四探针电阻率微区测量改进的Rymaszewski法厚度修正

为了解决四探针技术在微区测量中不能测试较厚样品的问题,提出了一种厚度修正方法.该方法基于镜像源理论,以样品的上下边界为镜面,反复镜像电流源得到无限系列镜像源.将这些镜像源所产生的电位对测试点的影响进行叠加,推导出利用改进的Rymaszewski方形四探针法进行电阻率测量时的厚度修正公式,又利用规范化拟合法得到了多项式.修正后的结果反映了样品的真实电阻率,实验结果验证了该修正公式的正确性,从而完善了改进的Rymaszewski方形四探针的微区测量方法,使该方法能够应用到实际的测量中,提高了其实用性.

斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术

介绍了一种应用斜置式方形探针测量单晶断面电阻率的测试方法 ,将Rymaszewski直线探针测试方法引入到方形探针测试 ,并对测试过程中产生的游移以及图像监控问题进行了讨论 .应用此测试方法得到了 75mm的全片电阻率分布的mapping图 ,测试结果表明该方法可以在测量区域明显减小的同时保证测量的精确性 。

一种改进的硅片薄层电阻及其均匀性表征方法

概述了微区电阻测试方法及其均匀性表征方法的应用 ,利用自主研制的斜置式方形四探针微区薄层电阻测试仪 ,对P型硅芯片进行了无图形Rymaszewski法测试 ,在 3寸芯片上测试了 5 98个 3 66μm× 3 66μm方形微区的薄层电阻 ,并用等值线图表示了其分布 ,得到了薄层电阻的不均匀度及平均值 ,这种微区薄层电阻表示方法适用于评价材料质量及改进制造工艺。

便携式炭素电阻率智能测试仪的设计

为了能在现场迅速而准确地测试石墨炭素电阻率,设计了一款便携式石墨炭素电阻率智能测试仪。该测试仪以LPC2138嵌入式微处理器为核心,采用改进型Rymaszewski电测法,大大提高了测试仪的数据处理能力和测量精度。该测试仪操作简便而高效,既可独立工作,又可通过RS232接口与上位机进行通信,具有较高的实用价值和发展前景。

一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法

介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪。该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足。制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多项式拟合了在该温度范围内电阻温度系数,并分析了方法可靠性。

基于单片机的四探针测试系统的研制

利用改进的Rymaszewski法自动消除探针纵向游移影响的优点,将它应用于斜置式方形探针测试法中;在斜置式方形四探针机械平台的基础上,完成了整个测试电路的硬件设计和软件编程,研制出一台具有输出高精度高稳定性恒流源的斜置式方形探针分析仪。该系统是基于单片机的智能化控制系统,实现了10μA^1mA、步长为10μA的高精度数字控制恒流源,具有较高精度的电压测量电路,并能和上位机PC进行RS-232串口通讯。