半导体PN结光电成像

该文描述半导体ＰＮ结，在不同偏置电压下，受强度调制光照射时，产生的光生电压的测量结果，并对ＰＮ结进行了静态（非工作状态）和动态（外加工作电压）光电成像。从理论上探讨了ＰＮ结光电成像的物理机制，得到了ＰＮ结光电成像的一般规律，由此为集成电路等半导体器件进行静态或动态光电成像检测及分析提供依据。