形貌及光学性能的影响。实验结果表明:当Cu∶(Zn+Sn)前驱体摩尔比在0.8∶1~1∶1范围变化时,所得到的产物为纯锌黄锡矿结构... 采用热注入法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)纳米晶,研究了金属前驱体摩尔比对所制备的CZTS纳米晶的晶体结构、化学组分、形貌及光学性能的影响。实验结果表明:当Cu∶(Zn+Sn)前驱体摩尔比在0.8∶1~1∶1范围变化时,所得到的产物为纯锌黄锡矿结构CZTS纳米晶。当Cu∶(Zn+Sn)≤0.7∶1时,产物的XRD图谱在(112)晶面衍射峰附近出现微弱的SnS杂峰。当Cu∶(Zn+Sn)前驱体摩尔比从0.9∶1变化为0.8∶1时,纳米晶的形貌主要为球形,少量为多边形;当Cu∶(Zn+Sn)前驱体摩尔比从0.7∶1减小到0.6∶1时,纳米晶的形貌主要有纺锤形及少量球形。所制备样品的光学带隙随着Cu∶(Zn+Sn)前驱体摩尔比的减小而增大,其带隙宽度在1.44~1.56eV之间变化。 展开更多
关键词 铜锌锡硫 热注入法 纳米晶 太阳电池
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预制层结构对CZTS薄膜微观组织和光学性能的影响
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作者 李伟 王玉伟 《有色金属材料与工程》 CAS 2016年第3期72-77,共6页
研究了叠层顺序对磁控溅射沉积铜锌锡硫(CZTS)吸收层的微观结构、表面形貌和光学性能的影响.试验结果表明:当预制层结构为Cu/ZnS/SnS2时,制备的CZTS薄膜在(112)晶面具有择优生长取向,并具有较好的结晶一致性,在288,335和368cm-1处呈现... 研究了叠层顺序对磁控溅射沉积铜锌锡硫(CZTS)吸收层的微观结构、表面形貌和光学性能的影响.试验结果表明:当预制层结构为Cu/ZnS/SnS2时,制备的CZTS薄膜在(112)晶面具有择优生长取向,并具有较好的结晶一致性,在288,335和368cm-1处呈现出特征拉曼(Raman)峰,薄膜表面晶粒较大、形状规则、薄膜空隙较少、比较致密,可见光范围内的吸收系数较高,光学带隙1.5eV,适合作为CZTS薄膜太阳能电池的吸收层;当预制层结构为SnS2/Cu/ZnS和ZnS/SnS2/Cu时,由于在预制层硫化过程中造成一定的Zn和Sn流失,使CZTS薄膜中含有CuS杂相,导致薄膜表面质量下降,禁带宽度增加,不适合做CZTS薄膜太阳能电池的吸收层. 展开更多
关键词 czts薄膜 预制层结构 微观组织 光学性能
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金属成分对固态硫化CZTS薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 曹中明 杨元政 +1 位作者 许佳雄 谢致薇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第6期366-370,389,共6页
采用磁控溅射法制备铜锌锡(CZT)金属预制膜,再利用固态硫化法制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。研究了CZT金属预制膜中Sn的原子数分数对CZTS薄膜的化学成分、结构组织和光学性能的影响规律。结果表明:实验制备的CZT金属预制膜硫化后均能得到... 采用磁控溅射法制备铜锌锡(CZT)金属预制膜,再利用固态硫化法制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。研究了CZT金属预制膜中Sn的原子数分数对CZTS薄膜的化学成分、结构组织和光学性能的影响规律。结果表明:实验制备的CZT金属预制膜硫化后均能得到主相为CZTS的薄膜。在适当的范围内增加CZT金属预制膜中Sn的原子数分数可提高CZTS薄膜的结晶度,有利于生长均匀致密的CZTS薄膜;Sn的原子数分数过高时,硫化后制得的CZTS薄膜存在杂相Sn2S3。当CZT预制膜中各成分的原子数分数比为yZn/ySn=0.24,yCu/yZn+Sn=0.33时,固态硫化后可获得表面均匀致密、具单相的CZTS薄膜,该薄膜中yZn/ySn=1.15,yCu/yZn+Sn=0.92,光吸收系数达104 cm-1,光学带隙为1.52 eV。 展开更多
关键词 金属预制膜 固态硫化 磁控溅射 Cu2ZnSnS4(czts)薄膜 金属含量
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采用SCAPS-1D对CZTS薄膜电池的优化 被引量:1
