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题名基于数据融合的磁致伸缩位移校正方法
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作者
张靖春
洪凯星
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机构
中国计量大学机电工程学院
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出处
《现代电子技术》
北大核心
2024年第11期140-144,共5页
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基金
浙江省自然科学基金项目(LY22F030001)
国家自然科学基金项目(51805504)。
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文摘
针对换流变压器实际运行过程中铁芯振动信号高次谐波分量的测量准确性问题,提出一种数据校正方法,利用加速度传感器的高频敏感性特点,结合多传感器数据融合的卡尔曼滤波(KF)算法,对高频位移信号进行校正。通过分解换流变压器实际激励信号,同时搭建并改进单片硅钢片磁致伸缩特性测量实验平台,进而对不同激励下信号进行同步采集和数据融合。利用卡尔曼滤波将数据融合,并对融合前后的高频位移信号各分量占比以及信噪比进行计算对比。模拟换流变压器实际工作条件,在250Hz和350Hz单独激励时,数据融合后的位移信号的信噪比在其4倍频处分别提升7.6%、11.7%,在6倍频处的信噪比分别提升为9.5%、22.9%。实验结果表明,该方法提高了高频位移信号的测量准确性,有效地解决了传统位移传感器在高频测量方面的局限性。
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关键词
换流变压器
铁芯振动信号
数据融合
卡尔曼滤波
磁致伸缩
硅钢片
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Keywords
converter transformer
core vibration signal
data fusion
KF
magnetostriction
silicon steel wafer
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分类号
TN919-34
[电子电信—通信与信息系统]
TM27
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名四面体无定型无氢非晶碳膜的制备及其摩擦学性能研究
被引量:6
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作者
于翔
张旭
王成彪
刘兴举
傅玉娜
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机构
中国地质大学工程技术学院
北京师范大学低能核物理研究所
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出处
《摩擦学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期135-139,共5页
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文摘
采用磁过滤阴极真空弧系统分别在硅片[Si(100)]、W18Cr4V高速钢和Cr18Ni9不锈钢基体上沉积了一系列sp3键含量较高的四面体无定型无氢非晶碳膜(ta-C),研究了所合成薄膜的结构、硬度、附着强度和摩擦磨损性能,考察了基体和薄膜厚度对薄膜摩擦系数的影响,简要分析了相应ta-C膜的失效机理.结果表明,在高速钢基体上沉积的ta-C膜的显微硬度为76GPa,结合力Lc值达42N,具有优良的摩擦学性能,其摩擦系数为0.12,且摩擦系数可以在16000r范围内保持稳定.
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关键词
磁过滤真空弧
沉积
无氢非晶碳膜(ta—C)
摩擦学性能
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Keywords
Amorphous films
Elastic moduli
Friction
Magnetic filters
Mechanical properties
Microhardness
silicon wafers
Stainless steel
Tribology
Wear resistance
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分类号
TH117.3
[机械工程—机械设计及理论]
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题名高效硅片切割液TF-033的研究
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作者
陈同军
牛树怀
赵琦琦
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机构
浙江传化股份有限公司
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出处
《浙江化工》
CAS
2017年第3期17-20,共4页
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文摘
通过分子构效关系的研究及合理的配方设计,以低泡嵌段聚醚和梳型结构分散剂为主要原料,添加润湿剂、抗氧化剂、防腐剂、消泡剂等表面活性剂,研制了一种硅片切割液TF-033。它具有低粘度、高分散性、高润滑性等特点。一方面能有效解决因砂浆沉积引起的脏污片问题,提高切片稳定性和成品率,另一方面大幅降低了设备能耗,进而达到降本增效的目的。
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关键词
硅片切割液
结构钢线
金刚线
低泡嵌段聚醚
梳型结构分散剂
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Keywords
silicon wafer cutting fluid
structural steel wire
diamond wire
low foam block polyether
comb type structure dispersants
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分类号
TQ421.9
[化学工程]
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题名Ф0.070 mm金刚线母线生产技术
被引量:1
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作者
李树荣
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机构
西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司稀有金属特种材料国家重点实验室
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出处
《金属制品》
2020年第5期18-20,共3页
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文摘
直径0.070 mm的金刚线母线对直径、椭圆度、抗拉强度、破断拉力等性能要求高,通过选择合适的盘条含碳量、盘条直径,制定合适的镀铜工艺和拉拔工艺,提供一套可以满足硅片切割用的金刚线母线产品的生产工艺,生产出直径0.070 mm的金刚线母线产品,其破断拉力≥12.5 N,圈径≥100 mm,经镀砂后可用于高效切割太阳能硅片。
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关键词
金刚线母线
破断拉力
太阳能硅片
高效切割
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Keywords
steel wire for diamond wire
breaking force
solar silicon wafer
efficient cutting
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分类号
TG356.4
[金属学及工艺—金属压力加工]
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