弹性散射截面对计算电子束投影成像衬度的影响

我们采用蒙特卡洛方法模拟了100keV电子通过W Cr Si3N4掩膜的透射率。发现在此高能量下,电子弹性散射的Mott截面与经典的Rutherford截面仍有较大差异。由于这两种总截面和小角散射的微分截面不同,因此采用何种截面将直接影响限角散射电子束投影成像的模拟结果。本文通过比较电子透射的实验测量和模拟计算结果,确认了使用Mott截面的必要性。