期刊文献+
共找到25篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
<100> Textured Diamond Film on Silicon Grown by Hot Filament Chemical Vapor Deposition
1
作者 Xuanxiong ZHANG Tiansheng SHI and Xikang ZHANG (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Metallurgy,Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 1995年第6期426-428,共3页
The <100> textured growth of diamond film on HF eroded silicon wafer has been studied by HFCVD. The evolution of grain size and sudece morphology vs deposition time is presented and the <100> textured thic... The <100> textured growth of diamond film on HF eroded silicon wafer has been studied by HFCVD. The evolution of grain size and sudece morphology vs deposition time is presented and the <100> textured thick diamond film (80μm) with smooth surface, desirable for practical application in many fields is obtained 展开更多
关键词 Textured Diamond Film on silicon Grown by Hot filament Chemical Vapor Deposition OO
下载PDF
Si3N4工程陶瓷基底金刚石涂层生长规律及性能
2
作者 吴玉厚 杨淯淼 +4 位作者 闫广宇 王贺 刘鲁生 白旭 张慧森 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期179-191,共13页
为了避免氮化硅材料因产生裂纹或延伸破裂等造成的失效,利用热丝化学气相沉积法(Hot filament chemical vapor deposition,HFCVD)在氮化硅基底上沉积具有高硬度的金刚石涂层,采用单因素影响试验,分别探究碳源浓度、腔室压力、基底温度... 为了避免氮化硅材料因产生裂纹或延伸破裂等造成的失效,利用热丝化学气相沉积法(Hot filament chemical vapor deposition,HFCVD)在氮化硅基底上沉积具有高硬度的金刚石涂层,采用单因素影响试验,分别探究碳源浓度、腔室压力、基底温度对金刚石成膜过程的影响机制,探究微米和纳米金刚石涂层的最优生长工艺参数。利用拉曼光谱仪(Raman)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同参数制备出的金刚石的形核、表面形貌、薄膜质量、表面粗糙度等进行表征,利用洛氏硬度计分析膜基结合力。结果表明,腔室压力越大,活性物质到达基底的动能越小,不利于金刚石的成核和生长。生长速率和表面粗糙度主要受甲烷浓度的影响:甲烷浓度从1%到7%,生长速率从0.84μm/h上升到1.32μm/h;表面粗糙度Ra从53.4 nm降低到23.5 nm;甲烷浓度过高导致涂层脱落严重,膜基结合力变差;晶面形貌和金刚石含量受到基底温度的影响较为明显,随着温度升高,金刚石质量提高。综合基底温度、腔室压力对金刚石涂层的影响,确定最佳生长温度为900℃,气压为1 kPa。调节甲烷浓度1%为微米金刚石;甲烷浓度5%为纳米金刚石。研究方法可以优化在陶瓷基底上制备具有优异性能的金刚石薄膜的制备参数。 展开更多
关键词 金刚石涂层 氮化硅 热丝化学气相沉积法(HFCVD)
下载PDF
Preparation and Properties of Heat Resistant Polylactic Acid(PLA)/Nano-SiO2 Composite Filament 被引量:1
3
作者 吴改红 刘淑强 +1 位作者 JIA Husheng DAI Jinming 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2016年第1期164-171,共8页
