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Why Static O-H Bond Parameters Cannot Characterize the Free Radical Scavenging Activity of Phenolic Antioxidants: ab initio Study
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作者 Hong Yu ZHANG You Min SUN De Zhan CHEN 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2001年第1期75-78,共4页
The static O-H bond parameters including O-H bond length, O-H charge difference, O-H Mulliken population and O-H bond stretching force constant (k) for 17 phenols were calculated by ab initio method HF/6-31G**. In com... The static O-H bond parameters including O-H bond length, O-H charge difference, O-H Mulliken population and O-H bond stretching force constant (k) for 17 phenols were calculated by ab initio method HF/6-31G**. In combination with the O-H bond dissociation enthalpies (BDE) of the phenols determined by experiment, it was found that there were poor correlationships between the static O-H bond parameters and O-H BDE. Considering the good correlationship bt tween O-H BDE and logarithm of free radical scavenging rate constant for phenolic antioxidant, it is reasonable to believe that the ineffectiveness of static O-H bond parameters in characterizing antioxidant activity arises from the fact that they cannot measure the O-H BDE. 展开更多
关键词 ANTIOXIDANTS free radical scavenging effect O-H bond dissociation enthalpy O-H bond length O-H bond stretching force constant O-H charge difference O-H Mulliken population QSAR
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固体与分子经验电子理论的发展现状与展望 被引量:4
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作者 林成 黄士星 +1 位作者 尹桂丽 赵永庆 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期110-114,共5页
固体与分子经验电子理论(简称EET)能够给出实空间中体系的能量及电子分布情况,计算简便实用。目前EET已被广泛应用到材料科学领域,但其发展进程仍比较缓慢。综述EET的发展现状及未来趋势。从EET多重解的处理、计算精度的改善、界面电子... 固体与分子经验电子理论(简称EET)能够给出实空间中体系的能量及电子分布情况,计算简便实用。目前EET已被广泛应用到材料科学领域,但其发展进程仍比较缓慢。综述EET的发展现状及未来趋势。从EET多重解的处理、计算精度的改善、界面电子结构的计算以及合金成分设计方面详细地报道EET自我完善发展的最新进展。分析EET的优势及制约发展因素,同时也为EET未来发展提出了一些建议与想法。 展开更多
关键词 EET 键距差法 电子结构 成分设计
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正交结构的Fe_3B电子理论 被引量:2
3
作者 钟凤兰 李春杰 张瑞林 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1997年第4期49-51,共3页
应用键距差方法分析了o-Fe3B的价电子结构,指出了o-Fe3B的价电子结构的基本特点,并以此为基础分析了o-Fe3B的某些物理性质.
关键词 价电子结构 正交结构 铁硼合金 电子理论
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α-AgI的价电子结构分析 被引量:3
4
作者 钟凤兰 郑伟涛 张瑞林 《吉林大学自然科学学报》 CSCD 1993年第2期70-73,共4页
本文用键距差分析方法分析了α-AgI的价电子结构,获得了比较满意的结果.
关键词 价电子结构 固体电解质 碘化银
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拉钩位置对引线拉力试验键合强度测试值影响分析 被引量:1
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作者 凌勇 吕音 《电子与封装》 2016年第1期1-4,共4页
通过建立键合点键合拉力试验的力学模型,分析了吊钩位置、弧线长度、键合点高度差等对测试结果的影响。并比较了GJB548-2005方法2011.1与MIL-STD-883J方法2011.9关于双键合点键合拉力试验拉钩位置的具体差异,最后提出了相关改进建议。
关键词 双键合点拉力测试 吊钩位置 孤长 键合点高度差
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多重键的键长与键级和电负性差的定量关系 被引量:1
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作者 张彩云 《山西师大学报(自然科学版)》 1997年第2期21-24,共4页
本文在S-S规律的基础上,提出一估算同-异核原子任何键级多重键键长的公式,其结果与实验值接近。
关键词 多重键 键长 键级 电负性差 S-S规律
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余氏理论的内涵及发展展望
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作者 李飞 林成 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第13期13109-13113,13130,共6页
自从1978年吉林大学的余瑞璜院士建立“固体与分子经验电子理论”(简称余氏理论)以来,余氏理论已被广泛应用于材料科学研究中。余氏理论作为目前唯一由我国学者建立的比较完善的电子理论,它的快速健康发展对提升我国材料电子理论在国际... 自从1978年吉林大学的余瑞璜院士建立“固体与分子经验电子理论”(简称余氏理论)以来,余氏理论已被广泛应用于材料科学研究中。余氏理论作为目前唯一由我国学者建立的比较完善的电子理论,它的快速健康发展对提升我国材料电子理论在国际上的地位与水平具有重要的意义。余氏理论的基本思想来源于量子力学、能带理论、电子浓度理论及价键理论。该理论建立了固体与分子中原子状态的描述方法,给出了固体与分子中原子状态的表征方法,建立了多粒子体系的原子间相互作用方程与求解方法。然而,余氏理论的一些“经验因素”制约着其发展与进步。经过40余年的发展,这些“经验因素”已经越来越少,但研究者们还未关注到余氏理论的持续研究进展。目前,余氏理论已不断地完善与发展,其中自洽键距差法和界面电子结构的计算极大地丰富了余氏理论的内涵。余氏理论的研究范围也比较广泛,几乎包含了所有合金体系。基于余氏理论的合金成分设计方法研究,使余氏理论的研究更具有实用性。迄今为止,余氏理论的发展正经历三个阶段,即理论初始的建立期、20世纪90年代的理论广泛应用期以及当今的理论发展缓慢期。为了进一步推动余氏理论的发展与进步,本文从余氏理论的理论基础出发,详细地论述了余氏理论的主要内容与思想精髓,深入分析了余氏理论的不足与解决思路,归纳总结了余氏理论的最新研究成果,展望了余氏理论的发展趋势。本文的研究报道不仅为余氏理论的研究者提供可借鉴的研究思路,也有利于余氏理论的不断进步与发展。 展开更多
