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一款VDMOS半超结元胞结构的设计 |
刘铭
冯全源
庄圣贤
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《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
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2015 |
1
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2
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4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应 |
刘忠永
蔡理
刘保军
刘小强
崔焕卿
杨晓阔
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《空军工程大学学报(自然科学版)》
CSCD
北大核心
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2018 |
1
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3
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具有半绝缘多晶硅完全三维超结横向功率器件 |
曹震
段宝兴
袁小宁
杨银堂
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
1
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4
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非对称阳极结构的半超结功率二极管 |
谢加强
马丽
高勇
王逍遥
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《电力电子技术》
CSCD
北大核心
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2018 |
0 |
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5
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超级结电场分布仿真分析 |
王卉如
揣荣岩
关艳霞
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《微处理机》
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2022 |
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含GaN/AlGaN双异质结源极和半超结的增强型垂直HFET的静态特性 |
汪子盛
韦文生
杨晨飞
丁靖扬
陈超逸
杨锦天
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《功能材料与器件学报》
CAS
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2023 |
0 |
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7
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半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管 |
马丽
高勇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
7
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