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Complex fitting 3D closed-form Green's function and its application for silicon RF IC's
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作者 李富华 李征帆 《Journal of Systems Engineering and Electronics》 SCIE EI CSCD 2004年第3期283-287,共5页
An approximate three-dimensional closed-form Green's function with the type of exponential function is derived over a lossy multilayered substrate by means of the Fourier transforms and a novel complex fitting app... An approximate three-dimensional closed-form Green's function with the type of exponential function is derived over a lossy multilayered substrate by means of the Fourier transforms and a novel complex fitting approach. This Green's function is used to extract the capacitance matrix for an arbitrary three-dimensional arrangement of conductors located anywhere in the silicon IC substrate. Using this technique, the substrate loss in silicon integrated circuits can be analyzed. An example of inductor modeling is presented to show that the technique is quite effective. 展开更多
关键词 Green's function capacitance extraction silicon ic's substrate.
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考虑硅衬底效应的基于TSV的3D-IC电源分配网络建模
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作者 孙浩 赵振宇 刘欣 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2014年第12期2339-2345,共7页
基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应。为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3DPDN模型,该模型由P... 基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应。为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3DPDN模型,该模型由P/G TSV对模型和片上PDN模型组成。P/G TSV对模型是在已有模型基础上,引入bump和接触孔的RLGC集总模型而建立的,该模型可以更好地体现P/G TSV对的电学特性;片上PDN模型则是基于Pak J S提出的模型,通过共形映射法将硅衬底效应引入单元模块模型而建立的,该模型可以有效地反映硅衬底对PDN电学特性的影响。经实验表明,建立的3DPDN模型可以有效、快速地估算3D-IC PDN阻抗。 展开更多
关键词 3D-ic 电源分配网络 P/G TsV PDN阻抗 硅衬底效应
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无线通讯用硅基微小Spiral天线的设计和制作 被引量:1
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作者 郭兴龙 黄静 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1561-1563,共3页
微小双波段天线通过采用微电子加工工艺在高电阻率硅片上被设计和制备,测试得到天线基本为全向辐射,增益为2.8 dB,谐振频率分别为7.6 GHz和20.2 GHz,反射系数分别为25 dB和23 dB,此天线的设计制造利于IC集成。文章还重点对天线的制作工... 微小双波段天线通过采用微电子加工工艺在高电阻率硅片上被设计和制备,测试得到天线基本为全向辐射,增益为2.8 dB,谐振频率分别为7.6 GHz和20.2 GHz,反射系数分别为25 dB和23 dB,此天线的设计制造利于IC集成。文章还重点对天线的制作工艺进行了详细地介绍,对于以后此类研究具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 微小 spiral天线 硅基底 ic工艺
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硅氢加成制备主链型液晶聚合物
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作者 朱鹏 陈权 陈有慧 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期186-189,共4页
