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Heisenberg, uncertainty, and the scanning tunneling microscope 被引量:2
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作者 Werner A. Hofer (1) 《Frontiers of physics》 SCIE CSCD 2012年第2期218-222,共5页
We show by a statistical analysis of high-resolution scanning tunneling microscopy (STM) exper- iments, that the interpretation of the density of electron charge as a statistical quantity leads to a conflict with th... We show by a statistical analysis of high-resolution scanning tunneling microscopy (STM) exper- iments, that the interpretation of the density of electron charge as a statistical quantity leads to a conflict with the Heisenberg uncertainty principle. Given the precision in these experiments we find that the uncertainty principle would be violated by close to two orders of magnitude, if this interpretation were correct. We are thus forced to conclude that the density of electron charge is a physically real, i.e., in principle precisely measurable quantity. 展开更多
关键词 scanning tunneling microscope electron charge density functional theory uncertaintyrelations
原文传递
单晶硅表面STM成像理论模型与实验分析
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作者 张华丽 张飞虎 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第12期781-785,共5页
结合扫描隧道显微镜(STM)成像实验和第一性原理原子级模拟计算的方法已经成为材料界面表征的重要手段。超高真空条件下的STM可用于直接观察单原子等微观结构,但其成像原理还未被理解清楚。STM扫描测得的试件表面原子级图像并不直接反映... 结合扫描隧道显微镜(STM)成像实验和第一性原理原子级模拟计算的方法已经成为材料界面表征的重要手段。超高真空条件下的STM可用于直接观察单原子等微观结构,但其成像原理还未被理解清楚。STM扫描测得的试件表面原子级图像并不直接反映材料原子的形态,实际上是表面形貌和表面电子态局域密度的综合结果。为了解释STM成像,采用第一性原理Siesta方法,研究了Si(001)面STM成像过程的电子结构,对表面粒子的原子轨道和相应的电荷密度进行计算。讨论了等高模式下扫描高度对局域电子云密度分布的影响,并分析了STM针尖几何形状对模拟结果的影响。研究表明,材料表面原子的电子云密度分布可以用来解释STM成像精度和扫描高度对比的变化。 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜(STM) 密度泛函理论 第一性原理计算 电子密度 电子结构 单晶硅
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