标量电子形成的束缚态

在超对称模型下,研究了2个标量电子以及标量电子和电子之间的相互作用.其相互作用势是通过计算2个粒子之间交换1个光子得到的.利用得到的势解薛定谔方程,得到能级和相应的波函数,并讨论了所形成束缚态的可能性和稳定性.研究表明,这些束缚态和氢原子有类似的性质.这可以很好地解释迄今没有发现存在证据的超对称粒子的问题,并指出了发现超对称粒子的途径.

电子光学中四极场分布的半解析法计算

采用一种新的半解析法,对电子光学中3种不同形状电极产生的四极场进行分析计算。半解析法中极点的确定方法简单有效,可以结合电极的形状填充等效源,并且极点位置确定极为精确。在四极场的计算中,该方法具有表达式简单,求解变量少,而且计算精度和效率高的优点。对凸圆柱电极、内凹圆柱电极以及平板电极产生的四极场进行了求解,并将计算结果进行了比较,应用半解析法在计算凸圆柱电极产生的四极场具有更为明显的优势,精度可达0.001%。由于半解析法可得出标量电位函数的解析级数表达式,因此,场强的计算更加简便,同时也更容易保证场强的计算精度,这也有利于四极场的设计和优化。

标量电子能级束缚态的计算

在超对称模型下,研究了2个标量电子以及标量电子和电子之间的相互作用.其相互作用势是通过计算2个粒子之间交换1个光子得到的.在选取一定的波函数和变分参数之后,用变分法来计算所得到的势,得到能级和相应的波函数,并讨论所形成的束缚态的可能性和稳定性.

Cu_nZn(n=1～12)团簇结构和性质的第一性原理研究

采用PW91交换关联势和全电子相对论赝势,对Cu_nZn(n=1～12)团簇进行了密度泛函理论计算。结果表明,Cu_nZn(n=1,3,4,6～12)团簇的最低能量几何结构可以通过Zn原子替换在Cu_n+1团簇中一个Cu原子或者在Cu_n团簇添加一个Zn原子来产生。但是Cu_2Zn和Cu_5Zn的基态结构变化较大,Cu_2Zn为线性结构而Cu3为平面结构,Cu_5Zn为立体结构而Cu6为平面结构,其变化的主要原因来源于它的电子结构。在与相应的纯Cu团簇中的Cu-Cu键相比时,Cu_nZn团簇的Cu-Zn键较弱,且键长较长,并且Cu_nZn团簇中远离Zn原子的大部分Cu-Cu键比纯Cu团簇中Cu-Cu键强。在掺杂Zn原子后Cu_n团簇的二阶差分能产生了非常明显的奇偶转换现象。

稳恒场中场和势的研究

运用类比的方法得出稳恒电场和稳恒磁场的场和势在数学形式上的对应关系,并讨论静电场和稳恒电流场中几种典型的定解问题。

稳恒场中场和势的研究

运用类比方法 ,讨论了稳恒电场中场与势的关系和稳恒磁场中场与势的关系 ,得出了数学形式上的对应性。

电子束蒸发氧化锆薄膜的粗糙度和光散射特性

利用电子束蒸发工艺,以Ag层为衬底,沉积了中心波长为632·8nm的氧化锆(ZrO2)薄膜,膜层厚度在80—480nm范围内变化.研究了不同厚度样品的粗糙度变化规律和表面散射特性.结果发现,随着膜层厚度的逐渐增加,其表面均方根(RMS)粗糙度和总积分散射(TIS)均呈现出先减小后增大的趋势.利用非相关表面粗糙度的散射模型对样品的TIS特性进行了理论计算,所得结果与测量结果相一致.