基于半导体硅片的容栅千分传感器的设计

容栅千分传感器广泛应用于位移测量中,设计的容栅千分传感器,将普通容栅传感器在线路板上的刻线划分移植到了半导体硅片上,利用了半导体的工艺技术,实现刻线划分的高精度、高密度,从而达到普通线路板无法达到的精度,将容栅传感器的分辨力提高至0.001mm。

硅片化学腐蚀及其在电力半导体器件中的应用

按照电化学原理分析硅片化学腐蚀过程，阐述了择优与非择优腐蚀的机理，研究了一套硅片化腐新工艺。这些工艺在电力半导体器件生产中得到了成功的应用。

基于优化插值与差值神经网络算法的硅片刻蚀深度预测模型

针对半导体加工工艺复杂、成本高、工艺数据量少,一般的人工神经网络(ANN)算法无法准确预测其加工工艺性能的问题,提出一种基于优化插值与差值神经网络(OIDNN)算法的适用于小样本的硅片刻蚀深度预测模型。首先,分别由实验得到刻蚀深度的实验数据,由计算机辅助设计(TCAD)技术仿真得到刻蚀深度的模拟数据,并划分为训练集、验证集和预测集;将TCAD模拟数据作为额外输入参数插入ANN1模型,同时,将实验数据与TCAD模拟数据的差值作为ANN2模型的输出参数,得到两份预测结果;最后将两份预测结果作为输入参数,经ANN3模型训练选择权重,得到最终预测结果。OIDNN算法在不同大小的样本数量下,所得预测刻蚀深度和实验刻蚀深度之间平均的均方误差(MSE)为0.009 5μm,相较于ANN减小80%以上,相较于自适应权值神经网络(AWNN)减小85%以上。实验结果表明,所提模型可以有效提高预测的准确度,提高算法的收敛速度,并且适用于小样本的工程应用场景。

智能硅晶片贴标机的研制

本文开发了无人智能式贴标机,可以将条形码自动贴到硅晶片上并且出现任何错误时可以自动报警。该设备的贴标工艺的机构运动通过步进马达和气缸来实现。控制系统由上位机、下位机、传感器和接近开关完成。最后该机器在半导体公司得到良好的实际应用。

半导体硅片制备技术及产业现状

介绍半导体硅片制备技术及理论,分析目前全球硅片的产业概况、产业历史发展趋势及特点;结合我国目前的实际情况,论述国内大力发展硅片产业面临的机遇、挑战及存在的问题。

我国半导体硅片发展现状与展望

硅片是半导体关键的基础材料,我国半导体硅片对外依存度较高,增强硅片的自主保障能力,对提升我国半导体产业整体水平至关重要。本文重点围绕市场主流的8 in、12 in硅片,分析了全球半导体硅片的技术和产业发展现状,研判了全球半导体硅片产业未来的发展趋势,重点分析了我国半导体硅片的发展现状,指出我国半导体硅片在当前市场需求、宏观政策、配套能力、研发投入等利好因素下迎来难得的发展机遇,同时提出我国半导体硅片产业发展面临挑战,在此基础上,从进一步加强顶层设计和宏观规划、强化政策落实和政策持续性、协调支持产业链协同发展、布局研发集成电路先进制程用半导体硅片等方面提出对策建议,以期为推动我国半导体硅片向更高质量发展提供参考。

半导体硅片CMP后溶液清洗技术的研究进展

分析研究了半导体硅片CMP后表面污染机理和清洗的基本理论,综述了CMP后半导体硅片溶液清洗技术的研究进展与现状,并对其发展方向进行了展望。

半导体硅晶片超精密加工研究

"超精密加工"作为精度极高的一项加工技术正在逐步兴起,归纳总结了硅晶片的超精密切削、磨削和研磨的加工方法,分析了硅晶片超精密加工的研究现状,并对硅晶片超精密加工的发展趋势和今后的研究工作进行了展望。对超精密加工方法的研究,为推动集成电路向更高层次的发展奠定了基础.。