In order to improve the thermal properties of polylactic acid(PLA) filament,nano-SiO_2 was applied to mix with PLA,then they were spun as composite filament by melt-spinning.The dispersion of nano SiO_2 and the frac... In order to improve the thermal properties of polylactic acid(PLA) filament,nano-SiO_2 was applied to mix with PLA,then they were spun as composite filament by melt-spinning.The dispersion of nano SiO_2 and the fracture surfaces of filaments were studied by scanning electron microscopy(SEM).The properties of composite filament,such as orientation degree,mechanical properties,and surface friction properties,were analyzed.The thermal performances of composite filament were analyzed by differential scanning calorimetry(DSC) and thermo gravimetric analysis(TGA).The results showed that the nano-SiO_2 modified by 5% KH-550 could disperse evenly and loosely in nano-scale,and 1 wt% and 3 wt% nano-SiO_2 dispersed throughout PLA evenly.As the quantity of nano-SiO_2 increased,the properties of composite filament,such as orientation degree,friction coefficient,thermal decomposition temperature,and glass transition temperature,increased more or less.The breaking tenacity increased when 1 wt% SiO_2 was added in PLA,but declined when 3 wt% SiO_2 was added. 展开更多
关键词 polylactic acid PLA composite filament nano-silicon dioxide(nano-SiO_2) thermal property
下载PDF
硅芯制备技术及对沉积多晶硅棒杂质的影响 被引量:4
4
作者 史冰川 董俊 +3 位作者 李昆 黄磊 亢若谷 邱建备 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期513-516,485,共5页
本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较。根据分析结果,... 本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较。根据分析结果,采用区熔硅芯能在一定程度上降低硅芯对硅棒的杂质贡献。 展开更多
关键词 硅芯 杂质分凝 杂质挥发 坩埚污染
下载PDF
CVD-SiC纤维的抗氧化性研究 被引量:1
5
作者 郑敏 张蓬洲 《耐火材料》 CAS 北大核心 1996年第3期137-140,共4页
研究了氧化温度及时间对CVD-SiC(W芯)纤维抗拉强度的影响,并利用XPS技术1)测试了不同氧化温度及时间下的纤维表面氧化产物SiO2的相对百分含量。结果表明,1000℃以下特别是850℃以下纤维具有优异的抗氧化性... 研究了氧化温度及时间对CVD-SiC(W芯)纤维抗拉强度的影响,并利用XPS技术1)测试了不同氧化温度及时间下的纤维表面氧化产物SiO2的相对百分含量。结果表明,1000℃以下特别是850℃以下纤维具有优异的抗氧化性能,并且氧化温度对纤维的氧化程度的影响远远大于氧化时间对其的影响,氧化温度是导致纤维强度退化的主要因素。 展开更多
关键词 化学气相沉积 抗拉强度 碳化硅纤维 抗氧化性
下载PDF
HFCVD法制备SiC薄膜工艺 被引量:5
6
作者 赵武 王雪文 +1 位作者 邓周虎 张志勇 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期247-250,共4页
分析研究了热丝化学汽相沉积 (HFCVD)法工艺参数的变化对 Si C薄膜质量的影响。结果表明 ,合理的选取工艺参数 ,可在较低温度 (70 0~ 90 0℃ )下 ,沿 Si(1 1 1 )晶向异质生长出高质量的准晶 Si C薄膜。
关键词 HFCVD法 SIC薄膜 低温生长 碳化硅薄膜 准晶 热丝化学汽相沉积法 制备工艺 半导体材料
下载PDF
真空中冲击电压下硅半导体的泄漏电流及沿面闪络特性 被引量:8
7
作者 张冠军 严璋 +2 位作者 刘源兴 安冈康一 石井彰三 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第5期53-57,共5页
