无序和有序GaInP_2的光致发光谱

对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭．

随机层厚分布的半导体超晶格光荧光对温度的依赖关系

本文提出热激活辐射过程和 Ｂｅｒｔｈｅｌｏｔ－型的非辐射复合过程互相竞争的简单模型解释无序半导体超晶格的光荧光防温度变化行为．预言了当温度升高荧光衰变时间在某一温度附近快速下降；获得了在高温时较大无序度的半导体超晶格比较小无序度的半导体超晶格荧光强，在低温时情况相反；且荧光峰随温度变化存在一个最大值．理论结果与实验观察到的无序半导体超晶格荧光行为一致．

非晶态半导体超晶格研究进展

由于非晶态半导体超晶格具有量子尺寸效应及简便的制备方法,因此具有独特的优点。简要综述了非晶态半导体超晶格的制备、光致发光等特异效应及其应用。。

稀土元素Gd掺杂氮化物半导体在自旋电子器件中的应用（英文）

本研究利用分子束外延的方法生长了Gd掺杂氮化物半导体。根据X线衍射和XAFS测定未有发现第二相的析出。观察到了来自In Gd Ga N的光致发光,发光峰随着In N的摩尔份数的变化而变化。这些材料在室温明显地观测到了磁滞曲线。Si共掺杂的Ga Gd N超晶格显示出了超大的磁矩,其原因可归于载流子诱发铁磁。最后,说明了这一材料在自旋发光二极管中的应用。