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WSe2纳米结构的合成及减摩性能研究 被引量:4
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作者 刘艳清 张静 +3 位作者 吴钰涵 李长生 阎永胜 杨景海 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期452-457,共6页
将W粉和Se粉按一定比例混合,直接密封在石英管中加热或高能球磨、压片,在Ar气氛中加热,得到了不同形貌的WSe2纳米结构.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM、HRTEM)分析了WSe2纳米结构的组成、微观形貌和组... 将W粉和Se粉按一定比例混合,直接密封在石英管中加热或高能球磨、压片,在Ar气氛中加热,得到了不同形貌的WSe2纳米结构.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM、HRTEM)分析了WSe2纳米结构的组成、微观形貌和组织形态;利用UMT-2摩擦试验机考察了WSe2作为HVI500液体基础油添加剂的摩擦磨损性能.研究结果表明:直接密封加热得到的产物为棒状WSe2纳米材料,最小棒直径为6 nm;球磨、压片后加热得到WSe2纳米颗粒,颗粒的平均尺寸在50 nm以下,二者都具有层状结构和良好的结晶性.添加质量分数5%的WSe2纳米材料作为基础油添加剂能够显著降低摩擦系数,减少磨损,增强了材料抗疲劳磨损能力. 展开更多
关键词 固相反应 wse2纳米结构 润滑油添加剂 摩擦 磨损
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WS2/WSe2异质结层间相互作用的光谱研究 被引量:3
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作者 黄佳欣 谢师禹 +3 位作者 程学瑞 李元元 胡传圣 戚泽明 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期452-457,共6页
原子级厚度的过渡金属硫化物二维材料具有独特的电子和光学性质,当将其构筑成原子层异质结时,由于层间耦合作用和界面电荷传递,导致产生新的光学性质,在光电器件方面具有重要的潜在应用.利用机械剥离法制备了WS 2/WSe 2异质结,通过变温... 原子级厚度的过渡金属硫化物二维材料具有独特的电子和光学性质,当将其构筑成原子层异质结时,由于层间耦合作用和界面电荷传递,导致产生新的光学性质,在光电器件方面具有重要的潜在应用.利用机械剥离法制备了WS 2/WSe 2异质结,通过变温拉曼光谱和变温光致发光光谱,研究了异质结中的层间相互作用和界面电荷传递.从拉曼光谱和光致发光光谱上观测到了层间声子和层间激子的存在,表明WS 2和WSe 2构成的异质结中存在明显的层间相互作用.由于WS 2和WSe 2形成II型能带排列,电子从WSe 2向WS 2转移,显著影响带电激子和中性激子发光强度. 展开更多
关键词 硫化钨 硒化钨 异质结 拉曼光谱 光致发光光谱 激子
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单层WSe2、MoSe2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变 被引量:1
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作者 付鑫鹏 周强 +2 位作者 秦莉 李芳菲 付喜宏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1647-1653,共7页
采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe_2和MoSe_2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究。其中单层WSe_2的中性和负电激子演化趋势在2. 43 GPa处出现拐点,单层MoSe_2中性激... 采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe_2和MoSe_2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究。其中单层WSe_2的中性和负电激子演化趋势在2. 43 GPa处出现拐点,单层MoSe_2中性激子发光在3. 7 GPa处发生了劈裂。结合第一性原理计算分析,确认该不连续现象的产生机制为压力诱导的导带底K-Λ交互转变。该结果可以扩大至整个二维层状材料体系,为发展激子器件垫定基础。 展开更多
关键词 单层wse2 单层MoSe2 金刚石对顶砧 激子
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单层与双层WSe2纳米片层的光致发光 被引量:1
4
作者 杜晓雷 吕燕伍 江潮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期513-518,共6页
采用气相沉积法制备了WSe2二维纳米材料,对其低温光致发光谱进行了研究。结果表明:随着WSe2层数的增加,其光致发光强度单调下降;当WSe2层数从单层增加为双层时,其发光强度急剧下降,表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙。进一步研... 采用气相沉积法制备了WSe2二维纳米材料,对其低温光致发光谱进行了研究。结果表明:随着WSe2层数的增加,其光致发光强度单调下降;当WSe2层数从单层增加为双层时,其发光强度急剧下降,表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙。进一步研究了双层WSe2的变温光致发光谱,发现随着温度的升高,双层WSe2发光峰中A峰峰位的变化基本符合半导体带隙的温度变化规律,而I峰峰位红移与温度基本成线性关系,表明双层WSe2同时存在间接和直接跃迁,且直接跃迁和间接跃迁特性不同。 展开更多
关键词 二维纳米片层结构 wse2 光致发光谱 光谱红移
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稀土元素Er掺杂提高WSe2纳米薄膜的光电特性 被引量:1
