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β-Ga_2O_3 thin film grown on sapphire substrate by plasmaassisted molecular beam epitaxy 被引量:5
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作者 Jiaqi Wei Kumsong Kim +11 位作者 Fang Liu Ping Wang Xiantong Zheng Zhaoying Chen Ding Wang Ali Imran Xin Rong Xuelin Yang Fujun Xu Jing Yang Bo Shen Xinqiang Wang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2019年第1期71-75,共5页
Monoclinic gallium oxide(Ga_2O_3) has been grown on(0001) sapphire(Al_2O_3) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy(PA-MBE). The epitaxial relationship has been confirmed to be [010]( 2ˉ01) β-Ga_2O_3||[ ... Monoclinic gallium oxide(Ga_2O_3) has been grown on(0001) sapphire(Al_2O_3) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy(PA-MBE). The epitaxial relationship has been confirmed to be [010]( 2ˉ01) β-Ga_2O_3||[ 011ˉ0](0001)Al_2O_3 via in-situ reflection high energy electron diffraction(RHEED) monitoring and ex-situ X-ray diffraction(XRD) measurement. Crystalline quality is improved and surface becomes flatter with increasing growth temperature, with a best full width at half maximum(FWHM) of XRD ω-rocking curve of( 2ˉ01) plane and root mean square(RMS) roughness of 0.68° and 2.04 nm for the sample grown at 730 °C,respectively. Room temperature cathodoluminescence measurement shows an emission at ~417 nm, which is most likely originated from recombination of donor–acceptor pair(DAP). 展开更多
关键词 β-Ga2O3 sapphire SUBSTRATE PA-MBE CRYSTALLINE quality CL measurement
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Growth of β-Ga_2O_3 Films on Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy 被引量:3
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作者 Ze-Ning XIONG Xiang-Qian XIU +7 位作者 Yue-Wen LI Xue-Mei HUA Zi-Li XIE Peng CHEN Bin LIU Ping HAN Rong ZHANG You-Dou ZHENG 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第5期141-143,共3页
Two-inch Ga_2O_3 films with(ˉ201)-orientation are grown on c-sapphire at 850–1050°C by hydride vapor phase epitaxy. High-resolution x-ray diffraction shows that pure β-Ga_2O_3 with a smooth surface has a hig... Two-inch Ga_2O_3 films with(ˉ201)-orientation are grown on c-sapphire at 850–1050°C by hydride vapor phase epitaxy. High-resolution x-ray diffraction shows that pure β-Ga_2O_3 with a smooth surface has a higher crystal quality, and the Raman spectra reveal a very small residual strain in β-Ga_2O_3 grown by hydride vapor phase epitaxy compared with bulk single crystal. The optical transmittance is higher than 80% in the visible and near-UV regions, and the optical bandgap energy is calculated to be 4.9 e V. 展开更多
关键词 Growth of Ga2O3 Films on sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy XRD
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Epitaxial CeO_2 Thin Films on (1102) Sapphire Substrate
3
作者 石东奇 杨秉川 +5 位作者 王水平 彭正顺 王晓华 郝建民 王良 温业礼 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1995年第2期81-84,共4页
Epitaxiai CeO_2 thin films have ben grown on in situ (1102) sapphire subetrate by planar target rf mag-netron sputtering methed. The CeO_2 thin films have perfect (002) orientation with CeO_2(001)∥Al_2O_3(1102). The ... Epitaxiai CeO_2 thin films have ben grown on in situ (1102) sapphire subetrate by planar target rf mag-netron sputtering methed. The CeO_2 thin films have perfect (002) orientation with CeO_2(001)∥Al_2O_3(1102). The X-ray 2θ-θ diffraction, ω scan, Φ scan and electron channelling pattern (ECP) shown that thefilms liave high lattice perfection. The relation of growth conditions and film structure was also studied. Thespudering gas presure and subetrate temperature are the most important parameters preparing fer high qualitybeO_2 films. 展开更多
关键词 e: CeO_2 film sapphire substrate rf magnetron sputtering
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Teledyne e2v发布新版本的Sapphire 2百万像素COMS图像传感器
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《世界电子元器件》 2017年第7期12-12,共1页
近日Teledyne e2v发布新版本的Sapphire 2百万像素COMS图像传感器,Sapphire系列已经增加到包括2百万像素的产品,这是一种基于用微透镜阵列制作,可以设计接收角度接近于0度的主光角(CRA)。该特性显著提升了整个阵列区域的响应一致性,非... 近日Teledyne e2v发布新版本的Sapphire 2百万像素COMS图像传感器,Sapphire系列已经增加到包括2百万像素的产品,这是一种基于用微透镜阵列制作,可以设计接收角度接近于0度的主光角(CRA)。该特性显著提升了整个阵列区域的响应一致性,非常适合于例如显微镜等应用。新的传感器可以与现有标准的Sapphire 2百万像素EV76C570保持相同的电子和光学接口, 展开更多
关键词 图像传感器 COMS 像素 像元 sapphire 2 版本
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MCFC隔膜用γ-LiAlO_2 粗细匹配料制备研究 被引量:5
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作者 林化新 衣宝廉 +3 位作者 孔连英 张恩浚 周利 王凤霞 《电化学》 CAS CSCD 2000年第1期57-64,共8页
用高温反应法制得γ_LiAlO2 粗料 .另用氯化物法先制得α_LiAlO2 细料 ,此细料在 90 0℃焙烧几小时 ,它首先转化为中间过渡型 (无定型 ) ,进而再转化为γ_LiAlO2 超细料 .其粒度 <0 .18μm ,BET比表面积 >43m2 /g .用带铸法把以上... 用高温反应法制得γ_LiAlO2 粗料 .另用氯化物法先制得α_LiAlO2 细料 ,此细料在 90 0℃焙烧几小时 ,它首先转化为中间过渡型 (无定型 ) ,进而再转化为γ_LiAlO2 超细料 .其粒度 <0 .18μm ,BET比表面积 >43m2 /g .用带铸法把以上γ_LiAlO2 粗细匹配料制得MCFC隔膜 .用此膜组装的电池性能较高 ,在 2 0 0和 30 0mA/cm2 放电时 ,电池输出电压分别为 0 .85V和 0 .75V时 ,功率密度高达 2 5 0mW /cm2 等 .用匹配料制得膜性能明显优于用单一粗料制得的膜 .粗细料制备工艺过程和匹配是成功的 . 展开更多
关键词 氯化物法 γ-lialo2 隔膜 碳酸盐燃料电池
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γ-LiAlO_2超细粉SHS合成及反应机理的研究 被引量:5
6
作者 林伟 白新德 +2 位作者 凌云汉 马文军 任永岗 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期995-998,共4页
以硝酸锂和水合硝酸铝为氧化剂,使用柠檬酸和尿素作为燃料,根据推进燃料化学理论计算原料的配比,采用自蔓延高温合成法(SHS)快速合成出γ-LiAlO2的超细粉。研究了燃料种类及煅烧温度对合成产物相组成和粉末形貌的影响。根据吉布斯自由... 以硝酸锂和水合硝酸铝为氧化剂,使用柠檬酸和尿素作为燃料,根据推进燃料化学理论计算原料的配比,采用自蔓延高温合成法(SHS)快速合成出γ-LiAlO2的超细粉。研究了燃料种类及煅烧温度对合成产物相组成和粉末形貌的影响。根据吉布斯自由能最小原理以及化合价配比平衡法则,发现当燃料中尿素与柠檬酸的配比为9∶1时燃烧反应之所以能够快速持续地进行,究其基本原因在于燃料与相应的氧化剂之间形成了过渡型的络合物,进而降低了合成反应的活化能,使燃烧反应得以持续进行。 展开更多
关键词 γ-lialo2 自蔓延高温合成 超细粉 反应机理 SHS 硝酸锂 水合硝酸铝 柠檬酸 尿素
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γ-LiAlO_2:Tb^(3+)绿色荧光粉制备及其发光性能 被引量:5
7
作者 杨定明 王擎龙 +3 位作者 吉红新 谢礼梅 胡文远 吴月浩 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期173-176,共4页
采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了γ-LiAlO2:Tb3+绿色荧光粉,研究了材料的激发和发射光谱。γ-LiAlO2:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于489、542、584和620 nm,分别对应于Tb3+的5D4→7FJ,J=6,5,4,3跃迁发射,主峰位于542 nm。监测542 nm发射峰... 采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了γ-LiAlO2:Tb3+绿色荧光粉,研究了材料的激发和发射光谱。γ-LiAlO2:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于489、542、584和620 nm,分别对应于Tb3+的5D4→7FJ,J=6,5,4,3跃迁发射,主峰位于542 nm。监测542 nm发射峰,荧光体的最大激发峰位于238 nm,属于宽带激发。研究了Tb3+掺杂浓度及电荷补偿剂Li+对γ-LiAlO2:Tb3+材料发射强度的影响。结果表明:调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂(Li+)均可以在很大程度上提高材料的发射强度。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 绿色荧光粉 γ-lialo2:Tb3+ 电荷补偿
