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Dielectric properties of spark plasma sintered AlN/SiC composite ceramics 被引量:4
1
作者 Peng Gao Cheng-chang Jia +3 位作者 Wen-bin Cao Cong-cong Wang Dong Liang Guo-liang Xu 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第6期589-594,共6页
In this study, we have investigated how the dielectric loss tangent and permittivity of AlN ceramics are affected by factors such as powder mixing methods, milling time, sintering temperature, and the addition of a se... In this study, we have investigated how the dielectric loss tangent and permittivity of AlN ceramics are affected by factors such as powder mixing methods, milling time, sintering temperature, and the addition of a second conductive phase. All ceramic samples were pre-pared by spark plasma sintering (SPS) under a pressure of 30 MPa. AlN composite ceramics sintered with 30wt%-40wt%SiC at 1600℃ for 5 min exhibited the best dielectric loss tangent, which is greater than 0.3. In addition to AlN and β-SiC, the samples also contained 2H-SiC and Fe5Si3, as detected by X-ray difraction (XRD). The relative densities of the sintered ceramics were higher than 93%. Experimental results indicate that nano-SiC has a strong capability of absorbing electromagnetic waves. The dielectric constant and dielectric loss of AlN-SiC ce-ramics with the same content of SiC decreased as the frequency of electromagnetic waves increased from 1 kHz to 1 MHz. 展开更多
关键词 ceramic materials composite materials aluminum nitride silicon carbide spark plasma sintering dielectric losses
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电子封装陶瓷基片材料的研究进展 被引量:41
2
作者 李婷婷 彭超群 +2 位作者 王日初 王小锋 刘兵 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1365-1374,共10页
总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好。分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较... 总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好。分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较强;指出陶瓷基片材料和薄片陶瓷成型工艺的发展趋势。 展开更多