在冲击电压下 ,通过在真空中对采用和未采用化学腐蚀表面处理的硅半导体的实验表明 ,试品的表面状况对其泄漏电流和沿面闪络特性有着很大的影响 ,在沿面闪络之前 ,未经处理试品的泄漏电流表现为欧姆性电流 ,而表面处理过的试品表现为空... 在冲击电压下 ,通过在真空中对采用和未采用化学腐蚀表面处理的硅半导体的实验表明 ,试品的表面状况对其泄漏电流和沿面闪络特性有着很大的影响 ,在沿面闪络之前 ,未经处理试品的泄漏电流表现为欧姆性电流 ,而表面处理过的试品表现为空间电荷限制电流特性 ;同时两类试品表面的放电通道也表现出不同的特征。提出了一个新的模型来描述半导体材料沿面闪络的发展过程 ,即由焦耳热效应诱导的电流细丝现象而发展成最终的闪络 ,并认为这是一个发生在半导体表层内的过程 ,在靠近真空的侧面这一表层厚度约为 2 μm。 展开更多
关键词 硅半导体 泄漏电流 沿面闪络 冲击电压 真空
下载PDF
热丝法低温生长硅上单晶碳化硅薄膜 被引量:5
8
作者 张荣 施洪涛 +3 位作者 郑有 于是东 何宇亮 刘湘娜 《高技术通讯》 CAS CSCD 1994年第11期10-13,共4页
提出了热丝化学气相淀积法,在低温(600-750℃)下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜,X光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构,光致发光测量证明外延SiC材料室温下可稳定发射可见光。
关键词 热丝法 低温生长 碳化硅 单晶
下载PDF
CVD纳米金刚石@碳化硅复合粉末导热填料制备工艺研究
9
作者 关春龙 秦越 +2 位作者 易剑 虞锦洪 江南 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2020年第3期377-383,共7页
通过改变甲烷浓度、热丝功率、热丝丝距以及沉积时间等参数,利用热丝化学气相沉积(HFCVD)工艺,在β-碳化硅(β-SiC)粉末上沉积了一层纳米金刚石(ND)涂层,制备了ND@SiC复合粉末导热填料,并利用扫描电子显微镜、拉曼光谱、透射电子显微镜... 通过改变甲烷浓度、热丝功率、热丝丝距以及沉积时间等参数,利用热丝化学气相沉积(HFCVD)工艺,在β-碳化硅(β-SiC)粉末上沉积了一层纳米金刚石(ND)涂层,制备了ND@SiC复合粉末导热填料,并利用扫描电子显微镜、拉曼光谱、透射电子显微镜以及热重分析等,对所得填料进行了表征。结果表明,SiC粉末表面涂覆了一层纳米金刚石涂层,形成了ND@SiC结构;当沉积参数为甲烷浓度5%、热丝功率4×1000 W、热丝丝距8 mm,沉积时间2×3 h时,制备的ND@SiC复合粉末具有理想的显微结构,复合粉末中金刚石的含量占粉体总重量的9.31%。 展开更多
关键词 纳米金刚石 碳化硅 热丝化学气相沉积 导热填料
下载PDF
氮流量对热丝制备富硅-氮化硅薄膜的结构及性质影响 被引量:5
10
作者 高爱明 周炳卿 +1 位作者 张林睿 乌仁图雅 《信息记录材料》 2016年第1期53-58,共6页
采用热丝化学气相沉积法,以Si H4、NH3、N2作为反应气源,通过改变氮气流量来制备富硅-氮化硅薄膜材料。通过傅里叶红外变换谱、紫外-可见光吸收谱、光致发光谱、扫描电镜分别对薄膜的结构、带隙宽度、发光特性及表面形貌进行表征与分析... 采用热丝化学气相沉积法,以Si H4、NH3、N2作为反应气源,通过改变氮气流量来制备富硅-氮化硅薄膜材料。通过傅里叶红外变换谱、紫外-可见光吸收谱、光致发光谱、扫描电镜分别对薄膜的结构、带隙宽度、发光特性及表面形貌进行表征与分析。实验结果表明,随着氮气流量增加,薄膜中N原子含量减少,镶嵌在氮化硅母质中的硅团簇增大,Si-N键的键密度逐渐减少,薄膜的光学带隙Eg和带尾能EU呈现减小的趋势,薄膜有序度增加,且由氮悬挂键所引起的缺陷态发光峰增强。当氮气流量为30sccm时,Si-N键的非对称伸缩模式和Si-H键伸缩振动模发生了蓝移,当[N2]/[NH3]流量比小于5:1时,氮气流量对薄膜中氮含量的影响非常明显,适当地降低氮流量有利于制备出富硅-氮化硅薄膜。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉淀法 富硅-氮化硅 微结构 发光特性
下载PDF
沉积温度对碳芯SiC纤维微观结构的影响 被引量:2
11
作者 赵松 史景利 +2 位作者 魏兴海 闫曦 刘朗 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期36-40,共5页
以沥青基碳单丝为基体,一甲基三氯硅烷为碳化硅前驱体,使用通电加热的冷壁CVD工艺,温度在1 473~1 773 K,制备了碳芯SiC纤维。采用扫描电子显微镜和拉曼光谱对纤维的表面形貌及结构进行了表征,研究了沉积温度对其结构的影响。结果表明,... 以沥青基碳单丝为基体,一甲基三氯硅烷为碳化硅前驱体,使用通电加热的冷壁CVD工艺,温度在1 473~1 773 K,制备了碳芯SiC纤维。采用扫描电子显微镜和拉曼光谱对纤维的表面形貌及结构进行了表征,研究了沉积温度对其结构的影响。结果表明,SiC涂层为β-SiC晶型。沉积温度的升高引起了沉积速率的增加以及SiC涂层晶粒尺寸的长大。同时,导致碳芯中心区域发生结构重排,引起了该区域取向度的提高以及晶粒尺寸的减小。 展开更多
关键词 化学气相沉积 碳芯 SIC纤维 微观结构
下载PDF
热丝法制备硅纳晶颗粒及其发光性质
12
作者 孙世菊 胡亦 韩伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第9期573-576,共4页
利用热丝化学气相沉积法,在真空腔中通过选择设定不同加热功率的热丝热解硅烷制备出一系列不同颗粒尺寸的硅纳米颗粒样品。透射电镜分析表明硅纳米颗粒具有结晶良好的纳晶结构。通过自然氧化钝化硅纳米颗粒表面,消除表面悬键的影响,使... 利用热丝化学气相沉积法,在真空腔中通过选择设定不同加热功率的热丝热解硅烷制备出一系列不同颗粒尺寸的硅纳米颗粒样品。透射电镜分析表明硅纳米颗粒具有结晶良好的纳晶结构。通过自然氧化钝化硅纳米颗粒表面,消除表面悬键的影响,使得硅颗粒具有高效的光致发光特性,发光范围在红光到近红外区,发光特性与量子限域效应相吻合。发光寿命测量表明所制备的硅颗粒的发光寿命在微秒量级,并且通过比较不同硅颗粒分布样品中相同发光波长衰减寿命的差异,揭示了所制备样品中硅纳米颗粒之间存在耦合作用。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 硅纳米颗粒 光致发光 量子限域效应 衰减寿命
下载PDF
灯丝温度对热丝CVD法制备p型氢化纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响 被引量:3
13
作者 潘园园 沈鸿烈 +2 位作者 张磊 吴天如 江丰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期284-289,共6页
本文采用热丝化学气相沉积法在不同灯丝温度(1650~1850℃)下沉积了p型氢化纳米晶硅薄膜,研究了灯丝温度对薄膜微结构、光学性能及电学性能的影响。结果表明,随着灯丝温度的升高,薄膜的晶化率先增大后略微减小,最大值是55.5%。载流子浓... 本文采用热丝化学气相沉积法在不同灯丝温度(1650~1850℃)下沉积了p型氢化纳米晶硅薄膜,研究了灯丝温度对薄膜微结构、光学性能及电学性能的影响。结果表明,随着灯丝温度的升高,薄膜的晶化率先增大后略微减小,最大值是55.5%。载流子浓度和霍尔迁移率先分别从5×1017cm-3和0.27 cm2/V.s增加到1.32×1020cm-3和0.43 cm2/V.s后略微减小,同时电导率从0.02 S/cm显著增加到8.95 S/cm,而电导激活能则从271.5 meV急剧减小至25 meV。 展开更多
关键词 灯丝温度 氢化纳米晶硅 热丝化学气相沉积 微结构 电学性能
下载PDF
镀铜玻璃衬底上柱状多晶硅薄膜的制备 被引量:1
14
作者 王丽春 张贵锋 +1 位作者 侯晓多 姜辛 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期75-79,83,共6页
采用热丝化学气相沉积方法在镀铜玻璃衬底上制备了柱状多晶硅薄膜。使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了灯丝与衬底间距(5~10mm)、灯丝温度(1800~1500℃)以及对应的衬底温度(在320... 采用热丝化学气相沉积方法在镀铜玻璃衬底上制备了柱状多晶硅薄膜。使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了灯丝与衬底间距(5~10mm)、灯丝温度(1800~1500℃)以及对应的衬底温度(在320~200℃变化)对多晶硅薄膜的微观形貌、结晶性及晶体学生长方向的影响规律。研究结果表明:在镀铜玻璃衬底上金属诱导生长的多晶硅薄膜具有较高的晶化率,较低的晶化温度,同时铜过渡层影响多晶硅薄膜的晶体学生长方向。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 铜金属诱导层 热丝法化学气相沉积 择优取向 晶粒形态 晶化率
下载PDF
碳化硅纤维长丝机织预制件织造关键技术 被引量:1
15
作者 田秀梅 马晓东 +2 位作者 张博 田西锋 赵玉梅 《航空制造技术》 北大核心 2014年第6期83-85,共3页
碳化硅SiC纤维具有高强度、高模量、耐高温等特性,主要用于耐高温材料和复合材料增强相,但因其脆性大,织造过程易起毛、断裂,故较难实现自动化织造。分析了碳化硅纤维的性能及对织造过程带来的困难,介绍了赛菲集团碳化硅纤维长丝织造的... 碳化硅SiC纤维具有高强度、高模量、耐高温等特性,主要用于耐高温材料和复合材料增强相,但因其脆性大,织造过程易起毛、断裂,故较难实现自动化织造。分析了碳化硅纤维的性能及对织造过程带来的困难,介绍了赛菲集团碳化硅纤维长丝织造的专用设备,重点介绍了其整经和多经轴送经系统以及碳化硅纤维长丝结构工艺设计的要领。 展开更多
关键词 碳化硅纤维长丝 机织 2 5D结构
下载PDF
Friction and Cutting Properties of Hot-Filament Chemical Vapor Deposition Micro-and Fine-grained Diamond Coated Silicon Nitride Inserts 被引量:4
16
作者 杨国栋 沈彬 孙方宏 《Journal of Shanghai Jiaotong university(Science)》 EI 2010年第5期519-525,共7页