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α-LiAlO_2的固相合成及Raman光谱研究 被引量:5
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作者 宫杰 刘伟 +3 位作者 李吉学 王春忠 宗占国 陈岗 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期102-104,共3页
用固相反应法制得α-Li Al O2 样品 ,并首次得到该材料的 Raman光谱 . Raman光谱表明 ,在 65 4 cm- 1和 4 2 6cm- 1 处存在两个较强的 Raman光谱峰 ,分别对应于 A1 g和 Eg 振动模式 .与 α-Li Co O2 比较可知 ,α-Li Al O2 的层间结合... 用固相反应法制得α-Li Al O2 样品 ,并首次得到该材料的 Raman光谱 . Raman光谱表明 ,在 65 4 cm- 1和 4 2 6cm- 1 处存在两个较强的 Raman光谱峰 ,分别对应于 A1 g和 Eg 振动模式 .与 α-Li Co O2 比较可知 ,α-Li Al O2 的层间结合力相对于α-Li Co O2 更弱 。 展开更多
关键词 α-lialo2 RAMAN光谱 振动模式 铝酸锂 固相合成 锂离子二次电池 正极材料
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γ-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究 被引量:3
9
作者 杨卫桥 干福熹 +3 位作者 邓佩珍 徐军 李杼智 蒋成勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期565-568,共4页
γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的... γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异。 展开更多
关键词 位错 同步辐射X射线形貌术 GaN衬底 γ-lialo2晶体 生长缺陷 研究
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α-LiAlO_2包覆Li[Li_(0.2)Mn_(0.54)Co_(0.13)Ni_(0.13)]O_2的性能 被引量:3
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作者 陈宇 庞国耀 李建玲 《电池》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期242-244,共3页
用共沉淀法制备了固溶体正极材料Li[Li0.2Mn0.54Co0.13Ni0.13]O2,并用偏铝酸锂(α-LiAlO2)进行包覆改性。XRD和场发射扫描电子显微镜(FEsEM)测试表明:包覆前后的材料均属于α-NaFeO2六方层状结构,R3m空间群;包覆后的样品颗... 用共沉淀法制备了固溶体正极材料Li[Li0.2Mn0.54Co0.13Ni0.13]O2,并用偏铝酸锂(α-LiAlO2)进行包覆改性。XRD和场发射扫描电子显微镜(FEsEM)测试表明:包覆前后的材料均属于α-NaFeO2六方层状结构,R3m空间群;包覆后的样品颗粒表面形成了一层不均匀絮状包覆物α-LiAlO2。包覆量为3%的样品性能较好:以低电流(0.05c)在2.0~4.8v循环,首次放电比容量达273.0mAh/g;当电流提高到1.00C时,放电比容量为173.2mAh/g。倍率性能的提高,得益于包覆样品具有的较低的界面电阻与反应电阻,电化学阻抗谱(EIS)测试结果证明了这一点。 展开更多
关键词 正极材料 包覆 性能 偏铝酸锂(α-lialo2)
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γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究 被引量:1
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作者 彭观良 庄漪 +6 位作者 邹军 王银珍 刘世良 周国清 周圣明 徐军 干福熹 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期399-402,共4页
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γLiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3的γLiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1 xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶... 由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γLiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3的γLiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1 xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征。结果表明LiAl1 xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γLiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1。 展开更多
关键词 晶体生长 提拉法 γ-lialo2 LiAl1-x GaxO2 掺质
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用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO_2薄膜 被引量:1
12
作者 李抒智 徐军 +2 位作者 杨卫桥 邹军 周圣明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期169-174,共6页
