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The light-enhanced NO_2 sensing properties of porous silicon gas sensors at room temperature 被引量:2
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作者 陈慧卿 胡明 +1 位作者 曾晶 王巍丹 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第5期657-661,共5页
The NO2 gas sensing behavior of porous silicon(PS) is studied at room temperature with and without ultraviolet(UV) light radiation.The PS layer is fabricated by electrochemical etching in an HF-based solution on a... The NO2 gas sensing behavior of porous silicon(PS) is studied at room temperature with and without ultraviolet(UV) light radiation.The PS layer is fabricated by electrochemical etching in an HF-based solution on a p +-type silicon substrate.Then,Pt electrodes are deposited on the surface of the PS to obtain the PS gas sensor.The NO2 sensing properties of the PS with different porosities are investigated under UV light radiation at room temperature.The measurement results show that the PS gas sensor has a much higher response sensitivity and faster response-recovery characteristics than NO2 under the illumination.The sensitivity of the PS sample with the largest porosity to 1 ppm NO2 is 9.9 with UV light radiation,while it is 2.4 without UV light radiation.We find that the ability to absorb UV light is enhanced with the increase in porosity.The PS sample with the highest porosity has a larger change than the other samples.Therefore,the effect of UV radiation on the NO2 sensing properties of PS is closely related to the porosity. 展开更多
关键词 gas sensor ultraviolet radiation porous silicon POROSITY
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A novel plasmonic refractive index sensor based on gold/silicon complementary grating structure 被引量:3
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作者 王向贤 朱剑凯 +4 位作者 徐月奇 祁云平 张丽萍 杨华 易早 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第2期313-318,共6页
A novel complementary grating structure is proposed for plasmonic refractive index sensing due to its strong resonance at near-infrared wavelength.The reflection spectra and the electric field distributions are obtain... A novel complementary grating structure is proposed for plasmonic refractive index sensing due to its strong resonance at near-infrared wavelength.The reflection spectra and the electric field distributions are obtained via the finite-difference time-domain method.Numerical simulation results show that multiple surface plasmon resonance modes can be excited in this novel structure.Subsequently,one of the resonance modes shows appreciable potential in refractive index sensing due to its wide range of action with the environment of the analyte.After optimizing the grating geometric variables of the structure,the designed structure shows the stable sensing performance with a high refractive index sensitivity of 1642 nm per refractive index unit(nm/RIU)and the figure of merit of 409 RIU^(-1).The promising simulation results indicate that such a sensor has a broad application prospect in biochemistry. 展开更多
关键词 plasmonic sensor GOLD silicon GRATING
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Characterization of silicon microstrip sensors for space astronomy 被引量:1
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作者 Jia-Ju Wei Jian-Hua Guo Yi-Ming Hu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2020年第10期13-22,共10页
Silicon microstrip detectors are widely used in experiments for space astronomy.Before the detector is assembled,extensive characterization of the silicon microstrip sensors is indispensable and challenging.This work ... Silicon microstrip detectors are widely used in experiments for space astronomy.Before the detector is assembled,extensive characterization of the silicon microstrip sensors is indispensable and challenging.This work electrically evaluates a series of sensor parameters,including the depletion voltage,bias resistance,metal strip resistance,total leakage current,strip leakage current,coupling capacitance,and interstrip capacitance.Two methods are used to accurately measure the strip leakage current,and the test results match each other well.In measuring the coupling capacitance,we extract the correct value based on a SPICE model and two-port network analysis.In addition,the expression of the measured bias resistance is deduced based on the SPICE model. 展开更多
关键词 silicon microstrip sensor Space astronomy CHARACTERIZATION SPICE model