The micro-crystalline diamond (MCD) and fine-grained diamond (FGD) films are deposited on commercial silicon nitride inserts by the hot-filament chemical vapor deposition (HFCVD) method. The friction andcutting proper... The micro-crystalline diamond (MCD) and fine-grained diamond (FGD) films are deposited on commercial silicon nitride inserts by the hot-filament chemical vapor deposition (HFCVD) method. The friction andcutting properties of as-deposited MCD and FGD films coated silicon nitride (Si3N4) inserts are comparatively investigated in this study. The scanning electron microscopy (SEM) and Raman spectroscopy are adopted to studythe characterization of the deposited diamond films. The friction tests are conducted on a ball-on-plate typereciprocating friction tester in ambient air using Co-cemented tungsten carbide (WC-Co), Si3N4 and ball-bearing steel (BBS) balls as the mating materials of the diamond films. For sliding against WC-Co, Si3N4 and BBS,the FGD film presents lower friction coeffcients than the MCD film. However, after sliding against Si3N4, the FGD film is subject to more severe wear than the MCD film. The cutting performance of as-deposited MCD and FGD coated Si3N4 inserts is examined in dry turning glass fiber reinforced plastics (GFRP) composite materials,comparing with the uncoated Si3N4 insert. The results indicate that the lifetime of Si3N4 inserts can be prolonged by depositing the MCD or FGD film on them and the FGD coated insert shows longer cutting lifetime than the MCD coated one. 展开更多
关键词 silicon nitride hot-filament chemical vapor deposition(HFCVD) friction and wear glass fiber reinforced plastics(GFRP)
原文传递
甲烷浓度对碳化硅基底金刚石薄膜摩擦性能影响 被引量:2
17
作者 王贺 沈建辉 +2 位作者 闫广宇 吴玉厚 张慧森 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第11期2067-2074,共8页
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在碳化硅基底上制备金刚石薄膜,采用场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜研究了在不同甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜表面形貌及物相组成,在干摩擦条件下通过往复式摩擦磨损实验测试并计算... 利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在碳化硅基底上制备金刚石薄膜,采用场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜研究了在不同甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜表面形貌及物相组成,在干摩擦条件下通过往复式摩擦磨损实验测试并计算了已制备金刚石薄膜的摩擦系数和磨损率,结合物相分析及摩擦磨损实验结果分析了甲烷浓度的改变对金刚石薄膜摩擦磨损性能的影响。结果表明,由于甲烷气体含量的升高,金刚石薄膜结晶质量下降,薄膜由微米晶向纳米晶转变。摩擦磨损实验结果显示:3%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜耐磨性较好,磨损率为2.2×10^(-7) mm^(3)/mN;5%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜摩擦系数最低(0.032),磨损率为5.7×10^(-7) mm^(3)/mN,制备的金刚石薄膜的耐磨损性能相比于碳化硅基底(磨损率为9.89×10^(-5) mm^(3)/mN)提升了两个数量级,显著提高了碳化硅基底的耐磨性。 展开更多
