简述IC测试的意义和作用

IC测试技术是有着四十多年历史的一项应用科学技术,其适应整个IC产业的需求在神州大地悄然兴起,展望未来必将促进集成电路测试业的形成和发展,集成电路设计、制造、封装和测试四业并举,使我国集成电路产业健康发展,为信息产业打下坚实的基础。IC测试技术伴随着集成电路的飞速发展而发展,对促进集成电路的进步和广泛应用作出了巨大贡献,各个军工行业的研究院、所、厂都有自己的元器件检测中心,并引进先进的国产、进口各类高性能集成电路测试设备,负责集成电路在军工行业应用的质量把关。随着IC测试成本的不断提高,验证测试成为集成电路制造中的必要环节。

半导体IC产业渠道管理策略研究

将影响半导体IC制造商渠道管理绩效的因素分为4个部分,即产品策略、产品定价策略、渠道策略及技术支持,使用Katsikeas等学者于2004年提出的供应链绩效模型研究了影响因素之间的关系。通过问卷调查的方法对某全球前十大半导体制造商在中国的8个授权代理商的员工进行调研,回收190个样本,以克朗巴哈系数、KMO及巴特利特球度预测20个样本得到可信度,确认数据、模型结构的适用性。提出5个假设,使用相关性分析以及多元回归分析的方法对假设进行了验证。其中,产品定价策略对渠道管理绩效影响较为显着。对半导体产品策略、定价策略、技术支持、渠道策略提出了建议,以提升半导体IC制造商以及代理商的绩效。

超高速GaAs IC研制动态

本文叙述了最近几年国外研制超高速GaAs器件和IC的成果以及开发新技术的状况。

与半导体IC相融合的互连板的电镀技术动向

概述了IC芯片的铜镶嵌构造和高端电子安装领域中与半导体IC相融合的互连板的电镀技术动向。

Abnormal oxidation in nickel silicide and nickel germanosilicide in sub-micro CMOS

After post-silicidation annealing at various temperatures for 30 min, abnormal oxidation and agglomeration in nickel silicide and nickel germanosilicide are investigated under different conditions of NiSi, with As-, In-, and Sb-doped Si substrates of nickel germanosilicide without any dopants. The NiSi thickness, dopant species, doping concentration, and silicide process conditions are dominant factors for abnormal oxidation and NiSi agglomeration. Larger dopants than Si, thinner NiSi thickness and SiGe suhstrates, and higher dopant concentrations promote abnormal oxidation and agglomeration.

大基金与“卡脖子”行业发展——来自半导体行业上市公司的证据

“解决‘卡脖子’难题,强化科技创新和产业链供应链韧性”是实现高质量发展需要攻克的重点任务。产业投资基金作为政府之手与市场之手相结合的政策工具,已成为扶持行业发展的重要方式。文章以2014年国家集成电路产业投资基金(大基金)成立作为准自然实验场景,以半导体行业为例,建立双重差分模型检验产业投资基金对“卡脖子”行业发展的影响。研究发现:(1)大基金显著促进半导体行业企业发展,该结论在考虑多维度混杂影响、内生性问题等一系列可能的干扰因素后依旧成立。具体表现为企业规模扩张能力、营业收入增长能力和创新能力均显著提升。(2)相比于孵化期、成熟期的企业,大基金对成长期企业的发展促进作用更加显著。此外,上述政策效应尤其体现在所处地区腐败程度较低的企业,进一步突出了“市场化”因素在产业投资基金运行中的重要性。(3)机制检验发现,大基金通过直接投资和引导投资缓解企业融资约束、通过发挥“信号效应”提振投资者信心等渠道助力企业多方位发展。文章的研究丰富了产业投资基金的效应分析及机制讨论,为实现我国科技自立自强提供可行的实施路径,也为进一步优化产业政策、突破国际困局以及保证国民经济稳定发展提供参考。

二十四所半导体工艺技术发展历程与展望

回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程。晶圆尺寸从1.5吋(40 mm)到6吋(150 mm),特征线宽从10μm到0.5μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件。从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程。最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景。

半导体照明光源恒流驱动芯片的研究

介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。该芯片可为工作电压为3.5 V,工作电流为350 mA的单个半导体照明光源提供恒定的驱动电流。在5 V电源电压有10%跳变的情况下,半导体照明光源的驱动电流的变化可被控制在1.71%以内,而距离光源10 cm处的照度变化仅为1.28%。当环境温度由25°C升高至85°C时,半导体照明光源的驱动电流减小1.14%,而距离光源10 cm处的照度仅减小1.09%。该恒流驱动芯片的电源效率可达63.4%。

