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Novel Nano-scale Overlay Alignment Method for Room-temperature Imprint Lithography
1
作者 WANG Li DING Yu-cheng LU Bing-heng LI Han-song YAN Le QIU Zhi-hui LIU Hong-zhong YIN Lie 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2005年第4期275-280,共6页
A novel nano-scale alignment technique based on Moiré signal for room-temperature imprint lithography in the submicron realm is proposed. The Moiré signals generated by a pair of quadruple gratings on two te... A novel nano-scale alignment technique based on Moiré signal for room-temperature imprint lithography in the submicron realm is proposed. The Moiré signals generated by a pair of quadruple gratings on two templates respectively are optically projected onto a photodetector array, then the detected Moiré signals are used to estimate the alignment errors in x and y directions. The experiment result indicates that complex differential Moiré signal is sensitive to relative displacement of the pair of marks than each single Moiré signal, and the alignment resolutions obtained in x and y directions are ±20nm(3σ) and ±24nm(3σ). They can meet the requirement of alignment accuracy for submicron imprint lithography. 展开更多
关键词 平版印刷术 光栅 纳米技术 波纹信号 空间温度
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Fabrication of superconducting NbN meander nanowires by nano-imprint lithography 被引量:1
2
作者 杨美 刘丽华 +5 位作者 宁鲁慧 金贻荣 邓辉 李洁 李阳 郑东宁 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第1期384-389,共6页
Superconducting nanowire single photon detector (SNSPD), as a new type of superconducting single photon detector (SPD), has a broad application prospect in quantum communication and other fields. In order to prepa... Superconducting nanowire single photon detector (SNSPD), as a new type of superconducting single photon detector (SPD), has a broad application prospect in quantum communication and other fields. In order to prepare SNSPD with high performance, it is necessary to fabricate a large area of uniform meander nanowires, which is the core of the SNSPD. In this paper, we demonstrate a process of patterning ultra-thin NbN films into meander-type nanowires by using the nano- imprint technology. In this process, a combination of hot embossing nano-imprint lithography (HE-NIL) and ultraviolet nano-imprint lithography (UV-NIL) is used to transfer the meander nanowire structure from the NIL Si hard mold to the NbN film. We have successfully obtained a NbN nanowire device with uniform line width. The critical temperature (Tc) of the superconducting NbN meander nanowires is about 5 K and the critical current (lc) is about 3.5 μA at 2.5 K. 展开更多