关键词 金刚石 甲烷浓度 摩擦磨损 热丝化学气相沉积 碳化硅基底 耐磨性 磨损率 摩擦系数
下载PDF
多组分吸湿凉爽舒适性针织内衣面料生产实践 被引量:3
18
作者 何立锋 钟国能 +1 位作者 刘冰 毛永强 《针织工业》 北大核心 2020年第2期6-8,共3页
采用8.3 tex/36 f(75 D/36 f)纳米硅扁平聚酯长丝与11.1 tex/144 f(100 D/144 f)超细旦聚酯长丝交织,结合架空添纱工艺,在28针/25.4 mm的佰龙单面大圆机上,开发一款吸湿速干针织内衣面料。采用18.0 tex(32^S)聚酯纤维、黏胶、精梳棉赛... 采用8.3 tex/36 f(75 D/36 f)纳米硅扁平聚酯长丝与11.1 tex/144 f(100 D/144 f)超细旦聚酯长丝交织,结合架空添纱工艺,在28针/25.4 mm的佰龙单面大圆机上,开发一款吸湿速干针织内衣面料。采用18.0 tex(32^S)聚酯纤维、黏胶、精梳棉赛络紧密纺混纺纱(50∶25∶25),在28针/25.4 mm的福原单面大圆机上,开发一款多组分吸湿凉爽舒适性针织内衣面料。阐述原料选择、编织工艺及染整工艺,并对面料性能进行测试。结果表明,开发的多组分吸湿凉爽舒适性针织内衣面料具有吸湿凉爽、质轻、弹性好、透湿、透气、穿着舒适等特点,面料服用性能良好。 展开更多
关键词 针织内衣面料 多组分纤维混纺纱 纳米硅扁平聚酯长丝 吸湿凉爽 吸湿速干 编织工艺
下载PDF
SiC基底HFCVD金刚石薄膜摩擦磨损性能
19
作者 王贺 沈建辉 +4 位作者 刘鲁生 闫广宇 吴玉厚 熊家骥 DANIEL Cristea 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2022年第3期283-289,共7页
利用热丝化学气相沉积技术在碳化硅基底上制备微米金刚石薄膜、纳米金刚石薄膜和金刚石–石墨复合薄膜,采用扫描电子显微镜、原子力显微镜和拉曼光谱仪对不同金刚石薄膜的表面形貌和微观结构进行表征,通过摩擦磨损实验测试金刚石薄膜的... 利用热丝化学气相沉积技术在碳化硅基底上制备微米金刚石薄膜、纳米金刚石薄膜和金刚石–石墨复合薄膜,采用扫描电子显微镜、原子力显微镜和拉曼光谱仪对不同金刚石薄膜的表面形貌和微观结构进行表征,通过摩擦磨损实验测试金刚石薄膜的摩擦系数并计算其磨损率,对比研究不同种类金刚石薄膜的摩擦磨损性能。结果表明:金刚石–石墨复合薄膜具有较好的摩擦磨损性能,薄膜表面粗糙度为53.8 nm,摩擦系数为0.040,和纳米金刚石薄膜(0.037)相当;金刚石–石墨复合薄膜的磨损率最低,为2.07×10^(−7)mm^(3)·N^(−1)·m^(−1)。在相同实验条件下,同碳化硅基底的磨损率(9.89×10^(−5)mm^(3)·N^(−1)·m^(−1))和摩擦系数(0.580)相比,所有金刚石薄膜的磨损率和摩擦系数均有明显提升,说明在SiC基体表面沉积金刚石薄膜能够显著提高碳化硅材料在摩擦学领域的使役性能。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 碳化硅 石墨 摩擦磨损 化学气相沉积
下载PDF
浅析用于多晶硅沉积的硅芯
20
作者 李斌 杨楠 +1 位作者 陈林 李寿琴 《四川化工》 CAS 2022年第2期20-24,共5页
从表面反应的相界面积着手分析了硅芯直径对质量沉积速度的影响。通过加大硅芯的直径来提高多晶硅反应面积,可以显著提高多晶硅的质量沉积速度。同时通过分析硅芯直径对沉积时间、单根硅棒的沉积质量、年运行批次以及60对棒还原炉单炉... 从表面反应的相界面积着手分析了硅芯直径对质量沉积速度的影响。通过加大硅芯的直径来提高多晶硅反应面积,可以显著提高多晶硅的质量沉积速度。同时通过分析硅芯直径对沉积时间、单根硅棒的沉积质量、年运行批次以及60对棒还原炉单炉年产量,认为在Ri=1.5kg·m^(-2)h^(-1),最终硅棒直径为φ150mm时,采用φ100mm的硅芯可以获得最大的单炉年产量,同时还原电耗可以降低6.64kWh/kg·Si左右。目前普遍使用的细实心硅芯存在影响多晶硅产量和能耗方面的不足之处,而其他横截面型式如矩形硅芯、菱形(三角形)硅芯、管状硅芯以及组合硅芯等,除能提高多晶硅产量和降低还原能耗外,在硅芯原料成本和制备方法上,都具有优势和竞争力。同时建议将EFG方法用于制备硅芯作为技术储备并开展研究。 展开更多
关键词 多晶硅 硅芯 沉积 电耗
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部