纳米硅氮薄膜晶化研究

在等离子体化学气相沉积系统中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ＿４）和氮气（Ｎ＿２）为反应气氛制备了纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮ＿ｘ：Ｈ）簿膜。本工作研究了Ｎ＿２／ＳｉＨ＿４比和衬底温度对ＳｉＮ薄膜的晶化和组分的影响。研究结果表明：随着Ｎ＿２／ＳｉＨ＿４比增加，薄膜中的Ｎ／Ｓｉ比增加，导致薄膜的晶态率下降直至非晶化；随着衬底温度下降，薄膜的晶态率下降直至非晶化。对ｎｃ－ＳｉＮ＿ｘ：Ｈ薄膜的生长机制和晶化机制进行了详细讨论。

纳米硅薄膜研究进展

纳米硅薄膜具有独特的结构和许多优异的光电性能，可望应用于新型光电器件、大规模集成电路等领域。本文从制备技术、沉积机理、结构和性能各方面对纳米硅薄膜的研究进展情况作了回顾和综述。