关键词 nano-imprint lithography meander nanowires ultra-thin NbN films
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Implementation of Autofocus in Alignment System for Layered Imprint Fabrication
3
作者 王权岱 段玉岗 +2 位作者 卢秉恒 向家伟 杨连发 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2009年第4期294-299,共6页
Autofocus method based on the analysis of image content information is investigated to reduce the alignment error resulting from mark positioning uncertainty due to defocus in microstructure layered fabrication proces... Autofocus method based on the analysis of image content information is investigated to reduce the alignment error resulting from mark positioning uncertainty due to defocus in microstructure layered fabrication process based on multilevel imprint lithography. The applicability of several autofocus functions to the alignment mark images is evaluated concerning their uniformity, sharpness near peak, reliability and measure computation efficiency and the most suitable one based on power spectrum in frequency domain (PSFD) is adopted. To solve the problem of too much computation amount needed in PSFD algorithm, the strategy of interested region detection and effective image reconstruction is proposed and the algorithm efficiency is improved. The test results show that the computation time is reduced from 0.316 s to 0.023 s under the same conditions while the other merits of the function are preserved, which indicates that the modified algorithm can meet the mark image autofocusing requirements in response time, accuracy and robustness. The alignment error due to defocus which is about 0.5 μm indicated by experimental results can be reduced or eliminated by the autofocusing implementation. 展开更多
关键词 自动对焦功能 制造过程 对准系统 版本 镜头 图像内容 计算效率 信息分析
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压印对正系统中标记图像几何畸变的校正 被引量:8
4
作者 王权岱 段玉岗 +2 位作者 丁玉成 关宏武 卢秉恒 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期422-427,共6页