关键词 电子封装材料 AL2O3陶瓷 ALN陶瓷 BeO陶瓷 SIC陶瓷 SI3N4陶瓷 流延成型 凝胶注模成型
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Al_2O_3-AlN-TiC复合陶瓷的制备与微观结构 被引量:14
3
作者 蔡克峰 南策文 袁润章 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期430-433,共4页
用反应烧结和气氛烧结技术制备Al_2O_3-AlN-TiC复合陶瓷,用XRD,SEM等测试手段进行了微观结构的研究,结果表明,用该技术制备的复相陶瓷含有纳米级的AlN晶粒,从而使得在较低的烧结温度下可以制得比较致密的... 用反应烧结和气氛烧结技术制备Al_2O_3-AlN-TiC复合陶瓷,用XRD,SEM等测试手段进行了微观结构的研究,结果表明,用该技术制备的复相陶瓷含有纳米级的AlN晶粒,从而使得在较低的烧结温度下可以制得比较致密的Al_2O_3-AlN-TiC复合陶瓷。 展开更多
关键词 氧化铝 氮化铝 碳化钛 复合陶瓷 微观结构 制备
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化学激励燃烧合成Si_3N_4/SiC复合粉体的研究 被引量:9
4
作者 蔡海荣 田士勇 +1 位作者 李江涛 徐久军 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期316-319,共4页
研究了利用聚四氟乙烯作活化剂时Si/C混合粉末在氮气中燃烧合成Si3N4/SiC复合粉体。结果表明 :当聚四氟乙烯的加入量为 10 %(质量分数 )时可有效激励Si-C弱放热反应 ,使之以燃烧合成方式生成Si3N4/SiC复相粉。在埋粉条件下Si/C/SiC混合... 研究了利用聚四氟乙烯作活化剂时Si/C混合粉末在氮气中燃烧合成Si3N4/SiC复合粉体。结果表明 :当聚四氟乙烯的加入量为 10 %(质量分数 )时可有效激励Si-C弱放热反应 ,使之以燃烧合成方式生成Si3N4/SiC复相粉。在埋粉条件下Si/C/SiC混合粉末也可以实现燃烧合成Si3N4/SiC复相粉。氮气参与反应时可进一步提高燃烧反应温度 ,并且首先以气相 -晶体生长机制生成Si3N4,然后在高温贫氮的反应前沿Si3N4分解 ,再与C反应生成SiC。在Si3N4/SiC复合粉中Si3N4形貌以晶须为主。综合X射线衍射分析、扫描电镜观察及原子力显微镜观察对实验结果进行了讨论 。 展开更多
关键词 氮化硅 碳化硅 化学激励 燃烧合成 复相陶瓷粉末
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SiC-Al_2O_3基复相陶瓷的N_2-HIP研究 被引量:6
5
作者 黄政仁 江东亮 谭寿洪 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期30-34,共5页
通过对热压SiCAl2O3复合材料进行N2HIP后处理,制备得到Si3N4AlN/SiCAl2O3梯度材料,经N2HIP处理后,材料抗弯强度提高35%~95%,并得到抗弯强度达1030MPa的Si3N4AlN/SiC... 通过对热压SiCAl2O3复合材料进行N2HIP后处理,制备得到Si3N4AlN/SiCAl2O3梯度材料,经N2HIP处理后,材料抗弯强度提高35%~95%,并得到抗弯强度达1030MPa的Si3N4AlN/SiCpSiCwAl2O3复合材料。XRD和SEM分析显示,表面氮化层主要由氮化物的细小晶粒组成,晶粒尺寸(约0.5μm)较内部晶粒尺寸(约2.0μm)小很多,说明高氮压力条件抑制了氮化产物的晶粒生长。研究了经N2HIP处理后性能改进原因,认为主要的性能改进机理是:(1)表面氮化层压应力;(2)表面结构细化;(3)材料整体HIP致密化;(4)表面缺陷和开口气孔的部分愈合。 展开更多
关键词 氮化硅 碳化硅 氧化铝 氮化铝 复合陶瓷 陶瓷
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几类典型结构陶瓷材料的冲蚀磨损行为研究 被引量:13
6
作者 沈志坚 方中华 丁子上 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期385-392,共8页