采用TEG技术的半导体集成电路可靠性评价方法

详细介绍了一种新近采用的先进半导体集成电路可靠性评价技术———TEG技术。对其基本概念、评价方法以及应用情况进行了详细的阐述,重点介绍了其中的WLR TEG可靠性在线检测与控制技术;最后,对我国开展相关工作提出了切实可行的建议,以确保并提高我国军用半导体集成电路的固有可靠性水平,促进军用微电子技术的快速发展。

用于半导体探测器研制的数字影像显微系统

光学显微检测在半导体探测器研制的多个环节具有重要意义。利用较低价单元、部件组装了一套数字影像光学显微系统,性能与国外中档产品相当,性价比卓越。该系统拥有微机控制的高清晰数字摄影装置,配置大屏幕监视器,搭载高倍干系物镜,分辨率达到0.2μm,可以进行明暗场、偏光、干涉观测。它可以方便的用于缺陷、沾污控制,图形检测,表面光洁度检验,材料鉴定等方面,还可用于测试、封装、修理等精细操作。通过观察焊点的表面形貌,钎料合金的显微结构,可以鉴定焊点质量。如果结合多光束干涉技术可用于表面起伏的精细测量。论文叙述了该系统在半导体探测器研制上的应用,详述了其建造细节。

特气业与半导体业的发展近况

首先综述了我国半导体产业近年发展概况,然后论述了特气相关行业的配套发展问题,同时也介绍了世界及我国知名气体企业的应对措施。

PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.

微电子镀覆技术发展动态

介绍了微电子镀覆在半导体和IC封装、凸点制作、多芯片组件以及微电子机械系统中的应用。

掺砷多晶硅的热氧化

在ＥＥＰＲＯＭ的研制中，为了研究掺砷多晶硅与单晶硅氧化的相对关系，进行了８００℃湿氧氧化和１０００℃干氧氧化实验。结果表明，经过工艺优化，选择适当的工艺方案，获得了较理想的多晶硅与单晶硅氧化速率比。

键合金丝的研究进展及应用

介绍了键合金丝的特性、种类及其适用的封装领域;微合金化高纯金丝、合金型金丝、复合型金丝和键合铜丝的研究发展概况,以及各类型键合丝在市场上所处的地位;键合金丝主要应用领域—集成电路(IC)和半导体分立器件的发展情况。分析了国内外键合金丝市场、产业状况以及该行业的发展趋势。

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺。

基于LK8810平台的集成电路开短路测试方案设计

集成电路产业已经成为我国重点发展产业。集成电路生产封装后都要先进行引脚开短路测试,从而尽早筛出失效芯片以缩短整体测试时长,提升经济效益。针对集成电路引脚开短路测试要求,本文提出一种基于LK8810平台的集成电路开短路测试方案。该方案具备可操作性强的优点,只需要配合平台搭接简单的测试电路,然后使用C语言编写测试程序就能快速的将一个型号芯片的引脚开短路问题测试出来,并将结果反馈至上位机,使用户能够直观地判别被测芯片的好坏。

半导体防覆冰RTV涂料设计研究

目前输电线路上所应用的绝缘子防污闪的涂料主要是室温硫化硅RTV橡胶涂料。绝缘子涂覆RTV涂料后,不但提高了绝缘子表面的憎水性,其表面积聚的污层也获得不同程度的憎水性,然而当涂层被冰层覆盖后会失去憎水性。基于此,提出在具有一定防冰效果的憎水性基础上,把硅橡胶涂料改性为半导体涂料,其具有憎水特性和半导电特性两大特点,直接涂覆在瓷绝缘子表面即可形成防覆冰涂层。憎水特性可减小冰层与材料表面的粘附力及覆冰密度,并改变覆冰的形态,但不能延缓或防止覆冰。

N管开启电压调整注入对P－N结击穿电压的影响

为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。

中美贸易摩擦下的中日韩集成电路产业生态

集成电路产业在其研发和生产上有显著的规模经济,而且其运输成本很低。因此,集成电路产生国际分工和专业化是很自然而合理的。在2018年中日韩贸易总额中,集成电路贸易占了24%。当前,中美贸易摩擦导致东亚地区出口萎缩。美国政府阻碍东亚企业向中国出口某种集成电路,并干涉国外企业之间的集成电路贸易,导致了国际产业链的混乱和不稳定。建立中日韩自由贸易区有利于维护和发展三国在集成电路领域的优势互补关系。中日韩在自由贸易谈判的时候,应该在军用集成电路和民用集成电路的划分标准上达成共识;与此同时,也应当在共同协商的基础上修改标准或者调整出口审查手续,避免一国单方面抬高贸易门槛。