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作者 朱静怡 丁馨 +1 位作者 张晓渝 马锡英 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第12期992-997,1027,共7页
采用热蒸发法在Si片上沉积稀土元素Er掺杂的WSe2薄膜,研究了Er^3+掺杂对WSe2薄膜表面形貌、晶体结构﹑光致发光光谱、光吸收特性和电学特性的影响。研究发现薄膜在(004)晶面呈柱状择优生长,Er^3+掺杂不仅没有改变WSe2的晶体结构,还使薄... 采用热蒸发法在Si片上沉积稀土元素Er掺杂的WSe2薄膜,研究了Er^3+掺杂对WSe2薄膜表面形貌、晶体结构﹑光致发光光谱、光吸收特性和电学特性的影响。研究发现薄膜在(004)晶面呈柱状择优生长,Er^3+掺杂不仅没有改变WSe2的晶体结构,还使薄膜结晶性显著增强,提高了光吸收特性,明显增加了光致发光强度。同时发现Er^3+掺杂WSe2薄膜的电子迁移率为未掺杂的4倍多。当光照强度由0增加到25 mW/cm^2时,Er^3+掺杂的WSe2/Si异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线由整流特性逐步变成线性,相同偏压下光电流增加了约3倍,并且光电导灵敏度也明显增加。随着加热温度的升高,电导显著增大,电阻表现负温度系数。表明WSe2/Si异质结对温度和光强具有非常高的灵敏度,在高效率的温度传感器和光电探测器等方面有良好的应用前景。 展开更多
关键词 硒化钨(wse2) Er3+掺杂 纳米薄膜 热蒸发法 异质结 光电特性
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Room-temperature sputtered electrocatalyst WSe2 nanomaterials for hydrogen evolution reaction 被引量:4
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作者 Jae Hyeon Nam Myeong Je Jang +4 位作者 Hye Yeon Jang Woojin Park Xiaolei Wang Sung Mook Choi Byungjin Cho 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第8期107-111,I0004,共6页
The low-temperature physical vapor deposition process of atomically thin two-dimensional transition metal dichalcogenide(2D TMD) has been gaining attention owing to the cost-effective production of diverse electrochem... The low-temperature physical vapor deposition process of atomically thin two-dimensional transition metal dichalcogenide(2D TMD) has been gaining attention owing to the cost-effective production of diverse electrochemical catalysts for hydrogen evolution reaction(HER) applications. We, herein, propose a simple route toward the cost-effective physical vapor deposition process of 2D WSe2 layered nanofilms as HER electrochemical catalysts using RF magnetron sputtering at room temperature(<27℃). By controlling the variable sputtering parameters, such as RF power and deposition time, the loading amount and electrochemical surface area(ECSA) of WSe2 films deposited on carbon paper can be carefully determined. The surface of the sputtered WSe2 films are partially oxidized, which may cause spherical-shaped particles. Regardless of the loading amount of WSe2, Tafel slopes of WSe2 electrodes in the HER test are narrowly distributed to be ~120–138 mV dec-1, which indicates the excellent reproducibility of intrinsic catalytic activity. By considering the trade-off between the loading amount and ECSA, the best HER performance is clearly observed in the 200 W-15 min sample with an overpotential of 220 mV at a current density of 10 mA cm-2. Such a simple sputtering method at low temperature can be easily expanded to other 2D TMD electrochemical catalysts, promising potentially practical electrocatalysts. 展开更多
关键词 Two dimensional nanomaterials Sputtering wse2 nanofilm ELECTROCATALYST Hydrogen evolution reaction