在综合分析了多种线性及非线性畸变后,建立了三次多项式图像系统畸变模型。采用基于控制点偏差目标函数最小优化法进行畸变模型的求解,并通过计算自标定偏差均方差与互标定偏差均方差对标定结果进行了评定。结果表明,模型求解误差为0.22... 在综合分析了多种线性及非线性畸变后,建立了三次多项式图像系统畸变模型。采用基于控制点偏差目标函数最小优化法进行畸变模型的求解,并通过计算自标定偏差均方差与互标定偏差均方差对标定结果进行了评定。结果表明,模型求解误差为0.22μm,通过校正标记图像几何畸变引入的定位误差由2.5μm降低到0.25μm,可实现压印对正系统中标记图像几何畸变的校正,实现精确定位。 展开更多
关键词 图像畸变 校正 对正 压印光刻
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下一代光刻技术——压印光刻 被引量:13
5
作者 丁玉成 刘红忠 +1 位作者 卢秉恒 李涤尘 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1-7,共7页
通过分析集成电路制造工艺中的核心环节——光刻技术,采用机械微复形原理的压印光刻技术可避免传统光学光刻的光学衍射限制,能够对最小到6 nm特征尺寸的图形进行复制。通过研究压印光刻原理,详细分析对比热压印及常温压印的工艺特点、... 通过分析集成电路制造工艺中的核心环节——光刻技术,采用机械微复形原理的压印光刻技术可避免传统光学光刻的光学衍射限制,能够对最小到6 nm特征尺寸的图形进行复制。通过研究压印光刻原理,详细分析对比热压印及常温压印的工艺特点、复形面积、模具结构和阻蚀胶固化过程等,揭示出常温压印更适用于多层套刻的图形制作。针对基于紫外光固化的常温压印光刻工艺在压印过程中的关键技术:阻蚀胶成膜控制、对准、套刻、精确加载、留膜厚度控制、阻蚀胶固化控制等进行深入研究,提出释放保形软压印工艺,能够实现基于常温软模具压印的大面积亚100 nm级特征尺寸图形的复制。最后,以SIL-(?)型分步式常温紫外光固化压印光刻机的研究为例,对其结构特性做出深入分析,估算出系统的精度等级;通过试验,对系统的压印复形精度做出评估。 展开更多
关键词 集成电路 光刻技术 压印 光刻
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从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展 被引量:6
6
作者 孙磊 戴庆元 +1 位作者 乔高帅 吴日新 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期186-190,共5页
从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果... 从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。 展开更多
关键词 浸入式光刻 EUV光刻 无掩模光刻 纳米压印光刻 特征尺寸
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高精度压印机热误差补偿中温度变量的辨识 被引量:5
7
作者 严乐 刘红忠 +1 位作者 卢秉恒 丁玉成 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期827-830,840,共5页
为了提高压印机在压印光刻工艺中的套刻对准精度,提出了采用因子分析方法来选取压印机热误差模型中的温度变量,根据变量之间的相关性分组后,再根据各变量与热误差之间的相关性在每一组中选取一个代表变量,最终将压印机上布置的温度传感... 为了提高压印机在压印光刻工艺中的套刻对准精度,提出了采用因子分析方法来选取压印机热误差模型中的温度变量,根据变量之间的相关性分组后,再根据各变量与热误差之间的相关性在每一组中选取一个代表变量,最终将压印机上布置的温度传感器从15个减少到3个.在压印机温度测量关键点处建立了温度与模具在x、z方向热误差关系的数学模型,模型的热误差预测精度达到了98%以上.实验结果表明,该方法不仅保证了模型的精度,而且大大地减少了模型的计算时间,是一种在压印机热误差建模中选择温度测量关键点的有效方法.它不仅避免了热误差建模过程中的变量耦合问题,而且提高了模型的精确性,经过补偿,压印机的热误差在x、z方向都减小到200 nm以内. 展开更多
关键词 压印光刻 压印机 套刻对准精度 因子分析 热误差补偿
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压印光刻工艺中光刻胶填充流变模拟与试验研究 被引量:7
8
作者 王权岱 段玉岗 +2 位作者 卢秉恒 李涤尘 向家伟 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期165-171,共7页
压印光刻工艺中,为了实现高质量的压印复型,必须能够理解和预测压印载荷作用下光刻胶的流变填充行为。根据实际采用的光刻胶的特性,建立了基于粘性流体的光刻胶流变填充有限元模型,采用体积率法对光刻胶流场的运动边界进行追踪,研究模... 压印光刻工艺中,为了实现高质量的压印复型,必须能够理解和预测压印载荷作用下光刻胶的流变填充行为。根据实际采用的光刻胶的特性,建立了基于粘性流体的光刻胶流变填充有限元模型,采用体积率法对光刻胶流场的运动边界进行追踪,研究模板特征几何尺寸、胶层厚度及及尺度效应对压印填充过程的影响及其作用机理。结果表明,光刻胶流变填充以单峰或双峰两种模式进行,模式的转变点可由特征凹槽宽度和初始胶厚度的比值来预测,并受表界面效应的影响;最有利于填充的特征深宽比约为0.8;最佳初始胶层厚度约为特征深度的2倍。进行了相应的压印试验,试验结果与模拟计算的结论吻合,说明仿真结果可信,可以作为压印光刻工艺中模板图形几何特征、胶厚以及模板表面处理的工艺设计依据。 展开更多