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A New Type of Silicone Rubber Membrane for Amperometric Oxygen Gas Sensor
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作者 LIU Shan-jun and SHEN Han-xi(Department of Chemistry, Nankai University, Tianjin, 300071 )QIU Ying-hua and FENG Jian-xing.(Department of Environmental Science, Nankai University, Tia’din, 300071) 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 1996年第1期114-119,共6页
关键词 OXYGEN Amperometric gas sensor silicone rubber membrane
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Porous Silicon as a Carrier of Sensing Materials in Sensors
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作者 Ziqiang Zhu Li Shao Jian Zhang Jianzhong Zhu 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A03期471-475,共5页
Novel potassium ion selective electrodes (K^+ISEs) and cDNA array sensors based on porous silicon (PS) have been developed.The calibration curve for the K^+ISEs is linear within a wide range of pK=2.0~6.0 with the sl... Novel potassium ion selective electrodes (K^+ISEs) and cDNA array sensors based on porous silicon (PS) have been developed.The calibration curve for the K^+ISEs is linear within a wide range of pK=2.0~6.0 with the slope of 56 mV per decade,which is near Nernst response.The response time and detection limit are within 31 s and 0.5μmol/L,respectively.The selective coefficient for Na^+ is-3.8,satisfies the requirement for the assay of blood potassium.The response variation is within 2 mV during 2 months.The binding capacity,the dynamic range and the detection limit of the DNA sensors were improved by replacing glass slide with PS substrates.The cDNA array sensors can bear 80℃of high temperature,75% of humidity,3.6 kLx of irradiation and keep stable within 10 days when they are exposed in air.Good performances of the K^+ISE and the cDNA array sensor are attributed to the large internal surface area and the easily modified microstructure of PS. 展开更多
关键词 porous silicon potassium ion selective electrode cDNA array sensor
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Fabrication of Congo Red/Oxidized Porous Silicon (CR/OPS) pH-Sensors
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作者 Abdel-Hady Kashyout Hesham M. A. Soliman +1 位作者 Marwa Nabil Ahmed A. Bishara 《Materials Sciences and Applications》 2013年第8期79-87,共9页
The fabrication of nano porous silicon, nPSi, using alkali etching process has been studied and carried out. The surface chemistry of anisotropic etching of n-type Si-wafer is reviewed and the anisotropic chemical etc... The fabrication of nano porous silicon, nPSi, using alkali etching process has been studied and carried out. The surface chemistry of anisotropic etching of n-type Si-wafer is reviewed and the anisotropic chemical etching of silicon in alkaline solution using wetting agents is discussed. Transformation of crystallographic plane of n-Si (211) to nPSi (100) has occurred on using n-propanol as wetting agent. The rate of pore formation was 0.02478 - 0.02827 μm/min, which was heavily dependent upon the concentration of the etchant containing wetting agents, allowing patterned porous silicon formation through selective doping of the substrate. A particle size of 15 nm for porous nano-silicon was calculated from the XRD data. Porosity of PS layers is about 10%. Pore diameter and porous layer thickness are 0.0614 nm and 16 μm, respectively. The energy gap of the produced porous silicon is 3.3 eV. Furthermore, the combination of PS with Congo Red, which are nanostructured due to their deposition within the porous matrix is discussed. Such nano compounds offer broad avenue of new and interesting properties depending on the involved materials as well as on their morphology. Chemical route was utilized as the host material to achieve pores filling. They were impregnated with Congo Red, which gave good results for the porous silicon as a promising pH sensor. 展开更多
关键词 Nano POROUS silicon ANISOTROPIC ETCHING Process ALKALI ETCHING CONGO Red PH sensor
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Soil Pressure Mini-sensor Made of Monocrystalline Silicon and the Measurement of Its Sensitivity Coefficient
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作者 俞晓 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2005年第4期135-137,共3页