研究了几类典型结构陶瓷材料,如Al_2O_3,SiC,Si_3N_4陶瓷,Al_2O_3-ZrO_2系相变增韧陶瓷(ZTA,TZP)和SIC_w/Si_3N_4系晶须补强陶瓷(WRSN)在90m/s下的冲蚀窘损性能,以及其与材料性能(硬度,断裂韧性)和冲蚀条件(粒子硬度,冲击角度)之间的关... 研究了几类典型结构陶瓷材料,如Al_2O_3,SiC,Si_3N_4陶瓷,Al_2O_3-ZrO_2系相变增韧陶瓷(ZTA,TZP)和SIC_w/Si_3N_4系晶须补强陶瓷(WRSN)在90m/s下的冲蚀窘损性能,以及其与材料性能(硬度,断裂韧性)和冲蚀条件(粒子硬度,冲击角度)之间的关系,分析了冲蚀磨损机制。陶瓷材料的低角冲蚀磨损机制主要包括:研磨状损伤,犁沟状微切削损伤和晶粒剥落。低角冲蚀窘损亭随材料硬度的增加而降低。高角冲蚀窘损机制主要为Hertzian应力作用下的脆性断裂和由表面裂纹的扩展与贯穿而引起的群晶剥落。高角冲蚀磨损率随材料韧性的提高而降低。ZTA和WRSN复合材料表现出较低的冲蚀磨损率,这是由于其中相变增韧机制和晶须补强机制耗散了裂纹扩展能,阻碍了裂纹扩展与贯穿,从而抑制晶粒群体剥落。 展开更多
关键词 磨损 陶瓷复合材料 腐蚀
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SiC-AlN固溶体的XRD和NMR研究 被引量:4
7
作者 谭寿洪 陈忠明 +1 位作者 林庆玲 岳勇 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期345-349,共5页
用无压烧结法制得了AlN含量少的SiCAlN固溶体。用X射线衍射法(XRD)和固体魔角旋转核磁共振实验(MASNMR)对固溶体进行了研究。确定了生成单相固溶体的AlN最低质量含量为5%~7%。对实验结果进行了讨论。
关键词 固溶体 碳化硅陶瓷 氮化铝陶瓷 XRD NMR 烧成
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连续陶瓷纤维的制备、结构、性能和应用:研究现状及发展方向 被引量:39
8
作者 陈代荣 韩伟健 +8 位作者 李思维 卢振西 邱海鹏 邵长伟 王重海 王浩 张铭霞 周新贵 朱陆益 《现代技术陶瓷》 CAS 2018年第3期151-222,共72页
连续陶瓷纤维是纤维增强陶瓷基复合材料的增强体,对提高陶瓷基复合材料的强度和韧性起关键作用,高损伤容限和高强度陶瓷纤维是阻止裂纹扩展实现陶瓷基复合材料强韧化的保障。本文对碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化铝和氧化锆等几种陶瓷纤... 连续陶瓷纤维是纤维增强陶瓷基复合材料的增强体,对提高陶瓷基复合材料的强度和韧性起关键作用,高损伤容限和高强度陶瓷纤维是阻止裂纹扩展实现陶瓷基复合材料强韧化的保障。本文对碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化铝和氧化锆等几种陶瓷纤维的制备方法、结构、性能和应用等方面进行了全面的综述,指出了今后的发展方向,期望为未来陶瓷纤维的研究、开发及应用提供参考。 展开更多
关键词 陶瓷纤维 碳化硅 氮化硅 氮化硼 氧化铝 氧化锆
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氮化硅-氧氮化硅复合粉对Al2O3-SiC-C铁沟料性能的影响 被引量:5
9
作者 王玉龙 王玺堂 +3 位作者 王周福 刘浩 马妍 朱万政 《耐火材料》 CAS 北大核心 2019年第6期419-422,共4页
为了进一步提高Al 2O3-SiC-C出铁沟浇注料的性能并降低其生产成本,在其中加入质量分数分别为0、2%、4%、6%、8%的氮化硅-氧氮化硅复合粉等量替代其中的碳化硅粉,加水搅拌均匀后,检测料浆的流动性,再经浇注成型、养护、烘干、不同温度(80... 为了进一步提高Al 2O3-SiC-C出铁沟浇注料的性能并降低其生产成本,在其中加入质量分数分别为0、2%、4%、6%、8%的氮化硅-氧氮化硅复合粉等量替代其中的碳化硅粉,加水搅拌均匀后,检测料浆的流动性,再经浇注成型、养护、烘干、不同温度(800、1100和1450℃)热处理等程序制成浇注料试样,然后检测浇注料试样的线变化率、显气孔率、体积密度、常温抗折强度、热态抗折强度和抗渣性,并采用XRD分析浇注料试样的物相组成。结果表明:1、加入氮化硅-氧氮化硅复合粉后,Al 2O3-SiC-C出铁沟浇注料的初始流动值减小,烧后线变化率、显气孔率、体积密度、常温抗折强度和热态抗折强度变化不大,抗高炉渣侵蚀性提高。2、综合考虑,氮化硅-氧氮化硅复合粉的最佳加入量为4%(w)。 展开更多