关键词 压印光刻 流变分析 体积率法 数值模拟
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步进闪光压印光刻模具制作工艺研究 被引量:5
9
作者 李寒松 丁玉成 卢秉恒 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期337-340,共4页
由于硅橡胶具有良好的自适应性和优异的脱模性,所以选取硅橡胶作为模具材料,并确定使用硅橡胶加石英硬衬作为压印光刻工艺的模具.分析了硅橡胶模具制作工艺中真空辅助浇铸的成型过程,以及交联固化反应过程的各个工艺参数对硅橡胶模具性... 由于硅橡胶具有良好的自适应性和优异的脱模性,所以选取硅橡胶作为模具材料,并确定使用硅橡胶加石英硬衬作为压印光刻工艺的模具.分析了硅橡胶模具制作工艺中真空辅助浇铸的成型过程,以及交联固化反应过程的各个工艺参数对硅橡胶模具性能的影响,通过大量实验,具体分析了硅橡胶单体和固化剂配比、浇铸真空压力、固化温度及固化时间等工艺参数,并由此得到了优化的硅橡胶固化工艺参数,提高了硅橡胶模具的物理性能.实验表明,硅橡胶模具具有良好的自清洁功能,其表面图形完好,图形转移效果优异,完全能够满足300 nm特征尺寸图形复型转移压印的要求. 展开更多
关键词 压印光刻 硅橡胶 模具
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冷压印光刻中高分辨率抗蚀剂的研究 被引量:4
10
作者 李寒松 丁玉成 +2 位作者 王素琴 卢秉恒 刘红忠 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期750-753,共4页
在集成电路的冷压印光刻中,为了获得高分辨率抗蚀剂,着重对溶剂挥发固化型、化学交联固化型和紫外光照交联固化型材料,从复形分辨率、涂铺均匀性、脱模性、流动性、物理粘度、刻蚀比率、固化速度、固化方式和固化收缩率等方面进行了分... 在集成电路的冷压印光刻中,为了获得高分辨率抗蚀剂,着重对溶剂挥发固化型、化学交联固化型和紫外光照交联固化型材料,从复形分辨率、涂铺均匀性、脱模性、流动性、物理粘度、刻蚀比率、固化速度、固化方式和固化收缩率等方面进行了分析和研究.经过对比,得出低粘度光固化树脂具有薄膜厚度容易控制且均匀(误差为0 3%)、固化速度快(小于0 2min)和固化收缩率小(3%)等特性,其对冷压印光刻工艺的匹配性明显优于溶剂挥发固化型和化学交联固化型材料.因此,最终决定采用低粘度光固化树脂作为冷压印光刻工艺中的抗蚀剂. 展开更多
关键词 集成电路 抗蚀剂 冷压印光刻
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冷压印光刻工艺精密定位工作台的研制 被引量:5
11
作者 严乐 卢秉恒 +2 位作者 丁玉成 刘红忠 李寒松 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期75-78,共4页
冷压印光刻工艺是一种将模板图形翻制到硅片上的技术。为了获得高分辨率压印图形 ,为压印光刻机设计了一个精密定位工作台。精密定位工作台是压印光刻机的关键部件 ,它既能够保证模板 -抗蚀剂 -硅片结构间的接触均匀一致 ,并实现模板与... 冷压印光刻工艺是一种将模板图形翻制到硅片上的技术。为了获得高分辨率压印图形 ,为压印光刻机设计了一个精密定位工作台。精密定位工作台是压印光刻机的关键部件 ,它既能够保证模板 -抗蚀剂 -硅片结构间的接触均匀一致 ,并实现模板与承片台间的三个运动自由度 ,即沿 z轴的直线运动和绕 x、y轴的旋转运动 (α和β) ,又可以实现步进对准所需要的沿x、y轴的直线运动和绕 z轴的旋转运动 ( θ)。设计中采用了柔性机械结构 ,消除了使用铰链连接所引起的间隙与摩擦等问题。压印实验结果显示定位系统在 2 0 0 mm的行程中 ,精密定位工作台定位精度达到 8nm以内。实现了压印光刻工艺在集成电路制造中的高精度定位要求。 展开更多
关键词 压印光刻 精密定位工作台 柔性结构 精度
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压印光刻对准中阻蚀胶层的设计及优化 被引量:2
12
作者 邵金友 丁玉成 +2 位作者 卢秉恒 王莉 刘红忠 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1045-1048,1116,共5页