利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度[100]取向的,γ-LiAlO2薄膜. X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2所组成.此薄膜经850-900℃/120h空气中退火处理后显示出高度的[100]取向.这一实验结果意味着... 利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度[100]取向的,γ-LiAlO2薄膜. X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2所组成.此薄膜经850-900℃/120h空气中退火处理后显示出高度的[100]取向.这一实验结果意味着有望通过VTE方法制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2(100)-Al2O3(0001)复合衬底. 展开更多
关键词 GAN 气相传输平衡技术(VTE) γ-lialo2 蓝宝石
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低温燃烧法合成γ-LiAlO_2:Eu^(3+)红色荧光粉及其发光性能 被引量:1
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作者 张欢 童云 +1 位作者 杨定明 陈菊 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期64-66,共3页
低温燃烧法合成了γ-LiAlO2:Eu3+红色荧光粉,采用XRD、SEM、PL对样品进行了结构、形貌及发光性能表征。结果表明样品为四方晶系结构,在395nm的紫外光激发下,样品发射峰位于578、588、613、651和700nm,对应Eu3+离子的5 D0→7FJ=0,1,2,3,... 低温燃烧法合成了γ-LiAlO2:Eu3+红色荧光粉,采用XRD、SEM、PL对样品进行了结构、形貌及发光性能表征。结果表明样品为四方晶系结构,在395nm的紫外光激发下,样品发射峰位于578、588、613、651和700nm,对应Eu3+离子的5 D0→7FJ=0,1,2,3,4的能级跃迁,主峰位于613nm处。其发光强度与Eu3+和H3BO3的掺量密切相关。 展开更多
关键词 低温燃烧法 γ-lialo2:Eu3+ 红色荧光粉
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α-LiAlO_2的制备、相演变过程及结构研究 被引量:5
14
作者 宫杰 丁桂英 +2 位作者 兰岚 王雅新 范厚刚 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2003年第1期61-63,共3页
利用溶胶-凝胶法制备样品,通过对烧结条件的研究,在一定烧结温度范围内合成出α-LiAlO2.对α-LiAlO2的结构稳定性及相演变过程进行了研究.利用X射线衍射和Raman光谱等手段对α-LiAlO2进行结构测试,首次发现了α-LiAlO2的Raman特征谱,并... 利用溶胶-凝胶法制备样品,通过对烧结条件的研究,在一定烧结温度范围内合成出α-LiAlO2.对α-LiAlO2的结构稳定性及相演变过程进行了研究.利用X射线衍射和Raman光谱等手段对α-LiAlO2进行结构测试,首次发现了α-LiAlO2的Raman特征谱,并对其进行标定. 展开更多
关键词 α-lialo2 溶胶-凝胶法 相演变过程 晶体结构 结构稳定性 锂离子二次电池 正极材料
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凝胶固相法合成MCFC隔膜材料α-LiAlO_2及其特性分析 被引量:1
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作者 程健 郭烈锦 +2 位作者 许世森 王鹏杰 张瑞云 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第S1期148-152,共5页
熔融碳酸盐燃料电池技术已经进入了商业化的前期,成本问题是制约其商业化的因素之一。文中采用凝胶固相法制备的α-LiAlO2粉末材料粒径及纯度与"氯化物法"基本相当,但是制备过程大大简化,制备成本大大降低,并对其固相反应过... 熔融碳酸盐燃料电池技术已经进入了商业化的前期,成本问题是制约其商业化的因素之一。文中采用凝胶固相法制备的α-LiAlO2粉末材料粒径及纯度与"氯化物法"基本相当,但是制备过程大大简化,制备成本大大降低,并对其固相反应过程进行了分析,指出其反应机制为"吸入机制"。所以,采用凝胶固相法制备α-LiAlO2粉末材料是一种简单,环保,低成本的制备方法。 展开更多
关键词 熔融碳酸盐燃料电池 α-lialo2材料 合成方法 凝胶固相法
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c面白宝石衬底表面形貌对气相传输平衡法制备的γ-LiAlO_2层质量的影响(英文)
16
作者 彭观良 李抒智 +7 位作者 庄漪 邹军 王银珍 刘世良 周国清 周圣明 徐军 干福熹 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期833-837,共5页
采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相-γL iA lO2层。研究了白宝石衬底表面形貌对-γL iA lO2层质量的影响,发现白宝石衬底的表面粗糙度和退火处理是两个影响-γL iA lO2层质量的重要因素。要制备高... 采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相-γL iA lO2层。研究了白宝石衬底表面形貌对-γL iA lO2层质量的影响,发现白宝石衬底的表面粗糙度和退火处理是两个影响-γL iA lO2层质量的重要因素。要制备高质量的-γL iA lO2层,适度的表面粗糙度是恰当的。对白宝石衬底进行退火处理,-γL iA lO2层的择优取向变差。并对其中可能的机理进行了探讨。 展开更多
关键词 白宝石 γ-lialo2 气相传输平衡 GAN 衬底
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提拉法生长大尺寸γ-LiAlO_2单晶的研究(英文)
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作者 彭观良 邹军 +5 位作者 庄漪 张涟翰 周国清 周圣明 徐军 干福熹 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期278-282,223,共6页