关键词 余氏理论 电子结构 杂化 键距差
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基于价电子理论的Ag-Sn金属间化合物形成机理
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作者 马立民 齐楚晗 王乙舒 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期655-662,共8页
SnAgCu焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag_(3)Sn脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag-Sn系... SnAgCu焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag_(3)Sn脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag-Sn系统中的主要扩散元素及原子运动路径,应用自洽键距差(self-consistent bond length difference,SCBLD)法计算了Ag-Sn系统内参与反应相的价电子结构及可能形成的固溶体的结合能,根据结合能变化趋势从价电子层面描述出Ag_(3)Sn在焊点内部的形成过程.研究结果表明:Ag-Sn系统中的主要扩散元素为Sn,Sn原子进入Ag晶胞形成固溶体,固溶体内原子重新排布,形成结合能更高、排布更均匀的共价键,造成晶格膨胀,位于(110)晶面和面心位置的Ag原子随之向外扩张,形成了同样具有良好对称性的Ag_(3)Sn,与前人研究Ag-Sn系统扩散的实验结果相符. 展开更多
关键词 经验电子理论(EET) 相变 扩散 金属间化合物(IMCs) 自洽键距差(SCBLD)法 结合能
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键距差方法中等同键数值的计算机计算方法 被引量:1
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作者 吴畏 张瑞林 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第4期57-60,共4页
本文提出了一种适用于计算机使用的,简单的确定等同键数值的计算方法.并通过实例说明了本方法的基本思路和计算步聚,给出了普遍适用的计算程序框图.
关键词 等同键 计算机 键距差法 晶体
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钛铝合金中氧化膜TiO_2的价电子结构分析 被引量:2
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作者 于佳石 张爱民 +2 位作者 赵志伟 张秀良 林成 《绿色科技》 2017年第20期198-200,共3页
采用基于固体与分子经验电子理论(EET)提出的自洽键距差(SCBLD)法,计算了TiO_2的价电子结构参数及其结合能。计算结果表明:由于晶体结构内最强键的键能很大(205.8282KJ/mol),且在晶体内均匀分布,TiO_2表现出良好的热稳定性;TiO_2晶体内... 采用基于固体与分子经验电子理论(EET)提出的自洽键距差(SCBLD)法,计算了TiO_2的价电子结构参数及其结合能。计算结果表明:由于晶体结构内最强键的键能很大(205.8282KJ/mol),且在晶体内均匀分布,TiO_2表现出良好的热稳定性;TiO_2晶体内两种主干键的键能值大(205.8282KJ/mol和137.5898KJ/mol),约占总能量的95%,晶体在升温过程中表现出很强的抵抗热运动的能力和较高的熔点;TiO_2中较弱共价键比较多,容易产生内应力,会引发TiAl合金的脆性。 展开更多
关键词 EET 键距差法 价电子结构 结合能
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AlN对Mg-Al合金凝固过程影响机制的价电子理论研究 被引量:1
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作者 张爱民 韦佳宏 +3 位作者 马秉馨 张倩 陶凯 冀盛亚 《河南工学院学报》 CAS 2020年第2期21-29,共9页
采用固体与分子经验电子理论(EET)研究AlN对Mg-Al合金凝固组织的影响机理,建立了Mg、AlN晶体结构的计算模型,利用自洽键距差法(SCBLD)计算了Mg、AlN晶体的价电子结构与结合能。在此基础上,采用断键法计算了Mg、AlN晶体(0001)晶面的表面... 采用固体与分子经验电子理论(EET)研究AlN对Mg-Al合金凝固组织的影响机理,建立了Mg、AlN晶体结构的计算模型,利用自洽键距差法(SCBLD)计算了Mg、AlN晶体的价电子结构与结合能。在此基础上,采用断键法计算了Mg、AlN晶体(0001)晶面的表面能,进而计算了Mg/AlN异质界面上的界面能。研究结果表明:Mg/AlN之间的界面能大于Mg自身均匀形核时的固/液界面能,因此,熔体中的Mg原子不能依附于AlN(0001)晶面进行生长,AlN对Mg-Al合金的细化效果不明显,这从电子层次上解释了AlN在Mg-Al合金凝固过程中的微观作用机制。 展开更多
关键词 ALN EET 自洽键距差法 价电子结构 结合能
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Valence electron structure and properties of the ZrO_2 被引量:2
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作者 LI JinPing, MENG SongHe, HAN JieCai & ZHANG XingHong Center for Composite Materials, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2008年第11期1858-1866,共9页
To reveal the properties of ZrO2 at the atom and electron levels, the valence elec- tron structures of three ZrO2 phases were analyzed on the basis of the empirical electron theory of solids and molecules. The results... To reveal the properties of ZrO2 at the atom and electron levels, the valence elec- tron structures of three ZrO2 phases were analyzed on the basis of the empirical electron theory of solids and molecules. The results showed that the hybridization levels of Zr and O atoms in the m-ZrO2 were the same as those in the t-ZrO2, while those in the c-ZrO2 rose markedly. The electron numbers and bond energies on the strongest covalent bonds in the m-ZrO2 phase were the greatest, the values were 0.901106 and 157.5933 