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固相烧结合成WSe2纳米棒的微观形貌及摩擦学性能
7
作者 池雯 王欢 +1 位作者 施琴 李长生 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期56-60,共5页
将钨粉和硒粉按物质的量比为1∶2.2混合并球磨后,再在600~800℃进行固相烧结合成了纳米WSe2,对其微观形貌进行表征;然后将在600℃合成的WSe2纳米棒作为润滑油添加剂加入到HVI500基础油中,研究了它的摩擦学性能。结果表明:在700,800℃... 将钨粉和硒粉按物质的量比为1∶2.2混合并球磨后,再在600~800℃进行固相烧结合成了纳米WSe2,对其微观形貌进行表征;然后将在600℃合成的WSe2纳米棒作为润滑油添加剂加入到HVI500基础油中,研究了它的摩擦学性能。结果表明:在700,800℃合成的纳米WSe2为片状,在600℃合成的纳米WSe2为棒状,该纳米棒的直径约为500nm,长约为800nm;与HVI500基础油相比,2%WSe2纳米棒+HVI500基础油的摩擦因数约降低了40%,具有较好的减摩作用。 展开更多
关键词 wse2纳米棒 摩擦学性能 固相烧结反应
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Single photon-chiral phonon entanglement in monolayer WSe2 被引量:1
8
作者 Jun Zhang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2019年第7期14-15,共2页
Entanglement is a defining feature of quantum physics with no classical analog. On the one hand, it is a powerful concept used in the fundamental study of quantum systems, many-body physics and even black hole physics... Entanglement is a defining feature of quantum physics with no classical analog. On the one hand, it is a powerful concept used in the fundamental study of quantum systems, many-body physics and even black hole physics. On the other hand, it is a key resource in quantum communication and information processing. Entanglement has been realized between photons[1], ions[2], spins[3], quantum dots[4] and even larger objects such as macroscopic diamonds[5]. Entanglement involving macroscopic objects is particularly intriguing and holds promise for novel quantum technologies. In a recent paper[6] published in Nature Physics, Srivastava and coworkers have unveiled an intriguing entanglement between collective and macroscopic vibration involving billions of atoms of the crystal (phonon) and a single optical excitation of a quantum dot (QD) in monolayer WSe2 (Fig. 1(a)). This is the first report on single photon entangled with phonon. 展开更多
关键词 MONOLAYER wse2 PHONON ENTANGLEMENT
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Development of antimony sulfide–selenide Sb2(S,Se)3-based solar cells 被引量:11
9
作者 Xiaomin Wang Rongfeng Tang +2 位作者 Chunyan Wu Changfei Zhu Tao Chen 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第3期713-721,共9页
Antimony sulfide–selenide Sb2(S,Se)3,including Sb2S3and Sb2Se3,can be regarded as binary metal chalcogenides semiconductors since Sb2S3and Sb2Se3are isomorphous.They possess abundant elemental storage,nontoxicity,g... Antimony sulfide–selenide Sb2(S,Se)3,including Sb2S3and Sb2Se3,can be regarded as binary metal chalcogenides semiconductors since Sb2S3and Sb2Se3are isomorphous.They possess abundant elemental storage,nontoxicity,good stability with regard to moisture at elevated temperatures and suitable physical parameters for light absorption