关键词 Al2O3-SiC-C铁沟料 氮化硅 氧氮化硅 复合粉 流动性 高温使用性能
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SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究 被引量:3
10
作者 高鹏 贾成厂 +4 位作者 曹文斌 崔照雯 常宇宏 刘建金 王聪聪 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期248-253,共6页
以氮化铝和纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1 600 ℃下保温5 min,放电等离子烧结(以下简称SPS),制备了AlN-SiC复合陶瓷.利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284A LRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损... 以氮化铝和纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1 600 ℃下保温5 min,放电等离子烧结(以下简称SPS),制备了AlN-SiC复合陶瓷.利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284A LRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损耗和介电性能进行分析.结果表明,AlN-SiC复合陶瓷的致密度在91%以上,物相主要有作为原料的AlN和β-SiC,以及烧结之后生成的2H-SiC和Fe5 Si3;随着SiC含量的增加,材料的介电损耗,介电常数相应增加;SiC含量在30%~40%(质量分数,下同)之间,1 MHz以下的损耗角正切tanδ≥0.3,表明纳米SiC具有较强的吸波性能.相同含量的碳化硅,材料的介电常数和介电损耗随着频率的增加而降低. 展开更多
关键词 AlN-SiC复合陶瓷 氮化铝 纳米碳化硅 SPS 介电损耗
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无压烧结SiC-AlN复相陶瓷的显微结构 被引量:3
11
作者 潘裕柏 谭寿洪 江东亮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期428-432,共5页
对于SiC与AlN在1800℃以上可以发生反应形成固溶体的研究结果有益于碳化硅陶瓷的烧结.在2100℃Ar气氛的条件下,通过XRD、SEM和TEM等分析手段测试样品的颗粒界面、断裂面和组成后发现,烧结过程中AlN扩散... 对于SiC与AlN在1800℃以上可以发生反应形成固溶体的研究结果有益于碳化硅陶瓷的烧结.在2100℃Ar气氛的条件下,通过XRD、SEM和TEM等分析手段测试样品的颗粒界面、断裂面和组成后发现,烧结过程中AlN扩散并均匀地分市在整个坯体之中,SiC颗粒在原位长大成无序排列的长5~8μm、宽为1μm的棒状晶体结构.SiC-AlN复相材料的断裂面呈现出拨出与撕裂二种效果,其抗弯强度和断裂韧性分别可达到420MPa和4.83MPa. 展开更多
关键词 碳化硅 氮化铝 复相陶瓷 显微结构 烧成
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AlN-Re_2O_3液相烧结碳化硅(英文) 被引量:2
12
作者 吴澜尔 陈宇红 +1 位作者 江涌 黄振坤 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期593-596,共4页
