偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究

利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2 掩膜图形的镜面抛光的Si( 1 0 0 )上的选择性织构生长 ,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件 ,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征 ,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨。