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“经济人”还是“政治人”:半导体超级企业的策略选择机制
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作者 韩召颖 刘锦 《太平洋学报》 北大核心 2024年第4期14-29,共16页
在美国点名施压之下,为何全球半导体超级企业在中美两国间的策略选择呈现出较为明显的差异?既有研究对于高科技超级企业在大国科技竞争背景下的决策机制关注不足。超级企业的策略选择受到外部大国关系和自身“经济人”“政治人”属性的... 在美国点名施压之下,为何全球半导体超级企业在中美两国间的策略选择呈现出较为明显的差异?既有研究对于高科技超级企业在大国科技竞争背景下的决策机制关注不足。超级企业的策略选择受到外部大国关系和自身“经济人”“政治人”属性的影响,当体系内大国关系处于合作的良性状态时,“经济人”逻辑占据上风,企业能够在全球市场中自主决策,理性地追求自身利润最大化;当大国关系为竞争甚至走向对抗时,“政治人”逻辑则占据上风,企业“政治人”属性的强弱决定其如何应对美国的政治胁迫,进而决定能否进入下一阶段遵循“经济人”逻辑的决策环节。台积电、英伟达和阿斯麦的策略选择能够为这一分析框架提供经验证据。该研究有助于理解美国对华科技竞争背景下高科技超级企业的决策机制,也对中国和中国企业在技术变革时代分析合作伙伴和竞争对手的行为逻辑具有一定启发意义。 展开更多
关键词 超级企业 “经济人” “政治人” 科技竞争 半导体产业链
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美国对华出口管制的特点(2017-2022) 被引量:6
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作者 侯冠华 《战略决策研究》 2023年第1期40-58,99,100,共21页
2017年以来美国针对中国展开全面科技竞争,一个重要的竞争手段是强化对华出口管制,阻止中国从美国获得先进技术。2017至2022年间,美国对华出口管制呈现出鲜明的特点。首先,美国强化了战略性技术领域的对华出口管制,重点针对以半导体、... 2017年以来美国针对中国展开全面科技竞争,一个重要的竞争手段是强化对华出口管制,阻止中国从美国获得先进技术。2017至2022年间,美国对华出口管制呈现出鲜明的特点。首先,美国强化了战略性技术领域的对华出口管制,重点针对以半导体、超级计算机、人工智能、量子信息技术等为代表的战略性技术领域;其次,美国扩大了对华出口管制的目标对象,中国公司、中国的科学研究研究机构、中国高等院校以及中国公民和美国公民均成为了美国对华出口管制的对象;最后,美国增强了对华出口管制各项措施的联动性,既与美国对华投资安全审查形成了联动,又与多边对华出口管制形成了联动。随着中美战略竞争呈现出常态化趋势,美国对华出口管制将继续呈现出被不断强化的态势。 展开更多
关键词 美国 中国 出口管制 战略性技术 半导体
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锁相放大技术在大学光谱实验教学中的应用
3
作者 邓冬梅 邵明珍 《物理与工程》 2023年第3期76-79,87,共5页
目前大学物理实验中的光谱测量实验通常为针对氢氘灯、钠光灯等强信号的测量。在实际应用中,往往需要测量微弱的光信号。传统测量微弱光信号主要利用电荷耦合器件的长时间积分来实现,然而昂贵的价格使其不能大规模应用于本科实验教学。... 目前大学物理实验中的光谱测量实验通常为针对氢氘灯、钠光灯等强信号的测量。在实际应用中,往往需要测量微弱的光信号。传统测量微弱光信号主要利用电荷耦合器件的长时间积分来实现,然而昂贵的价格使其不能大规模应用于本科实验教学。锁相放大技术是利用互相干方法在嘈杂背景环境中提取微弱信号,在半导体材料光谱测量技术上可以对微弱透射光信号进行探测。结合其相对低廉的价格,有望在本科光谱实验教学方面发挥优势。结合锁相放大技术和光谱测量技术搭建了半导体吸收光谱教学实验平台,向学生介绍基于锁相放大技术的微弱信号光谱测量方法。并利用实验结果分析半导体材料吸收系数随入射光子能量变化的规律,从而得出材料的禁带宽度。 展开更多
关键词 锁相放大器 微弱信号检测 禁带宽度 光谱 半导体
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采用半导体激光器自身pn结特性测温的半导体激光器恒温控制 被引量:14
4
作者 林志琦 张洋 +1 位作者 郎永辉 尹福昌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期223-227,共5页
温度对半导体激光器的发射波长有很大的影响,而很多应用都要求半导体激光器的发射波长是稳定的。针对使用测温元件作为温度传感器进行半导体激光器恒温控制中存在的温度误差,提出了以半导体激光器自身pn结作为温度检测元件进行半导体激... 温度对半导体激光器的发射波长有很大的影响,而很多应用都要求半导体激光器的发射波长是稳定的。针对使用测温元件作为温度传感器进行半导体激光器恒温控制中存在的温度误差,提出了以半导体激光器自身pn结作为温度检测元件进行半导体激光器恒温控制的方法,设计了半导体制冷器的驱动电路。该方法利用pn结的温度敏感特性,首先通过实际测量标定pn结的温度与其两端压降的对应关系,然后通过测量压降得出相应的实际温度。实验结果表明,采用该方法消除了使用温度传感器进行半导体激光器恒温控制中温度梯度造成的恒温误差,提高了测量速度,显著减小了超调量,消除了静差和波动。 展开更多
关键词 激光二极管 温度检测 pn结测温 半导体制冷
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基于双光电延迟反馈装置的双向混沌保密通信系统 被引量:6
5
作者 操良平 董晓云 +1 位作者 梁兴连 王泽钰 《西南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期161-167,共7页
提出了基于双光电延迟反馈装置的双向混沌保密通信系统,数值研究了系统的同步特性及通信性能.结果表明,系统输出的混沌波具有更宽的频带和更为复杂的频谱,有利于提高通信容量和系统的保密性;当两个激光器和两个调制器的参数一致时,能获... 提出了基于双光电延迟反馈装置的双向混沌保密通信系统,数值研究了系统的同步特性及通信性能.结果表明,系统输出的混沌波具有更宽的频带和更为复杂的频谱,有利于提高通信容量和系统的保密性;当两个激光器和两个调制器的参数一致时,能获得无延时的高质量混沌同步,并实现实时双向通信;参数失配对系统同步性能和通信质量有一定影响,但在一定的参数失配范围内,系统仍能实现较好的双向混沌通信. 展开更多
关键词 双光电反馈 混沌同步 双向通信 半导体激光器 马赫-曾德尔调制器
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N/P/As/Sb掺杂(9,0)型碳化硅纳米管的第一性原理 被引量:3
6
作者 戴剑锋 陈达城 +1 位作者 崔春梅 樊学萍 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2016年第1期158-160,共3页
基于第一性原理,研究(9,0)型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N... 基于第一性原理,研究(9,0)型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N原子掺杂后的半金属性,P原子掺杂后表现出的N型半导体特性.计算结果说明五族元素掺杂碳化硅纳米管并不都是N型掺杂. 展开更多
关键词 碳化硅纳米管 掺杂 第一性原理 N型半导体 P型半导体
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基于半导体光放大器环形腔的全光频率倍增/恢复 被引量:1
7
作者 王飞 贾新鸿 +2 位作者 邓涛 吴正茂 夏光琼 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期225-230,共6页
提出了一种利用具有干涉作用的半导体光放大器(SOA)环形腔实现全光频率倍增/恢复的新方法,该方法同相关实验比较具有显著优势。数值结果表明:2.5 GHz的光脉冲序列注入SOA环形腔,可输出重复频率为5-25 GHz振幅均衡、与入射光偏振无关... 提出了一种利用具有干涉作用的半导体光放大器(SOA)环形腔实现全光频率倍增/恢复的新方法,该方法同相关实验比较具有显著优势。数值结果表明:2.5 GHz的光脉冲序列注入SOA环形腔,可输出重复频率为5-25 GHz振幅均衡、与入射光偏振无关的光脉冲序列; SOA的偏置电流对SOA环形腔输出脉冲振幅的均衡度影响显著,对于基频为2.5 GHz和10 GHz输入脉冲序列分别存在一最佳的SOA偏置电流值;从传输速率为2.5 Gbit/s的27-1伪随机信号中可提取出重复频率为分别2.5 GHz和5 GHz的幅度均衡的时钟信号。 展开更多
关键词 光通信 全光频率倍增/恢复 半导体光放大器 环形腔 干涉
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化合物半导体晶片和器件键合技术进展 被引量:1
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作者 谢生 陈松岩 何国荣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期366-371,共6页
半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并... 半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 。 展开更多
关键词 晶片直接键合 键合机理 化合物半导体 界面特性 WDB
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OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究 被引量:1
9
作者 陈金伙 李文剑 程树英 《贵州大学学报(自然科学版)》 2012年第4期71-76,共6页
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源... 本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。 展开更多
关键词 OTFT IV方程 开关比 杂质浓度上限 膜层厚度上限
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p-GaP/Au-Sb/Au-Zn体系的接触界面
10
作者 林秀华 江炳熙 徐富春 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期34-38,共5页
采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn... 采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn内扩散使界面形成一个较高掺杂浓度的再生长层,可改善M-S欧姆接触性质,此外,界面上还有碳、氧杂质的沾污,有效地清除半导体表面氧化层对于制好欧姆电极是重要的。 展开更多
关键词 接触界面 半导体 p-GaP化合物 XPS
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多纵模半导体激光器的混沌同步研究
11
作者 柯强 胡菊菊 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第1期75-78,82,共5页
建立了多纵模外腔半导体激光器与单纵模半导体激光器的单向耦合系统理论模型,研究了不同纵模间的混沌同步及系统参数的影响.研究结果表明当内部参数完全匹配时该系统的同步性能较好,而且在内部参数不完全匹配的情况下也能保持较好的鲁棒... 建立了多纵模外腔半导体激光器与单纵模半导体激光器的单向耦合系统理论模型,研究了不同纵模间的混沌同步及系统参数的影响.研究结果表明当内部参数完全匹配时该系统的同步性能较好,而且在内部参数不完全匹配的情况下也能保持较好的鲁棒性,说明在基于混沌的保密光通信中利用多纵模同步进行混沌复用通信是完全有可能的. 展开更多
关键词 混沌同步 多纵模激光器 单纵模激光器 参数失配
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Lasing dynamics study by femtosecond time-resolved fluorescence non-collinear optical parametric amplification spectroscopy
12
作者 党伟 廖清 +2 位作者 毛鹏程 付红兵 翁羽翔 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第5期219-222,共4页
Femtosecond time-resolved fluorescence non-collinear optical parametric amplification spectroscopy (FNOPAS) is a versatile technique with advantages of high sensitivity, broad detection bandwidth, and intrinsic spec... Femtosecond time-resolved fluorescence non-collinear optical parametric amplification spectroscopy (FNOPAS) is a versatile technique with advantages of high sensitivity, broad detection bandwidth, and intrinsic spectrum correction func- tion. These advantages should benefit the study of coherent emission, such as measurement oflasing dynamics. In this letter, the FNOPAS was used to trace the lasing process in Rhodamine 6G (R6G) solution and organic semiconductor nano-wires. High-quality transient emission spectra and lasing dynamic traces were acquired, which demonstrates the applicability of FNOPAS in the study of lasing dynamics. Our work extends the application scope of the FNOPAS technique. 展开更多
关键词 non-collinear optical parametric amplification lasing dynamics Rhodamine 6G organic semicon-ductor nano-wires
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光马达
13
作者 贾正根 《光电子技术》 CAS 1999年第4期294-297,共4页
介绍新型微型器件──光马达,重点介绍光热效应型光马达和光辐 射压型光马达的各种类型和工作原理。
关键词 光马达 工作原理 光热效应 光辐射压
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红外吸收微区测量技术在半导体材料中的应用
14
作者 汝琼娜 李光平 何秀坤 《微细加工技术》 1994年第2期29-35,共7页
本文采用微孔遮挡近红外吸收法,对厚度为0.5mm左右薄片半绝缘(SI)-GaAs中深施主EL_2进行了直接测量,使用微机控制自动测量系统对SI-GaAs晶片中的EL_2浓度进行了微区分布测量,利用显微傅里叶变换红外光... 本文采用微孔遮挡近红外吸收法,对厚度为0.5mm左右薄片半绝缘(SI)-GaAs中深施主EL_2进行了直接测量,使用微机控制自动测量系统对SI-GaAs晶片中的EL_2浓度进行了微区分布测量,利用显微傅里叶变换红外光谱测量技术对硅外延层厚度,硅中间隙氧、替位砍含量,硼、磷、硅玻璃中的硼磷含量及薄片SI-GaAS中替位碳含量进行了FT-IR显微测量。实验结果为研究半导体材料的微区特性和均匀性提供了可靠的依据。 展开更多
关键词 红外吸收 半导体材料 微区测量
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室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质
15
作者 王春华 陈涌海 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1253-1257,共5页
通过室温和 35 0℃注 Mn后热退火 ,在 Ga As/ Al Ga As超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒 .利用原子力显微镜、能量散射 X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质 .通过比较这些颗粒的饱和磁化强度、... 通过室温和 35 0℃注 Mn后热退火 ,在 Ga As/ Al Ga As超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒 .利用原子力显微镜、能量散射 X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质 .通过比较这些颗粒的饱和磁化强度、剩余磁化强度、矫顽力和剩磁比 ,发现 35 0℃注 Mn的样品含有 Mn Ga和 Mn As两种磁性颗粒 ,而室温注 Mn的样品主要含有 Mn 展开更多
关键词 离子注入 磁性颗粒 半导体
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VC+Flash技术在多线切割设备人机交互中的应用 被引量:1
16
作者 魏祥英 汤明 《电子工业专用设备》 2013年第12期39-40,61,共3页
给出了作为网络动画常用开发工具的软件Flash在多线切割机中的具体应用,介绍了用Flash结合VC进行上位机组态接口的制作,并详细说明了用VC实现对Flash控件调用的关键步骤,进而完成对整个多线切割设备动态监控的方法。
关键词 VC+Flash技术 多线切割设备 半导体材料
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含2-(1,3-二巯基-2-亚基)丙二腈基团结构的有机场效应晶体管材料合成
17
作者 刘珂 吴海霞 张浩力 《兰州石化职业技术学院学报》 2016年第2期1-5,共5页
通过在苯环中心引入两个2-(1,3-二巯基-2-亚基)丙二腈基团,设计合成了苯环扩展的衍生物6CNTM。通过紫外-可见吸收和循环伏安法研究其光学和电化学性质;首次研究了基于材料6CNTM的薄膜OFET的电荷传输性质。结果显示:薄膜OFET器件具有电... 通过在苯环中心引入两个2-(1,3-二巯基-2-亚基)丙二腈基团,设计合成了苯环扩展的衍生物6CNTM。通过紫外-可见吸收和循环伏安法研究其光学和电化学性质;首次研究了基于材料6CNTM的薄膜OFET的电荷传输性质。结果显示:薄膜OFET器件具有电子传输性能,电子迁移率为6.62×10^(-3)cm^2/V·s,阈值电压(V_(th))为14V,开关比(I_(on)/I_(off))为4×10~2。为将此基团引入并苯化合物中,设计合成高性能、空气中稳定的n-型有机半导体材料提供前瞻性指导。 展开更多
关键词 有机化学 苯环 2-(1 3-二巯基-2-亚基)丙二腈 n-型 有机半导体材料 有机场效应晶体管
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An All Solid-State Pulsed Power Generator for Plasma Immersion Ion Implantation (PⅢ)
18
作者 刘克富 邱剑 吴异凡 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第2期220-224,共5页
An all solid-state pulsed power generator for plasma immersion ion implantation (PIII) is described. The pulsed power system is based on a Marx circuit configuration and semi- conductor switches, which have many adv... An all solid-state pulsed power generator for plasma immersion ion implantation (PIII) is described. The pulsed power system is based on a Marx circuit configuration and semi- conductor switches, which have many advantages in adjustable repetition frequency, pulse width modulation and long serving life compared with the conventional circuit category, tube-based technologies such as gridded vacuum tubes, thyratrons, pulse forming networks and transformers. The operation of PIII with pulse repetition frequencies up to 500 Hz has been achieved at a pulse voltage amplitude from 2 kV to 60 kV, with an adjustable pulse duration from 1 μs to 100 μs. The proposed system and its performance, as used to drive a plasma ion implantation chamber, are described in detail on the basis of the experimental results. 展开更多
关键词 PLASMA immersion ion implantation pulsed power Marx generator semicon- ductor switches
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光电化学响应分析Ni201在中性溶液中形成表面钝化膜的半导体性质 被引量:3
19
作者 檀玉 梁可心 张胜寒 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期971-976,共6页
应用光电化学响应法和:Mott-Schottky曲线法,研究了Ni201在500℃空气中生成的氧化膜和在pH值为8.4的中性缓冲溶液中阳极氧化生成钝化膜的半导体性质,分析了Ni201表面钝化膜的结构和组成.Mott-Schottky曲线表明,Ni20l在该中性溶液中生成... 应用光电化学响应法和:Mott-Schottky曲线法,研究了Ni201在500℃空气中生成的氧化膜和在pH值为8.4的中性缓冲溶液中阳极氧化生成钝化膜的半导体性质,分析了Ni201表面钝化膜的结构和组成.Mott-Schottky曲线表明,Ni20l在该中性溶液中生成钝化膜的平带电位约为0.40 V,其在500℃空气中生成的氧化膜的平带电位约为0.15 V,前者的载流子浓度约是后者的34倍.在中性缓冲溶液中生成钝化膜的光电流谱表明,Ni201的结构由内层NiO和外层Ni(OH)_2构成,其带隙宽度分别为2.8和1.6 eV.其中,具有晶体结构的内层NiO的带隙宽度与Ni201在500℃空气中生成的氧化膜的带隙宽度2.4 eV相似.通过光电化学法和Mott-Schottky曲线建立Ni201表面钝化膜的电子能带结构模型,解释了其内层NiO和外层Ni(OH)_2同是p型半导体组成的钝化膜的半导体性质. 展开更多
关键词 Ni201 钝化膜 Mott—Schottky曲线 光电化学响应 半导体性质
原文传递
半导体激光器光束的准直 被引量:9
20
作者 夏秀兰 龚正烈 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期283-287,共5页
本文从高斯光束出发对半导体激光器的既简单又经济实用的准直法-单透镜准直法进行了理论分析和实验。实验结果与理论计算基本相符,表明只要采用一个相对孔径D/f较大的透镜,并置其对半导体激光器有合适位置,则可以得到令人满意的... 本文从高斯光束出发对半导体激光器的既简单又经济实用的准直法-单透镜准直法进行了理论分析和实验。实验结果与理论计算基本相符,表明只要采用一个相对孔径D/f较大的透镜,并置其对半导体激光器有合适位置,则可以得到令人满意的准直效果。 展开更多
关键词 半导体激光器 光束 准直法
原文传递
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