采用非氧化物AlN和Re2O3作为复合烧结助剂(Re2O3-La2O3与Y2O3)进行碳化硅液相烧结得到了致密的烧结体。烧结助剂占原料粉体总质量的20%,其中:AlN与(La0.5Y0.5)2O3的摩尔比为2:1,在30MPa压力下,1 850℃保温0.5 h热压烧结的碳化硅陶瓷,抗... 采用非氧化物AlN和Re2O3作为复合烧结助剂(Re2O3-La2O3与Y2O3)进行碳化硅液相烧结得到了致密的烧结体。烧结助剂占原料粉体总质量的20%,其中:AlN与(La0.5Y0.5)2O3的摩尔比为2:1,在30MPa压力下,1 850℃保温0.5 h热压烧结的碳化硅陶瓷,抗弯强度>800 MPa,断裂韧性>8 MPa.m1/2,明显高于同组分1 950℃无压烧结0.5 h的碳化硅陶瓷的抗弯强度(433.7 MPa)和断裂韧性(4.8 MPa.m1/2)。热压烧结的陶瓷晶粒呈单向生长,断裂模式为沿晶断裂。同组分无压烧结碳化硅陶瓷的显微结构可以观察到核壳结构。 展开更多
关键词 碳化硅 氮化铝 液相烧结 结构陶瓷 稀土氧化物
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Si_3N_4—MgAl_2O_4—Al_2O_3系材料无压烧结的研究 被引量:3
13
作者 刘宏 王连增 +1 位作者 李元宝 荆伟才 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期7-11,共5页
本文对Si_3N_4—MgAl_2O_4—Al_2O_3系复合材料的无压烧结进行了研究。讨论了Al_2O_3含量对材料性能的影响及烧结工艺对材料性能和显微结构的相互关系。实验表明:两段法烧结可以得到性能良好的Si_3N_4—MgAl_2O_4—Al_2O_3复合材料。
关键词 陶瓷复合材料 氮化硅 氧化铝 无压烧结 尖晶石
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AlN/SiC_w(Y_2O_3+SiO_2)复合材料热处理增强研究 被引量:2
14
作者 李凝芳 张宏泉 周毅 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期228-234,共7页
研究了热处理对AlN/SiC_w(Y_2O_3+SiO_2)复合材料机械性能的影响。结果表明,该材料经热处理后强度提高,当添加剂Y_2O_3/SiO_2=1/2.5摩尔比时,提高幅度最大。经XRD,SEM,TEM/EDAX... 研究了热处理对AlN/SiC_w(Y_2O_3+SiO_2)复合材料机械性能的影响。结果表明,该材料经热处理后强度提高,当添加剂Y_2O_3/SiO_2=1/2.5摩尔比时,提高幅度最大。经XRD,SEM,TEM/EDAX和HREM分析,热处理增强的机理主要是粒界玻璃相在高温氧化气氛中和AlN颗粒表层作用,生成的纤维状2H ̄δSialon相和SiC_w形成空间交错结构。 展开更多
关键词 氮化铝 碳化硅 复合材料 热处理 增强 陶瓷
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纳米SiC对Si_3N_4/SiC复相陶瓷性能及显微结构的影响(英文) 被引量:2
15
作者 张伟儒 李勇 陈文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1207-1210,共4页
本研究通过采用纳米SiC粉体及有机前驱体两种途径,制备了Si3N4/SiC粒子(Si3N4/纳米SiC)复相陶瓷,研究了纳米SiC对SiN/SiC复相陶瓷性能及显微结构的影响,讨论了材料强化的机制与显微结构的关系。
关键词 有机前驱体 氮化硅 碳化硅 复相陶瓷
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喷雾造粒制备SiC-AlN复合粉体特性及烧结性能 被引量:1
16
作者 郭兴忠 杨辉 +4 位作者 张玲洁 马奇 李海淼 高黎华 傅培鑫 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1846-1851,共6页
采用水基料浆与流态化喷雾造粒相结合制备SiC-AlN复合粉体,分析复合粉体的粉体特性、成形性能及烧结特性,探讨SiC-AlN复相陶瓷的增强增韧机制。结果表明:喷雾造粒后,复合粉体的流动特性显著提高,粒度级配合理;随着压强增加,坯体密度在4... 采用水基料浆与流态化喷雾造粒相结合制备SiC-AlN复合粉体,分析复合粉体的粉体特性、成形性能及烧结特性,探讨SiC-AlN复相陶瓷的增强增韧机制。结果表明:喷雾造粒后,复合粉体的流动特性显著提高,粒度级配合理;随着压强增加,坯体密度在40~80、80~160和160~220MPa范围内呈现阶梯式增长,160MPa以上成形后素坯均匀致密,无硬球颗粒存在;无压烧结SiC-AlN复相陶瓷具有优越的烧结性能和力学性能,这是由于AlN对SiC晶粒形成生长势垒,并反应生成2H型固溶体,从而细化晶粒,导致裂纹扩展产生了绕道与偏转效应,呈现晶粒撕裂与拨出现象,协同改善了复相陶瓷的强度及断裂韧性。 展开更多