针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题,利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理,提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法.该方法采用下压力约束薄膜,使阻蚀胶在... 针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题,利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理,提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法.该方法采用下压力约束薄膜,使阻蚀胶在标记区的栅格间重新分布,从而削弱了覆盖膜的不对称性,获得了相应的薄膜厚度.采用旋涂厚度为1.1μm的覆盖膜对压印预处理工艺方法进行了试验,发现下压力大于0.48 MPa时,薄膜结构具有较好的对称性,下压力为1.12 MPa时,对准信号的对比度达到最大.试验结果表明,压印预处理对于压印光刻系统具有较好的工艺适应性,利用该方法优化标记区的阻蚀胶层不仅能够有效削弱覆盖膜不对称和压印曝光的影响,而且对准精度可满足100 nm压印光刻的要求. 展开更多
关键词 压印光刻 对准 阻蚀胶 优化
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软刻蚀技术及其应用 被引量:6
13
作者 陈长琦 王艳 +1 位作者 王旭迪 汪力 《真空》 CAS 北大核心 2003年第6期11-14,共4页
软刻蚀是通过表面带图案的弹性模板来实现图案的转移的图形复制技术,作为非光刻微米和纳米量级微加工方法,加工的分辨率可以达到5nm100μm,它克服了传统光刻技术的缺陷,为形成和制作平面和曲面上的微米和纳米图案提供了简便、有效的低... 软刻蚀是通过表面带图案的弹性模板来实现图案的转移的图形复制技术,作为非光刻微米和纳米量级微加工方法,加工的分辨率可以达到5nm100μm,它克服了传统光刻技术的缺陷,为形成和制作平面和曲面上的微米和纳米图案提供了简便、有效的低成本途径。本文将主要介绍微接触印刷、近场光刻蚀、纳米压印等软刻蚀方法的原理、方法以及面临的问题,并简介了它们在微米和纳米加工、微电子学、材料科学、光学、微电子机械系统、表面化学等方面应用。 展开更多
关键词 软刻蚀 图形复制技术 微接触印刷 近场光刻蚀 纳米压印
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基于差动莫尔信号的超高精度对正系统 被引量:4
14
作者 王莉 卢秉恒 +1 位作者 丁玉成 刘红忠 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期75-78,共4页
为实现压印光刻中套刻对正超高精度的要求,采用基于斜纹结构光栅差动莫尔信号对正技术。利用光电接收器件阵列组合接收光栅产生的莫尔条纹信号,得到x,y方向的对正偏差信号。通过对基本莫尔信号和差动莫尔信号的分析对比,证明了差动莫尔... 为实现压印光刻中套刻对正超高精度的要求,采用基于斜纹结构光栅差动莫尔信号对正技术。利用光电接收器件阵列组合接收光栅产生的莫尔条纹信号,得到x,y方向的对正偏差信号。通过对基本莫尔信号和差动莫尔信号的分析对比,证明了差动莫尔信号具有更好的灵敏度,并在差动模式的基础上采用Chebyshev数字滤波器进行去噪,最终实现±20nm重复对正精度,达到100nm压印光刻的对正精度的要求。 展开更多
关键词 压印光刻 结构光栅 差动莫尔信号 超高精度对正
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超材料的应用及制备技术研究进展 被引量:14
15
作者 杜云峰 姜交来 廖俊生 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期115-121,共7页
超材料是一类具有特殊性质、自然界中并不存在的人造材料。综述了单负超材料和左手超材料构型的研究进展和超材料在超分辨成像、电磁隐身和电磁吸波体等方面的应用。同时也对国内外主要超材料制备技术进行了分类和概述,包括电子束光刻... 超材料是一类具有特殊性质、自然界中并不存在的人造材料。综述了单负超材料和左手超材料构型的研究进展和超材料在超分辨成像、电磁隐身和电磁吸波体等方面的应用。同时也对国内外主要超材料制备技术进行了分类和概述,包括电子束光刻、纳米压印技术和聚焦离子束技术等。最后对超材料的发展方向和应用方向进行了展望。 展开更多
关键词 超材料 构型 电磁吸波体 纳米压印技术
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纳米压印光刻中的多步定位研究 被引量:3
16
作者 刘红忠 丁玉成 +2 位作者 卢秉恒 王莉 邱志惠 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期261-264,269,共5页
在步进重复式压印光刻中,为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变,建立了单调、无振荡、多步逼近目标位置的宏微两级驱动系统,并提出了径向基函数-比例、积分、微分(RBF-PID)及单调位置控制算法... 在步进重复式压印光刻中,为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变,建立了单调、无振荡、多步逼近目标位置的宏微两级驱动系统,并提出了径向基函数-比例、积分、微分(RBF-PID)及单调位置控制算法.控制结果证明,使用具有强鲁棒性的RBF-PID非线性控制模式,使得驱动过程呈现无超调、无振荡的单调过程,因此避免了由于系统微观振荡调节而引入的间隙误差和材料表面形变误差.此控制方式可使步进重复式压印系统的定位精度在满足100 mm行程驱动的前提下,达到小于10 nm的定位技术指标. 展开更多