materials in solar cells.To date,quite a few attempts have been conducted in the materials synthesis,photovoltaic property investigation and device fabrication.Benefiting from previous investigation in thin film solar cells and new generation nanostructured solar cells,this class of materials has been applied in either sensitized-architecture or planar heterojunction solar cells.Decent power conversion efficiencies from 5%to 7.5%have been achieved.Apparently,further improvement on the efficiency is required for future practical applications.To give an overview of this research field,this paper displays some typical researches regarding the methodologies toward the antimony sulfide–selenide synthesis,development of interfacial materials and device fabrications,during which we highlight some critical findings that promote the efficiency enhancement.Finally,this paper proposes some outstanding issue regarding fundamental understanding of the materials,some viewpoints for the efficiency improvement and their future challenges in solar cell applications. 展开更多
关键词 Antimony sulfide–selenide Sb2S3 Sb2Se3 Solar cell Energy conversion
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尺寸效应对MoS2/WSe2范德华异质结构层间与俄歇复合的界面调控 被引量:1
10
作者 谭仕林 尹顺达 欧阳钢 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期682-688,共7页
为探索界面工程对二维材料范德华异质结构中载流子复合率的影响,本工作基于界面键弛豫理论和费米黄金定则,建立了范德华异质结俄歇和层间复合率与各结构组元尺寸之间的理论模型。结果表明,MoS2/WSe2异质结的俄歇复合寿命随着组元尺寸的... 为探索界面工程对二维材料范德华异质结构中载流子复合率的影响,本工作基于界面键弛豫理论和费米黄金定则,建立了范德华异质结俄歇和层间复合率与各结构组元尺寸之间的理论模型。结果表明,MoS2/WSe2异质结的俄歇复合寿命随着组元尺寸的增大而增加,且异质结的俄歇复合率远小于相应的单组元体系。在MoS2/WSe2双层异质结中引入薄h-BN插层后,体系的层间复合率和俄歇复合率随h-BN厚度的增加而分别呈现减小和增大的趋势;在组元处于单层MoS2和WSe2情况下,当界面插层h-BN厚度达到9.1 nm时,俄歇复合率将趋于5.3 ns^-1。该研究结果为二维过渡金属硫族化合物基异质结光电器件的优化设计提供了一种理论依据。 展开更多
关键词 MOS2 wse2 异质结 插层绝缘体 层间复合 俄歇复合
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A Facile One-pot Method for the Synthesis of Vinyl Ethers from 2-Hydroxyalkyl Phenyl Selenides
11
作者 Shou Ri SHENG Hai Rong LUO +1 位作者 Wu Kang SUN Xian HUANG 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2005年第11期1421-1423,共3页
A mild, one-pot procedure for the synthesis of vinyl ethers in good yields from 2-hydroxyalkyl phenyl selenides with primary or secondary organic halides has been developed.
关键词 ONE-POT vinyl ethers 2-hydroxyalkyl selenides phenyl SYNTHESIS
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Stereoslective Synthesis of (Z)-1, 2-Bis(arylseleno)-1-alkene by Addition of Cesium Arylselenolate to Alkynyl Selenide
12
作者 RuiLiangLU XinHuaXU WenQiLIU QiuLinZHANG XiongCHEN 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2005年第3期325-326,共2页
Alkynyl selenide reacted with cesium arylselenolate in commercial THF at r.t under N2 to afford (Z)-1, 2-bis(arylseleno)-1-alkene in high yields.
关键词 (Z)1- 2-Bis(arylseleno)-1-alkene alkynyl selenide cesium arylselenolate.