当前国内外硅材料工业的发展趋势

本文拟就当前国内外硅材料的市场情况及技术发展作一简介，以期使从事与关心硅材料工业的各界不为当前暂时困难受阻，而是看到我们的进步与差距。

世界硅材料工业发展概况

文中以详尽的数据和事实分析了近几年世界半导体硅材料工业的发展及未来趋势。指出：欧、美、日各国的硅材料工业近几年产量增加、效益看好，仍然是各国的投资热点，大直径化的发展速度非常快，估计1998年Φ200mm硅片的产量将达到380万片／月，而且Φ300mm和Φ400mm硅片的研制已经在国际大协调的局面下启动。与此相适应，为了满足亚微米器件的需求，硅片的质量水平也在不断提高，从世界各地区的发展趋势看，存在着明显的不平衡，亚太地区显著地优于其他地区，此外，对多晶硅的大量需求与多晶硅生产能力不足的矛盾正成为硅材料工业发展的瓶颈，估计这种局面要到1997年后才能有所改观。

浅析半导体硅片行业废水处理工程

近年来国内半导体产业发展态势良好,硅片生产规模不断扩大,但随之出现的就是废水排放及处理问题。文中以300 mm硅片生产废水处理工程为例,根据工程概况,阐述含氟废水、CMP废水、含铜废水的处理工艺,并以此为基础提出改进建议。

全球半导体硅片行业人才现状研究

半导体硅片是芯片制造的关键原材料,在半导体产业链中占据重要战略位置,行业技术门槛较高,因而人才成为企业发展的核心要素。目前,全球半导体硅片行业龙头企业已占据绝大多数市场。研究全球半导体硅片行业龙头企业的人才结构和人才分布情况,对完善行业人才激励政策,吸引更多专业人才流向半导体硅片行业有着重要意义。基于此,本文重点分析了全球半导体硅片龙头企业的人才结构,人均产值与人才地域分布情况,并结合半导体硅片产业的发展,针对新进市场企业的人才建设提出了若干建议。

我国半导体硅材料的发展现状

叙述了我国半导体硅材料的发展现状及与国外相比存在的差距 。

半导体硅片酸腐蚀后形状实验研究

以半导体硅片制备工艺中的酸腐蚀过程为研究对象,采用硅片几何参数检测设备的原始数据为数据源,借助空间统计手段和数据可视化技术,基于实验研究酸腐蚀过程中硅片的转动、外加气泡扰动因素对半导体硅片酸腐蚀后形状的影响。通过实验数据分析,建立硅片酸腐蚀剥离去除量的分布与相应各因素之间的经验模型,根据各实验条件的腐蚀去除量的分布,结合酸腐蚀的化学反应机理,分析不同工艺条件下硅片形状的成因。实验结果表明:富硝酸体系中,在同等酸液配比条件下,腐蚀剂相对于硅材料表面的流速会影响化学反应中的物质交换效率,化学腐蚀速率与腐蚀剂相对流动速率显著相关;硅片的转动速率、外界引入的气泡扰动都会影响酸液的流动特征,进而改变物质交换效率的空间分布,最终影响硅片腐蚀后的形状。研究表明,硅片酸腐蚀后的几何形状受漩涡效应和边缘效应的共同影响。用宏观去除量模型、漩涡效应和边缘效应的经验模型叠加构造酸腐蚀硅片的经验模型,验证结果显示模型误差较小,可以预报在转动、气泡二因素交互作用下,酸腐蚀后硅片的几何形状。

2019年中国半导体材料业的状况分析

分析表明,我国目前正在新建和扩建的晶圆生产线和封装生产线都将进入量产。探讨我国半导体材料市场规模,主要半导体材料产品的发展状况,包括硅晶圆片、电子级纯度的多晶硅、光掩模版、光刻胶及配套试剂、电子级特殊气体、化学品、溅射靶材、MP抛光材料。