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作者 郭明 李荣 +1 位作者 罗婧雯 张道礼 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第5期693-697,共5页
采用SCAPS-1D软件建立了CZTS(Cu2ZnSnS4)薄膜电池模型,并对其输出特性进行了数值模拟,分别研究了CZTS吸收层厚度、载流子浓度和禁带宽度对CZTS薄膜电池的影响。结果表明较薄的CZTS吸收层即可满足对光谱吸收需要。载流子浓度NA的增加可... 采用SCAPS-1D软件建立了CZTS(Cu2ZnSnS4)薄膜电池模型,并对其输出特性进行了数值模拟,分别研究了CZTS吸收层厚度、载流子浓度和禁带宽度对CZTS薄膜电池的影响。结果表明较薄的CZTS吸收层即可满足对光谱吸收需要。载流子浓度NA的增加可以提高开路电压,但会造成短路电流减小,所以载流子浓度也是太阳电池设计中需要平衡的问题之一。最后采用成分分级方法,通过改变Se/(Se+S)比例来研究不同禁带宽度下的CZT(S,Se)(Cu2ZnSn(S,Se)4)电池性能。结果发现当Se/(Se+S)=0.3,即Eg=1.32eV时电池效率达到最高21.1%。 展开更多
关键词 SCAPS-1D czts 载流子浓度 禁带宽度 成分分级
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CZTS薄膜太阳电池的研究及发展 被引量:2
14
作者 自兴发 杨培志 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1390-1393,共4页
Cu2ZnSnS4(CZTS)材料属Ⅰ-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族四元化合物,原料在地壳中储量丰富、价格便宜、无毒、具有良好的光电性能。CZTS一般呈P型导电性,直接带隙为1.5 eV,与太阳辐射匹配性好,在可见光范围内的光学吸收系数大于104cm-1,非常适合作为太阳... Cu2ZnSnS4(CZTS)材料属Ⅰ-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族四元化合物,原料在地壳中储量丰富、价格便宜、无毒、具有良好的光电性能。CZTS一般呈P型导电性,直接带隙为1.5 eV,与太阳辐射匹配性好,在可见光范围内的光学吸收系数大于104cm-1,非常适合作为太阳电池的吸收层材料,有望取代CIGS成为下一代高效化合物薄膜太阳电池的典范。结合最新研究进展综述了CZTS薄膜材料的不同制备方法及合成机理,并讨论了目前CZTS太阳电池研究中存在的问题和今后的发展方向。 展开更多
关键词 czts 太阳电池 制备方法 研究进展
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引入Sb降低CZTS硒化温度的研究 被引量:2
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作者 王新收 赵祥云 贾泽远 《化学研究》 CAS 2019年第2期165-169,共5页
采取直接在Cu2ZnSnS4(CZTS)驱体溶液中溶解锑基化合物的方法于CZTS中引入Sb,探究了不同浓度Sb的引入对于CZTS薄膜太阳能电池的影响.研究结果表明Sb的引入能够显著降低CZTS的硒化温度至470℃.同时XRD和SEM表征测试结果表明随着Sb引入浓... 采取直接在Cu2ZnSnS4(CZTS)驱体溶液中溶解锑基化合物的方法于CZTS中引入Sb,探究了不同浓度Sb的引入对于CZTS薄膜太阳能电池的影响.研究结果表明Sb的引入能够显著降低CZTS的硒化温度至470℃.同时XRD和SEM表征测试结果表明随着Sb引入浓度的增加,低温下制备的CZTS薄膜的结晶性得到了逐渐的增强.EQE测试结果表明Sb引入之后CZTS薄膜太阳能电池的光响应也得到了提升,最终能够大幅提升CZTS薄膜太阳能电池的各项光伏性能参数,在4%(物质的量分数)Sb的引入量时得到了7.72%的效率. 展开更多
关键词 czts SB 硒化温度 结晶性
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溶胶-凝胶法制备CZTS太阳能电池吸收层薄膜
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作者 弓艳梅 徐键 +1 位作者 徐清波 方刚 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期24-27,32,共5页
Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与CIGS相似的结构,其直接带隙宽度为1.45~1.6eV,吸收系数则高于10^4cm^-1,构成元素丰富且无毒,因此其作为一种P型半导体材料,被认为是最有希望替代CIGS的材料之一。以去离子水和无水乙醇作为溶剂,采用溶... Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与CIGS相似的结构,其直接带隙宽度为1.45~1.6eV,吸收系数则高于10^4cm^-1,构成元素丰富且无毒,因此其作为一种P型半导体材料,被认为是最有希望替代CIGS的材料之一。以去离子水和无水乙醇作为溶剂,采用溶胶-凝胶法(Sol—gel)在玻璃基底上制得了CZTS薄膜,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电镜和紫外可见光谱对样品进行了表征,并讨论了烘焙温度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明当热处理温度达到200℃时得到了黑色的CZTS薄膜,其禁带宽度为1.45eV,经过EDS分析制得的薄膜的元素比Cu:Zn:Sn:S接近2:1:1:4,这与CZTS的理论值是一致的,但是薄膜中存在少量的氯元素,同时适当降低前期的烘焙温度可以提高薄膜的致密性。 展开更多
关键词 czts 溶胶-凝胶 薄膜
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电化学沉积CdS薄膜及其在CZTS薄膜太阳能电池中的应用
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作者 夏晨 张军 +2 位作者 许扬 王喜娜 王浩 《材料与冶金学报》 CAS 北大核心 2014年第2期146-151,共6页
采用硫代硫酸钠、硫酸镉,配以有机酸NTA调节溶液pH值,首次在碱性环境中电沉积制备CdS薄膜,并将其应用到Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池中作为缓冲层.实验探讨了pH值、溶液浓度、沉积电位对薄膜晶体结构、形貌、界面等微观结构以及光学... 采用硫代硫酸钠、硫酸镉,配以有机酸NTA调节溶液pH值,首次在碱性环境中电沉积制备CdS薄膜,并将其应用到Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池中作为缓冲层.实验探讨了pH值、溶液浓度、沉积电位对薄膜晶体结构、形貌、界面等微观结构以及光学特性的影响、在pH值为9.36、Cd2+浓度为0.025 mol/L、沉积电位为-1.7 V时,获得了表面均匀致密而无针孔、近化学计量原子比、禁带宽度为2.4 eV的CdS薄膜,将其应用于CZTS薄膜太阳能电池中,所制备的缓冲层CdS薄膜展现了与CZTS薄膜良好的匹配性,CZTS/CdS的p-n结质量得到改善. 展开更多
关键词 电化学沉积 CDS薄膜 czts太阳能电池 缓冲层
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烧结法制备CZTS
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作者 李向阳 牛梦思 +1 位作者 李艳国 王天兴 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第6期51-54,共4页
采用简单的烧结工艺将CuS∶ZnS∶SnS按2∶1∶1的比例混合均匀后置于氮气流中于不同温度和时间条件下进行烧结,最终制得结晶体;通过采用XRD,SEM,EDS对烧结产物进行表征,结果表明样品的最佳烧结温度和时间为600℃和8h.但是,由于原料中不... 采用简单的烧结工艺将CuS∶ZnS∶SnS按2∶1∶1的比例混合均匀后置于氮气流中于不同温度和时间条件下进行烧结,最终制得结晶体;通过采用XRD,SEM,EDS对烧结产物进行表征,结果表明样品的最佳烧结温度和时间为600℃和8h.但是,由于原料中不同成份的挥发比差别较大,最终结晶体样品的成分相对较难控制,采用该方法得到的烧结产物化学组成与理想的Cu,Sn,Zn,S元素比例2∶1∶1∶4相差较大,需要适当调整原材料的配比以及采用后续的气氛退火对材料的化学组分做进一步调整. 展开更多
关键词 czts 烧结法 CUS ZNS SNS
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CZTS薄膜太阳能电池无镉缓冲层材料的研究进展 被引量:5
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作者 阎森飚 徐键 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期45-52,共8页
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池是单结转换效率最高(~22.6%)的光伏器件,但In、Ga是稀缺元素,从而限制了CIGS电池的产业化。新型材料Cu 2ZnSnS 4(CZTS)是结构与光电性能均与CIGS十分相似的直接带隙半导体材料,它在CIGS器件结构中可替... Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池是单结转换效率最高(~22.6%)的光伏器件,但In、Ga是稀缺元素,从而限制了CIGS电池的产业化。新型材料Cu 2ZnSnS 4(CZTS)是结构与光电性能均与CIGS十分相似的直接带隙半导体材料,它在CIGS器件结构中可替代CIGS吸收层,并得到新型CZTS薄膜太阳能电池。与CIGS相反,CZTS的原料丰富、无毒。大量研究表明,CZTS薄膜太阳能电池具有较高的转换效率和良好的稳定性,且可采用低成本、非真空的溶液法薄膜沉积技术来制造,因此CZTS器件是一种低成本、环境友好、极具产业化前景的薄膜太阳能电池。CZTS器件具有与CIGS器件一样的堆层结构{SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/n-ZnO},目前转换效率最高(~12.6%)的CZTS器件仍沿用CIGS器件的CdS缓冲层,因而大规模生产与应用中存在高毒重金属镉污染的危险,寻找能替代CdS的无镉缓冲层材料来消除潜在的镉污染问题十分必要。此外,与高效率的{CIGS/CdS}器件相比,{CZTS/CdS}器件界面的能带匹配可能并不是最优,CZTS器件的转换效率还远不如CIGS器件,因此需要寻找新的无镉缓冲层材料。在确定新缓冲层材料时,必须考虑{CZTS/新缓冲层}界面的能级对齐效应。CIGS和CZTS器件的缓冲层新材料基本上可归纳为3种半导体材料:硫化物、硫氧化物、氧化物。这些材料的薄膜均可用化学浴(CBD)法等多种方法来制备。材料选取很大程度上取决于其与CZTS或CIGS吸收层接触所形成界面上的导带带阶情况,因为导带带阶对器件性能参数有很大的影响。大的正导带带阶(尖刺状带阶)对少子(电子)收集存在一个势垒而降低短路电流密度J sc;相反,负导带带阶(断崖状带阶)导致缓冲层与吸收层界面上的复合增大而降低了开路电压V oc;理想情况是器件有一个小(0~0.4 eV)的正导带带阶(尖刺状带阶),正如在使用CdS缓冲层的CIGSSe器件中所发现的那样。为了研发低成本、环境友好的CZTS电池器件的新型缓冲层材料,本文综述了CZTS和CIGS器件的无镉缓冲层材料的研究进展,讨论了无镉缓冲层材料的选用条件,以及多种硫化物(如ZnS和In2S3)、硫氧化物(如Zn(S,O)和In(S,O,OH))、氧化物(如ZnO、TiO2、Zn1-x MgxOy和Zn 1-x-SnxOy等)薄膜作为CZTS缓冲层的性能特点(特别是它们的导带带阶)以及存在的问题,探讨了其发展方向。对于含硒CZTSSe器件,In2S3、Zn(S,O)是良好的无镉缓冲层材料,而对于更环保、低成本的全硫CZTS器件,Zn1-xMgxOy和Zn1-xSnxOy可提供良好性能的缓冲层。 展开更多
关键词 薄膜太阳能电池 无镉 缓冲层 铜锌锡硫
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CZTS/La_2Ti_2O_7纳米粉体的制备及光催化性能
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作者 田晓萌 刘晶冰 汪浩 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2014年第3期299-301,316,共4页
利用水热法合成路线,通过原位生长的方法,制备出Cu2ZnSnS4(CZTS)/La2Ti2O7纳米复合材料。并以其为光催化剂,在紫外光和可见光照射下对罗丹明B(RhB)进行降解。采用XRD、SEM对其成分及形貌进行表征,通过UV-vis漫反射吸收曲线表征半导体材... 利用水热法合成路线,通过原位生长的方法,制备出Cu2ZnSnS4(CZTS)/La2Ti2O7纳米复合材料。并以其为光催化剂,在紫外光和可见光照射下对罗丹明B(RhB)进行降解。采用XRD、SEM对其成分及形貌进行表征,通过UV-vis漫反射吸收曲线表征半导体材料光吸收性能及禁带宽度,并研究CZTS/La2Ti2O7复合物的光催化性能。结果表明:CZTS均匀地分布在La2Ti2O7表面,通过复合有效地减小了La2Ti2O7催化剂的带隙,拓展了光响应范围。在可见光和紫外光下,该复合材料均具有良好的光催化活性。 展开更多
关键词 水热法 原位生长 czts La2Ti2O7纳米复合物 光催化降解
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