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First-principles analysis of phonon thermal transport properties of two-dimensional WS2/WSe2 heterostructures
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作者 Zheng Chang Kunpeng Yuan +4 位作者 Zhehao Sun Xiaoliang Zhang Yufei Gao Xiaojing Gong Dawei Tang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第3期25-35,共11页
The van der Waals(vdW)heterostructures of bilayer transition metal dichalcogenide obtained by vertically stacking have drawn increasing attention for their enormous potential applications in semiconductors and insulat... The van der Waals(vdW)heterostructures of bilayer transition metal dichalcogenide obtained by vertically stacking have drawn increasing attention for their enormous potential applications in semiconductors and insulators.Here,by using the first-principles calculations and the phonon Boltzmann transport equation(BTE),we studied the phonon transport properties of WS2/WSe2 bilayer heterostructures(WS2/WSe2-BHs).The lattice thermal conductivity of the ideal WS2/WSe2-BHs crystals at room temperature(RT)was 62.98 W/mK,which was clearly lower than the average lattice thermal conductivity of WS2 and WSe2 single layers.Another interesting finding is that the optical branches below 4.73 THz and acoustic branches have powerful coupling,mainly dominating the lattice thermal conductivity.Further,we also noticed that the phonon mean free path(MFP)of the WS2/WSe2-BHs(233 nm)was remarkably attenuated by the free-standing monolayer WS2(526 nm)and WSe2(1720 nm),leading to a small significant size effect of the WS2/WSe2-BHs.Our results systematically demonstrate the low optical and acoustic phonon modes-dominated phonon thermal transport in heterostructures and give a few important guidelines for the synthesis of van der Waals heterostructures with excellent phonon transport properties. 展开更多
关键词 WS2/wse2 bilayer heterostructures thermal transport FIRST-PRINCIPLES Boltzmann transport equation
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Study of Properties of Lead Selenide (PbSe) Thin Films Deposited on TiO2
14
《Journal of Energy and Power Engineering》 2013年第11期2100-2105,共6页
The study of nano properties of PbSe (lead selenide) thin films deposited on TiO2 semi conductor film prepared by sol gel method was a new work destined to perfect the nano materials used in photovoltaic energy. The... The study of nano properties of PbSe (lead selenide) thin films deposited on TiO2 semi conductor film prepared by sol gel method was a new work destined to perfect the nano materials used in photovoltaic energy. The growth of the first group of the fihns (Set 1: P(9)) & P(14)) was based on the decomposition of lead citrate and sodium selenosulphite in the presence of sodium citrate and sodium hydroxide with ammonia and triethalamine (TEA) acting as the complexing agents and P.H stabilizers; while in the second group (Set 2: Pc15~), the reaction bath was made up of solutions of lead nitrate Pb(NO3)2, PVA (polyvinyl alcohol), H20 (distilled water), NH3 (ammonia), sodium selenosulphite (Na2SeSO3) and Triethalamine [N(CH2CH2OH)], which was used as the complexing agent. The deposited materials were identified by X-ray diffraction. In addition, nano optical and morphological investigations were also performed. The sample P9 has the lowest absorbance of about 0.3 nm in the ultra-violet region. It was found that there was a reduction in the optical absorbance as the wavelength increases. The optical band gap shows a range of 1.26-2.00 eV with sample PcIs~ having the lowest direct band gap. 展开更多