自制了含3个苯环的液晶基元,通过硅氢加成,以氢封端的聚硅氧烷为扩链剂制备出主链型液晶聚合物,并且对所得聚合物进行核磁氢谱(1H-NMR)、差示量热(DSC)、红外光谱(FT-IR)、偏光显微镜(POM)等表征。单体以及聚合物的核磁表明,已经制备出... 自制了含3个苯环的液晶基元,通过硅氢加成,以氢封端的聚硅氧烷为扩链剂制备出主链型液晶聚合物,并且对所得聚合物进行核磁氢谱(1H-NMR)、差示量热(DSC)、红外光谱(FT-IR)、偏光显微镜(POM)等表征。单体以及聚合物的核磁表明,已经制备出较为纯净的液晶基元单体以及聚合物,FT-IR测试结果表明对应的结构进一步证实了与预期结果相符,对单体以及聚合物的DSC以及结合POM的结果表明单体和硅氢加成后的聚合物都具有良好的液晶性,表明了分子设计的合理性,为合成主链型液晶聚合物提供一些经验基础。 展开更多
关键词 液晶聚合物 主链型 硅氢加成 液晶基元
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基于PEEC方法的片内螺旋电感建模 被引量:6
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作者 李富华 赵吉祥 李征帆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期770-774,共5页
采用部分元等效电路方法,结合近似的三维闭式格林函数,在10GHz以下的频率范围提出了一种针对有耗硅衬底上螺旋电感的准静态建模新方法.该方法充分考虑了有耗的硅衬底、趋肤效应、接近效应等因素对螺旋电感电特性的影响,通过与全波分析... 采用部分元等效电路方法,结合近似的三维闭式格林函数,在10GHz以下的频率范围提出了一种针对有耗硅衬底上螺旋电感的准静态建模新方法.该方法充分考虑了有耗的硅衬底、趋肤效应、接近效应等因素对螺旋电感电特性的影响,通过与全波分析方法对比,证明在相当宽的频率范围该方法是有效、可行的,可广泛应用于微波和射频硅集成电路的优化设计和仿真. 展开更多
关键词 片内螺旋电感 部分元等效电路 硅衬底集成电路 微波无源电感
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硅衬底微波集成电路 被引量:7
6
作者 毛军发 《微波学报》 CSCD 北大核心 2001年第1期54-61,共8页
硅衬底微波集成电路具有诱人的发展前景。本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点 ,分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗硅异质结双极晶体管 (Si Ge HBT)的电性能 ,介绍了目前国内外硅衬底微波集成电路研究的进展 ,并对数字电路与
关键词 硅衬底 微波集成电路 传输线 无源元件 锗硅异质结双极晶体管
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多孔硅在射频/微波电路中的研究进展
7
作者 龙永福 郭杰荣 胡惟文 《湖南文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2005年第3期20-22,28,共4页
多孔硅介质膜在射频/微波电路中具有很好的应用前景.阐述了多孔硅作介质膜的优点,比较研究了不同厚度的多孔硅厚膜上平面电感器的性能参数比较和不同介质膜上螺旋电感性能比较,介绍了多孔硅在射频/微波电路的研究进展,并对存在的主要问... 多孔硅介质膜在射频/微波电路中具有很好的应用前景.阐述了多孔硅作介质膜的优点,比较研究了不同厚度的多孔硅厚膜上平面电感器的性能参数比较和不同介质膜上螺旋电感性能比较,介绍了多孔硅在射频/微波电路的研究进展,并对存在的主要问题作了讨论. 展开更多
关键词 多孔硅 硅衬底 射频/微波电路
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数模混合高速集成电路封装基板协同设计与验证 被引量:2
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作者 陈珊 蔡坚 +2 位作者 王谦 陈瑜 邓智 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期542-546,共5页
介绍了数模混合高速集成电路(IC)封装的特性以及该类封装协同设计的一般分析方法。合理有效的基板设计是实现可靠封装的重要保障,基于物理互连设计与电设计协同开展的思路,采用Cadence APD工具以及三维电磁场仿真工具实现了特定数模混... 介绍了数模混合高速集成电路(IC)封装的特性以及该类封装协同设计的一般分析方法。合理有效的基板设计是实现可靠封装的重要保障,基于物理互连设计与电设计协同开展的思路,采用Cadence APD工具以及三维电磁场仿真工具实现了特定数模混合高速集成电路(一款探测器读出电路)的封装设计与仿真论证,芯片封装后组装测试,探测器系统性能良好,封装设计达到预期目标。封装电仿真主要包含:封装信号传输通道S参数提取、电源/地网络评估,探测器读出芯片封装体互连通道设计能满足信号带宽为350 MHz(或者信号上升时间大于1 ns)的高速信号的传输。封装基板布线设计与基板电设计协同分析是提高数模混合高速集成电路封装设计效率的有效途径。 展开更多
关键词 数模混合高速集成电路(ic) 封装基板协同设计 封装基板电仿真 s参数 直流压降
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国产衬底片在双极型集成电路制造中的应用
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作者 戴学春 周卫平 任萍萍 《集成电路应用》 2018年第3期45-48,共4页
随着国产衬底的生产工艺和控制能力的不断提升,国产衬底的应用也越来越广。作者就国产衬底在双极型集成电路制造中普遍关心的问题做了全面的评估,包括物理参数、电参数、圆片合格率,以及大规模生产的工程能力指数。评估结果说明国产衬... 随着国产衬底的生产工艺和控制能力的不断提升,国产衬底的应用也越来越广。作者就国产衬底在双极型集成电路制造中普遍关心的问题做了全面的评估,包括物理参数、电参数、圆片合格率,以及大规模生产的工程能力指数。评估结果说明国产衬底在品质上已经完全能够媲美进口衬底,满足大规模生产的需求。 展开更多
关键词 集成电路制造 硅衬底 双极型集成电路 衬底物理参数 衬底翘曲 失焦 电参数 工程能力指数
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