kJ/mol, respectively. Those in the t-ZrO2 phase took second place, which were 0.722182 and 123.9304 kJ/mol, and those in the c-ZrO2 phase were the smallest, which were 0.469323 and 79.0289 kJ/mol. According to the product of the bond energy on the strongest covalent bond and equivalent bond number (this value reflected the crystal cohesive energy), the order from the greatness to smallness was the c-ZrO2> t-ZrO2 > m-ZrO2. This showed that the m-phase bonds were the tightest, their energy was the smallest, the crystal cohe- sive energy of the m-phase was the largest, and the m-phase existed most stably at room temperature. So it must need energy or higher temperature to take apart the stronger covalent bonds to form a new phase. 展开更多
关键词 ZRO2 empirical ELECTRON theory bond length difference VALENCE ELECTRON structure properties
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The iron boride FeB in the electron theory
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作者 钟凤兰 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1995年第17期1419-1423,共5页
The bonded types and the mechanism of the borides’ structures of the transition metalshave been a very interesting problem to scientific workers in various fields of solids, met-als, physics and chemistry at home and... The bonded types and the mechanism of the borides’ structures of the transition metalshave been a very interesting problem to scientific workers in various fields of solids, met-als, physics and chemistry at home and abroad. It has evoked much controversy. It isvery difficult to calculate the iron boride in the energy band theory because of the com-plexity of its structure. The analysis of valence electron structure of FeB is given in 展开更多
关键词 FEB VALENCE electron structure bond length difference.
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Valence electron structure and properties of stabilized ZrO_2
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作者 LI JinPing, HAN JieCai, MENG SongHe & ZHANG XingHong Center for Composite Materials, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2008年第7期1008-1016,共9页
To reveal the properties of stabilizers in ZrO2 on nanoscopic levels, the valence electron structures of four stable ZrO2 phases and c-ZrO2 were analyzed on the basis of the empirical electron theory of solids and mol... To reveal the properties of stabilizers in ZrO2 on nanoscopic levels, the valence electron structures of four stable ZrO2 phases and c-ZrO2 were analyzed on the basis of the empirical electron theory of solids and molecules. The results showed that the hybridization levels of Zr atoms in c-ZrO2 doped with Ca and Mg dropped from B17 to B13, the hybridization levels of Zr atoms in c-ZrO2 doped with Y and Ce dropped from B17 to B15, and that the four stabilizing atoms all made the hybridization levels of O atoms drop from level 4 to level 2. The numbers of covalent electrons in the strongest covalent bond in the descending order are c-ZrO2>Zr0.82Ce0.18O2> Zr0.82Y0.18O1.91>Zr0.82Mg0.18O1.82>Zr0.82Ca0.18O1.82. The bond energies of the strongest covalent bond and the melting points of the solid solutions in the descending order are Zr0.82Ce0.18O2> c-ZrO2>Zr0.82Y0.18O1.91>Zr0.82Mg0.18O1.82>Zr0.82Ca0.18O1.82. The percent-ages of the total number of covalent electrons in the descending order are c-ZrO2>Zr0.82Y0.18O1.91> Zr0.82Ce0.18O2>Zr0.82Mg0.18O1.82> Zr0.82Ca0.18O1.82. From the above analysis, it can be concluded that the stabilizing degrees of the four stabilizers in the descending order are CaO> MgO>Y2O3>CeO2. 展开更多
关键词 c-ZrO2 empirical ELECTRON theory bond length difference VALENCE ELECTRON structure properties
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