关键词 纳米压印光刻 多步定位 非线性控制
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纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术 被引量:7
17
作者 梁迎新 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期2-7,共6页
纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主... 纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主要指热压雕版压印法)的各步工序———压模制备、压印过程和图形转移,以及用于压印的设备、纳米图案所达到的精确度等,还简述了纳米压印术的另一方法———步进-闪光压印法。最后,通过范例介绍了纳米压印术在制作电子器件、CD存储器和磁存储器、光电器件和光学器件、生物芯片和微流体器件等方面的应用。 展开更多
关键词 纳米器件 纳米压印术 制造工艺 纳米图案 软刻印术 热压雕版压印法 步进-闪光压印法
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释放保型软压印光刻工艺 被引量:4
18
作者 刘红忠 丁玉成 +4 位作者 卢秉恒 尹磊 蒋维涛 史永胜 邵金友 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期86-90,共5页
针对压印过程中模具与晶圆密贴度和压印面积的矛盾,提出释放保型软压印光刻工艺。此工艺包括五步加载过程,可充分挖掘压印图型转印误差根源以及图型转印保真度与阻蚀胶留膜厚度的内在矛盾。通过目标载荷量的调节与控制将模具弹性回弹调... 针对压印过程中模具与晶圆密贴度和压印面积的矛盾,提出释放保型软压印光刻工艺。此工艺包括五步加载过程,可充分挖掘压印图型转印误差根源以及图型转印保真度与阻蚀胶留膜厚度的内在矛盾。通过目标载荷量的调节与控制将模具弹性回弹调整到紫外光固化步骤前,消除压印过程的内在矛盾,实现压印面积由2 cm^2向8 cm^2的提升,同时保证阻蚀胶留膜厚度的要求。基于创新的释放保型软压印工艺,一套低成本及结构简单的压印光刻原型机被设计构建,一系列压印结果证明应用此工艺的压印光刻机具有同场压印不同面积、特征尺寸结构图型的多次复制能力。 展开更多
关键词 释放保型 弹性模具 软压印
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高保真度五步加载纳米压印光刻的研究 被引量:2
19
作者 严乐 刘红忠 +1 位作者 丁玉成 卢秉恒 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期933-936,共4页
从理论上建立了压印光刻工艺中留膜厚度与压印力的关系,为压印预设曲线的建立提供了理论依据.基于液态光敏抗蚀剂在紫外光照射下发生光固化反应这一特性,对固化过程进行了详细的分析,建立了抗蚀剂的固化深度与紫外光曝光量之间的关系.... 从理论上建立了压印光刻工艺中留膜厚度与压印力的关系,为压印预设曲线的建立提供了理论依据.基于液态光敏抗蚀剂在紫外光照射下发生光固化反应这一特性,对固化过程进行了详细的分析,建立了抗蚀剂的固化深度与紫外光曝光量之间的关系.在分析了现有压印工艺存在的问题后,提出了一个全新的压印工艺:高保真度固化压印,即包括特征转移-抗蚀剂减薄-脱模回弹力释放-保压光固化-脱模等压印过程.实验结果表明,高保真度固化压印过程与加载路线能实现复杂图形特征的复制,从而保证了压印图形的保真度,并可保证图形复制的一致性及适度留膜厚度,压印图形的分辨率可达100 nm. 展开更多
关键词 压印光刻 加载 抗蚀剂 高保真度
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基于SU-8的高质量平面微透镜阵列压印新方法 被引量:3
20
作者 范新磊 张斌珍 +1 位作者 李向红 张勇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第4期242-247,共6页
提出一种采用紫外光刻工艺及压印快速制造平面微透镜阵列的新技术。首先采用光刻工艺制作出平面圆柱形阵列,然后用热熔法将圆柱形阵列转化为微透镜阵列。以此微透镜阵列为母板,通过聚二甲基硅氧烷(PDMS)复制出和母板相反的模具,利用毛... 提出一种采用紫外光刻工艺及压印快速制造平面微透镜阵列的新技术。首先采用光刻工艺制作出平面圆柱形阵列,然后用热熔法将圆柱形阵列转化为微透镜阵列。以此微透镜阵列为母板,通过聚二甲基硅氧烷(PDMS)复制出和母板相反的模具,利用毛细效应,以SU-8为结构材料,通过特殊的压印方法得到平面微透镜阵列,可用于平面仿生复眼以及晶椎的最后制作。经过测试微透镜阵列的表面形貌和成像结果,可发现制备后的微透镜阵列聚光性能良好、光强均匀、无气泡和表面形貌均匀,解决了传统方法制作气泡多、表面形貌差的缺点。基于此方法加工的平面微透镜阵列对光学仿生复眼的进一步研究提供了有益参考。 展开更多
关键词 仿生复眼 压印 热熔 聚二甲基硅氧烷(PDMS) 微透镜阵列
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