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复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性
被引量:
1
1
作者
徐廷献
薄占满
+1 位作者
曲远方
鲁燕萍
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第6期698-706,共9页
研究了4种复合氧化物(PbO-Bi2O。-B2O3,MnO-Bi2O3,Na2O-SiO2和LiNbO3)为扩散剂对半导化的SrTiO3基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响.在实验基础上,提出了新的晶界势垒模型.
关键词
半导体陶瓷
复合氧化物
晶界势垒
下载PDF
职称材料
题名
复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性
被引量:
1
1
作者
徐廷献
薄占满
曲远方
鲁燕萍
机构
天津大学
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第6期698-706,共9页
文摘
研究了4种复合氧化物(PbO-Bi2O。-B2O3,MnO-Bi2O3,Na2O-SiO2和LiNbO3)为扩散剂对半导化的SrTiO3基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响.在实验基础上,提出了新的晶界势垒模型.
关键词
半导体陶瓷
复合氧化物
晶界势垒
Keywords
semiconductor ceramics
,
composite oxides
,
grain-boundary potential barrier
分类号
TN304.82 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性
徐廷献
薄占满
曲远方
鲁燕萍
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994
1
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