关键词 碳化硅 氮化铝 喷雾造粒 复相陶瓷 粉体 烧结
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陶瓷人工关节的跑合和摩擦性能研究 被引量:16
17
作者 周银生 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期103-107,共5页
研究3种生物陶瓷材料(氧化铝,氮化硅和碳化硅)在水中的跑合及其摩擦特性.结果表明:跑合前,氮化硅-氮化硅摩擦副的起始摩擦因数和稳态摩擦因数最高,碳化硅-碳化硅摩擦副的起始摩擦因数和稳态摩擦因数最低;跑合后,氧化铝-氧... 研究3种生物陶瓷材料(氧化铝,氮化硅和碳化硅)在水中的跑合及其摩擦特性.结果表明:跑合前,氮化硅-氮化硅摩擦副的起始摩擦因数和稳态摩擦因数最高,碳化硅-碳化硅摩擦副的起始摩擦因数和稳态摩擦因数最低;跑合后,氧化铝-氧化铝摩擦副的稳态摩擦因数最高,碳化硅-碳化硅摩擦副的起始摩擦因数和稳态摩擦因数仍然最低.当摩擦副表面均加工到超光洁状态(表面粗糙度Ra为纳米数量级)时,碳化硅-碳化硅摩擦副的摩擦性能最佳,氧化铝-氧化铝摩擦副的摩擦性能最差.从摩擦学角度来看,碳化硅-碳化硅与氮化硅-氮化硅摩擦副有望作为合用的人工髋关节材料得以应用. 展开更多
关键词 摩擦 陶瓷 人工关节 氧化铝 氮化硅 碳化硅
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SiC-BN及Si-B-C-N复合陶瓷的研究进展 被引量:2
18
作者 杨治华 贾德昌 周玉 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期7-10,共4页
从制备工艺、组织结构及其性能的角度综述了晶态SiC-BN及非晶Si-B-C-N陶瓷材料的研究进展情况,并对碳化硅-氮化硼及非晶Si-B-C-N陶瓷材料的研究方向提出一些见解。
关键词 碳化硅 氮化硼 Si-B-C-N 复合陶瓷
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AlN-SiC固溶体陶瓷研究进展 被引量:3
19
作者 步文博 徐洁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期34-37,共4页
评述了国内外AlN-SiC固体溶体陶瓷研究工作的最新进展。着重阐述了烧结工艺,包括粉体机械混合传统烧结工艺及化学活化烧结新工艺,并对其优缺点进行了评价。认为化学活化烧结新工艺是今后制备AlN-SiC固溶体陶瓷的发展趋势,介绍了该领域... 评述了国内外AlN-SiC固体溶体陶瓷研究工作的最新进展。着重阐述了烧结工艺,包括粉体机械混合传统烧结工艺及化学活化烧结新工艺,并对其优缺点进行了评价。认为化学活化烧结新工艺是今后制备AlN-SiC固溶体陶瓷的发展趋势,介绍了该领域的最新发展动态。 展开更多
关键词 固溶体 复合超细粉末 陶瓷 氮化铝 碳化硅
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TiC/Si_3N_4导电陶瓷复合材料的制备 被引量:7
20
作者 王厚亮 李建保 +2 位作者 刘继富 李英 刘雄光 《山东陶瓷》 CAS 1999年第2期14-18,共5页
通过气压烧结工艺制备了含15,20,25,35wt%TiC的Si3N4陶瓷复合材料,研究了其导电特性。该复合材料由充当绝缘体的Si3N4和作为导电添加剂的TiC组成,其电阻率主要取决于其中的TiC含量。复合材料的渗流... 通过气压烧结工艺制备了含15,20,25,35wt%TiC的Si3N4陶瓷复合材料,研究了其导电特性。该复合材料由充当绝缘体的Si3N4和作为导电添加剂的TiC组成,其电阻率主要取决于其中的TiC含量。复合材料的渗流阈值Vc为1645~1850vol%,当TiC含量达到或超过该阈值时复合材料中就形成导电通路,电阻率迅速降低。通过控制TiC的加入量可以制取不同电阻率的TiC/Si3N4复合材料,当其中TiC的加入量达到或超过22~23wt%时,该复合材料电阻率降至0.12Ω.m以下,就能进行放电加工。 展开更多
关键词 氮化硅 碳化钛 复合材料 导电性 复合陶瓷
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