半导体桥生成等离子体温度的测量

应用原子发射光谱双谱线测温法原理,采用高速数字存贮示波器对半导体桥生成的等离子体温度以及桥上电压、电流变化进行了实时瞬态测量,获得了等离子体温度以及半导体桥上消耗的能量随时间变化的曲线,在半导体桥两端施加21V电压的条件下,对6.8、15、47、68、100μF五种不同容量的钽电容对半导体桥的作用时间、消耗能量以及生成等离子体温度的影响进行了研究,结果表明:半导体桥生成等离子体最高温度与电容呈线性关系,其最高温度由6.8μF时的2242K升高到100μF时的3324K。

大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策

结合150kVA超导线圈和锂电池-电容组合式SVG-APF的研制工作,首先剖析了IGBT的内部结构,详细讨论了杂散电感引起的过电压以及对容性母线的设计,最后分析了IGBT通态损耗和开关损耗引起的过热问题,给出了计算实例和实验结果。

微波辐射法研制复合半导体光催化材料TiO_2/ZnO

采用微波辐射法制备了复合型半导体光催化材料TiO2/ZnO,利用X射线衍射(XRD)测试技术对TiO2/ZnO复合型半导体光催化材料进行了表征。用甲基红模拟有机废水,在高压汞灯模拟日光光照的条件下,研究了复合型半导体光催化材料TiO2/ZnO光催化降解有机废水的过程,并在相同的条件下,与机械研磨法制备的复合型半导体光催化材料TiO2/ZnO的光催化性能进行了对比实验。研究结果表明,微波辐射法制备的复合型半导体光催化材料TiO2/ZnO具有很好的光催化性能,TiO2/ZnO投加量为0.5g.L-1时,其具有良好的光催化脱色性能,经1h光照,对甲基红的光降解效率可以达到100%。随着溶液初始浓度增加,甲基红的降解率增大。

SESAM锁模OP-VECSELs技术

综述了半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的理论,分析总结了相关实验技术手段,对SESAM锁模OP-VECSELs的最新研究成果作了介绍。

碲铟汞晶体的生长研究

以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体。

纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型

基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中。通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性,栅极电流具有跟随性和频率依赖性。同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型准确性。

用XANES研究Ga_(1-x)Mn_xN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-MnI二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.

低温半导体器件模拟中若干问题与对策

低温半导体器件以其优异的性能,可以满足军用和民用等领域中常规器件无法满足的特殊要求.低温微电子学日益成为微电子技术的重要的发展方向,而低温器件计算机模拟则是低温器件分析与设计的重要手段.本文着重讨论了常温下半导体器件的计算机模拟方法在低温下的蜕变及相应的对策,分析了导致常温下方法失效的主要物理参数的低温模型,并提出了低温器件模拟加速收敛的几种数值技术.

半导体温差发电器件应用探讨

讨论了国内外半导体温差发电器件的发展状况,及需要改进的问题。包括器件种类,各种器件适用的领域。分析认为,半导体温差发电器件因其能够将低温废热直接转化为电能,而具有良好发展前景。

厢式货车冷藏保温厢体的改装设计

文章主要对江陵凯运厢式货车进行冷藏保温厢体改装设计,在目前冷藏运输车制冷方式分析基础上采用半导体制冷,对冷藏厢体的结构和制造工艺进行研究,通过对冷藏车厢热负荷计算,对制冷热电堆进行了选型。冷藏车厢体的设计对冷藏汽车的发展和普通货车改型具有重要的参考价值。

频率分辨率改进型数控振荡器的设计

设计了一个应用于四频带全球移动通信系统(GSM)收发机的频率分辨率改进型数控振荡器.提出了一种新型串联开关变容管模型并进行理论分析,将其应用在振荡器的精确调谐电容阵列中,验证了其对频率分辨率增强的性能.设计采用90 nm互补金属氧化物半导体工艺,当谐振在3.1 GHz时,数字加抖前的频率分辨率达到1.6 kHz,距中心频率20 MHz处的相位噪声为-152dBc/Hz,功耗8.16 mW.仿真表明,该频率分辨率改进型数控振荡器满足四频带GSM收发机的要求,适于应用在全数字锁相环中.

半导体PN结光电成像

该文描述半导体ＰＮ结，在不同偏置电压下，受强度调制光照射时，产生的光生电压的测量结果，并对ＰＮ结进行了静态（非工作状态）和动态（外加工作电压）光电成像。从理论上探讨了ＰＮ结光电成像的物理机制，得到了ＰＮ结光电成像的一般规律，由此为集成电路等半导体器件进行静态或动态光电成像检测及分析提供依据。

荧光光纤温度传感器的辐射光功率

对采用p型GaAlAs/GaAs双异质结构半导体材料作为光纤温度传感器的荧光辐射功率进行了理论分析和数值计算,计算结果与文献报道的实验数据符合较好。

电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文)

栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光刻胶等先进技术的应用,获得了亚微米的T型栅,从而改进了场效应管的高频特性。直流测试显示,这种场效应管的跨导高达135ms/mm。

对N型外延预处理方法的研究

外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一,如何准确地测量外延层的电阻率,以满足半导体器件研制的要求,是检验人员关注的一项重要的课题。对目前N型测试片大都是用电容电压法来测试,但实践中经常出现曲线斜的问题,通过做了大量的实验,得出了一种较好的预处理N型外延片的方法,达到了对电阻率的有效监控。