关键词 Annealing temperature chemical bath technique lead selenide thin films TiO2 semi conductor transmittance nanoproperties.
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液态前驱体化学气相沉积法生长单层二硒化钨
15
作者 安博星 王雅洁 +1 位作者 肖永厚 楚飞鸿 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期50-55,共6页
化学气相沉积(CVD)是实现二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs)制备的简单有效方法。晶核位置的随机分布和生长可控性差是当前实现大面积高质量制备TMDs的一项巨大挑战。本工作以单层二硒化钨的生长为例,采用液态前驱体并调控其浓度使微量... 化学气相沉积(CVD)是实现二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs)制备的简单有效方法。晶核位置的随机分布和生长可控性差是当前实现大面积高质量制备TMDs的一项巨大挑战。本工作以单层二硒化钨的生长为例,采用液态前驱体并调控其浓度使微量金属前驱体高度均匀地分散在生长衬底表面,可有效诱导低过饱和度,从而降低成核密度,最终得到组分分布均匀、高质量的单层二硒化钨。这种液态前驱体化学气相沉积技术可以推广到其他2D材料的生长,为大面积、均匀的高质量2D材料的生长提供了一种更有效的方式。 展开更多
关键词 液态前驱体 化学气相沉积 可控生长 二硒化钨
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WSe_2纳米片的合成及其摩擦学性能研究 被引量:12
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作者 晋跃 李长生 +3 位作者 王木菊 唐华 李国伟 陈娟 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期646-651,共6页
利用固相反应法在真空石英管中制备出了具有无机类纳米片层状结构的WSe2。对所合成的纳米材料分别用扫描电子显微镜、透射电子显微镜进行表征并对生长机理进行了分析;将其以不同质量分数分散到基础油HVI750中,利用摩擦磨损试验机及非接... 利用固相反应法在真空石英管中制备出了具有无机类纳米片层状结构的WSe2。对所合成的纳米材料分别用扫描电子显微镜、透射电子显微镜进行表征并对生长机理进行了分析;将其以不同质量分数分散到基础油HVI750中,利用摩擦磨损试验机及非接触式光学轮廓仪初步研究了其摩擦学性能,并通过测量摩擦副接触表面间油膜电阻监测其摩擦表面的成膜情况。结果显示生成物中含有两种尺度的六边形WSe2纳米形貌;含2%(质量比)WSe2润滑油添加剂的油样相对于基础油HVI750在载荷2 N,转速400 r/min,摩擦半径7 mm,实验时间30 min条件下的减摩(摩擦系数0.083)耐磨(比磨损率9.008×10-6mm3.m-1.N-1)性能较佳,平均油膜电阻为95.28 kΩ。因此得出WSe2做润滑油添加剂具有较好减摩抗磨性能,摩擦机理被提出。 展开更多
关键词 真空石英管 固相反应 wse2纳米结构 油膜电阻 摩擦学性能
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硒化麒麟菜多糖抑制人喉癌细胞株Hep-2增殖的作用 被引量:12
17
作者 白雪 林晨 +4 位作者 江振友 袁桂秀 沈伟哉 李扬秋 唐渝 《肿瘤防治研究》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期249-252,共4页
目的通过比较研究海藻麒麟菜多糖粗提物、无机硒化合物-亚硒酸钠(Na2SeO3)及其共价化合物-硒化麒麟菜多糖对人喉癌细胞株Hep-2的作用,探索新的具有抗肿瘤活性的有机硒化合物。方法应用不同剂量的样品作用于Hep-2细胞株后,用MTT比色分析... 目的通过比较研究海藻麒麟菜多糖粗提物、无机硒化合物-亚硒酸钠(Na2SeO3)及其共价化合物-硒化麒麟菜多糖对人喉癌细胞株Hep-2的作用,探索新的具有抗肿瘤活性的有机硒化合物。方法应用不同剂量的样品作用于Hep-2细胞株后,用MTT比色分析法计算肿瘤抑制率。结果硒化多糖对Hep-2细胞的抑制率高于相同多糖浓度的麒麟菜多糖和相同硒浓度的亚硒酸钠(P<0.05)。硒化多糖的抑制率可高达71.53%,其多糖IC50与硒IC50分别为1805μg/ml和7.0μmol/L,分别低于麒麟菜多糖的多糖IC50(3034μg/ml)和亚硒酸钠的硒IC50(9.0μmol/L)。结论硒化麒麟菜多糖具有抗Hep-2细胞增殖的活性,其抑制作用明显优于亚硒酸钠及天然麒麟菜多糖的抗肿瘤活性。 展开更多
关键词 硒化麒麟菜多糖 亚硒酸钠 HEP-2 抗肿瘤
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Cr2+:ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能 被引量:3
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作者 刘长友 介万奇 +3 位作者 张滨滨 査钢强 王涛 谷智 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1382-1386,共5页
采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6~7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019... 采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6~7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度。荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm;室温荧光寿命为5.52×10-6s。数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18 cm2和2.3×10-18 cm2。 展开更多
关键词 硒化锌 Cr2+掺杂 物理气相输运法
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合成硒脲及2-氨基硒唑的新方法 被引量:7
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作者 刘波 徐才丁 周洵钧 《化学试剂》 CAS CSCD 北大核心 1993年第6期334-335,共2页
s-甲基假硫脲与硒氢化钠在回流的无水乙醇中反应得硒脲,产率较高。方法中不使用毒性较大的硒化氢气体。将所合成的硒脲与α-卤代酮反应,得2-氨基硒唑卤化氢,用水重结晶。产率高,方法简便。
关键词 甲基假硫脲 硒脲 氨基硒唑
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Cr和Mo掺杂对单层WSe_2能带结构影响的第一性原理研究
20
作者 李伟 冀圆圆 +1 位作者 戴宪起 王天兴 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期10058-10061,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接带隙。Cr掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因。 展开更多
关键词 掺杂 第一性原理 wse2 Cr Mo 能带结构
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