由于与GaN晶格失配小(约1. 4% ),γLiAlO2 单晶有望成为一种很有希望的GaN外延衬底材料。本文使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3 的γLiAlO2 单晶。对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅... 由于与GaN晶格失配小(约1. 4% ),γLiAlO2 单晶有望成为一种很有希望的GaN外延衬底材料。本文使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3 的γLiAlO2 单晶。对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8 )。γLiAlO2 晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解。当在空气中于1100℃退火70h,γLiAlO2 晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8 )。值得注意的是,在γLiAlO2 晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带。 展开更多
关键词 提拉法 晶体 生长工艺 γ-lialo2 缺锂相 化学稳定性
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溶胶-凝胶燃烧合成法制备γ-LiAlO_2
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作者 杨细平 邱祖民 +1 位作者 刘艳凤 邱俊明 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2008年第3期213-215,共3页
研究了以硝酸锂、硝酸铝和尿素为原料,用溶胶-凝胶燃烧合成法制备γ-LiAlO_2粉体的工艺。采用热重分析(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM)对反应前驱体、反应过程、燃烧产物进行了表征测试。分析了原料配比、溶胶... 研究了以硝酸锂、硝酸铝和尿素为原料,用溶胶-凝胶燃烧合成法制备γ-LiAlO_2粉体的工艺。采用热重分析(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM)对反应前驱体、反应过程、燃烧产物进行了表征测试。分析了原料配比、溶胶前驱体pH值对反应产物特性的影响,并初步探讨了反应的历程。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 燃烧合成 γ-lialo2 配比 PH值
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VTE法制备γ-LiAlO_2/α-Al_2O_3复合衬底以及腐蚀和退火对其影响
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作者 刘世良 李抒智 +3 位作者 周圣明 王银珍 彭观良 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期250-254,共5页
通过气相传输平衡法(VTE)制备了γLiAlO2 /αAl2O3 复合衬底,使用5%的稀盐酸对其进行腐蚀并在900℃退火72h。利用X射线衍射、偏光显微镜及扫描电镜对复合衬底进行了分析,发现在白宝石a面(11 20)和γ面(1 102)均获得单相多晶的γLiAlO2,... 通过气相传输平衡法(VTE)制备了γLiAlO2 /αAl2O3 复合衬底,使用5%的稀盐酸对其进行腐蚀并在900℃退火72h。利用X射线衍射、偏光显微镜及扫描电镜对复合衬底进行了分析,发现在白宝石a面(11 20)和γ面(1 102)均获得单相多晶的γLiAlO2,且后者的择优取向好于前者。腐蚀可以提高样品的择优取向,在5%的稀盐酸中,时间控制在2min左右可获得较好的结果。退火后γLiAlO2 颗粒质量得到改善,白宝石a面上γLiAlO2 的质量优于r面上的γLiAlO,两者都出现颗粒长大现象。 展开更多
关键词 VTE法 γ-lialo2/α-Al2O3 腐蚀现象 制备方法 退火 气相传输平衡 GAN 氮化镓晶体 热导率
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Luminescence Characterization and Synthesis of γ-LiAlO_2:Eu^(3+) by Gel Combustion 被引量:2
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作者 吉红新 杨定明 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2011年第3期434-438,共5页
γ-LiAlO2:Eu3+(Eu3+:LAO) phosphor was obtained by gel combustion method using LiNO3,Al(NO3)3·9H2O,Eu(NO3)3·6H2O and citric acid as raw materials.The structure,morphology and luminescence were chara... γ-LiAlO2:Eu3+(Eu3+:LAO) phosphor was obtained by gel combustion method using LiNO3,Al(NO3)3·9H2O,Eu(NO3)3·6H2O and citric acid as raw materials.The structure,morphology and luminescence were characterized by means of X-ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM),photoluminescence (PL).The results demonstrated that the phosphor was pure-phase of flaky tetragonal crystal system with a mean size of around 1 μm.The strongest excitation peak was at 254 nm,belonging to the broadband excitation and the maximum emission peak was at 613 nm,corresponding to the 5D0→7F2 transition of Eu3+.Luminous intensity is closely related to the calcination temperature and doping concentration of Eu3+. 展开更多
关键词 red phosphor γ-lialo2 Eu3+ gel combustion method rare earths
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