A calibration test was done in order to measure its sensitivity coefficient by an improved soil test device.The experimental result shows that the soil pressure min-sensor made of the monocrystalline silicon(SPMMS)i... A calibration test was done in order to measure its sensitivity coefficient by an improved soil test device.The experimental result shows that the soil pressure min-sensor made of the monocrystalline silicon(SPMMS)is proved to be good linear,high precision and less that can fetch precise data in low pressure range even near by O point,which guarantees the reliability of the soil pressure test in geotechnical engineering. 展开更多
关键词 soil pressure mini-sensor monocrystalline silicon sensitivity coefficient
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Vector fiber Bragg gratings accelerometer based on silicone compliant cylinder for low frequency vibration monitoring
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作者 胡文玉 陈卓 +3 位作者 尤江山 王若晖 周锐 乔学光 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第11期33-39,共7页
Vector accelerometer has attracted much attention for its great application potential in underground seismic signal measurement. We propose and demonstrate a novel vector accelerometer based on the three fiber Bragg g... Vector accelerometer has attracted much attention for its great application potential in underground seismic signal measurement. We propose and demonstrate a novel vector accelerometer based on the three fiber Bragg gratings(FBGs)embedded in a silicone rubber compliant cylinder at 120° distributed uniformly. The accelerometer is capable of detecting the orientation of vibration with a range of 0°–360° and the acceleration through monitoring the central wavelength shifts of three FBGs simultaneously. The experimental results show that the natural frequency of the accelerometer is about 85 Hz, and the sensitivity is 84.21 pm/g in the flat range of 20 Hz–60 Hz. Through experimental calibration, the designed accelerometer can accurately obtain vibration vector information, including vibration orientation and acceleration. In addition, the range of resonant frequency and sensitivity can be expanded by adjusting the hardness of the silicone rubber materials. Due to the characteristics of small size and orientation recognition, the accelerometer can be applied to low-frequency vibration acceleration vector measurement in narrow spaces. 展开更多
关键词 fiber-optic sensor vector accelerometer silicone compliant cylinder orientation recognition
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基于温度传感阵列的TSV内部缺陷检测技术研究
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作者 聂磊 于晨睿 +1 位作者 张鸣 骆仁星 《电子测量技术》 北大核心 2024年第8期1-7,共7页
在TSV三维集成领域,由于TSV内部缺陷的微小化和检测的不可接触性,寻找一个无损、灵敏且高效的内部缺陷检测方法尤为重要。针对这一挑战,提出了一种基于温度传感阵列的TSV内部缺陷检测方法。内部缺陷对TSV三维封装芯片的外部温度分布产... 在TSV三维集成领域,由于TSV内部缺陷的微小化和检测的不可接触性,寻找一个无损、灵敏且高效的内部缺陷检测方法尤为重要。针对这一挑战,提出了一种基于温度传感阵列的TSV内部缺陷检测方法。内部缺陷对TSV三维封装芯片的外部温度分布产生了影响,这些温度分布呈现出有规律的变化,每一种缺陷类型都会导致外部温度分布产生不同的偏差。利用温度传感阵列测量这些分布变化对缺陷进行有效的识别与分类。根据工作状态下的芯片产生的热信号以揭示其内部的缺陷信息,设计了基于温度传感阵列的检测系统。通过理论分析与仿真模拟,构建了模拟芯片工作状态下的温度分布和热变化的模型。实验中,以芯片样品的样本制备和测试平台搭建为基础,同时利用分类识别模型成功实现了对内部缺陷的有效分类,准确率高达99.17%。这种检测方法为高密度和微型化芯片的可靠性分析和故障诊断提供了一个经济高效的新途径。 展开更多
关键词 硅通孔 内部缺陷 传感阵列 检测技术 LSTM
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3D打印硅橡胶研究进展 被引量:1
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作者 刘晨阳 冯嘉伟 +3 位作者 王寅栋 费国霞 张强 夏和生 《有机硅材料》 CAS 2024年第2期75-84,共10页
柔性硅橡胶弹性体具有生物相容性、电绝缘性、耐水性、耐高低温等特性,在电子、医疗、航空航天等高端领域应用广泛。硅橡胶弹性体是3D打印领域研究最多的高分子材料之一。硅橡胶3D打印主要采用墨水直写或材料挤出、嵌入式固化打印和立... 柔性硅橡胶弹性体具有生物相容性、电绝缘性、耐水性、耐高低温等特性,在电子、医疗、航空航天等高端领域应用广泛。硅橡胶弹性体是3D打印领域研究最多的高分子材料之一。硅橡胶3D打印主要采用墨水直写或材料挤出、嵌入式固化打印和立体光刻、喷墨打印、粉末床烧结等技术,应用于柔性传感器、康复鞋垫、软机器人、光学透镜、柔性电子等器件的加工制备。但目前还存在打印精度不高、成本贵、打印材料缺乏以及复杂结构难以实现等问题。近年来人们通过开发新型打印技术,以及聚合物分子设计和材料创新,解决硅橡胶打印加工难题,提高3D打印制件的性能,拓展制件应用功能。本文综述了近年来3D打印硅橡胶技术的研究进展。 展开更多
关键词 硅橡胶 3D 打印 传感器 软机器人
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碳化硅压力传感器欧姆接触电阻率的测量方法 被引量:1
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作者 任向阳 张治国 +6 位作者 刘宏伟 李永清 李颖 贾文博 祝永峰 王卉如 钱薪竹 《微处理机》 2024年第1期5-8,共4页
鉴于碳化硅离子扩散系数低、杂质离化能高,难以形成可靠的欧姆接触,为了解决碳化硅压力传感器芯片的高温欧姆接触可靠性问题,对其电阻率测量问题进行探讨。通过对T-LTM测试原理的介绍与分析,结合芯片生产工艺流程,制备Ni/Au电极与N型碳... 鉴于碳化硅离子扩散系数低、杂质离化能高,难以形成可靠的欧姆接触,为了解决碳化硅压力传感器芯片的高温欧姆接触可靠性问题,对其电阻率测量问题进行探讨。通过对T-LTM测试原理的介绍与分析,结合芯片生产工艺流程,制备Ni/Au电极与N型碳化硅的T-LTM测试图形,在氮气氛围下进行了700℃和1000℃的合金实验。最终实验结果显示合金温度对I-V线性关系的显著影响,结合T-LTM测试分析,测定接触电阻率值,验证是否形成良好的欧姆接触。该研究为碳化硅压阻式高温压力传感器的开发提供了技术参考。 展开更多
关键词 碳化硅 压力传感器 欧姆接触 接触电阻率 线性传输线模型
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一种基于S型电磁超材料的高温温度传感器设计
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作者 张春丽 吴倩楠 +2 位作者 翟荣锭 刘雁飞 李孟委 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期389-395,共7页
针对目前超材料温度传感器存在的量程小且灵敏度较低的问题,设计了一种碳氮化硅基的S型超材料的高温传感器。通过CST电磁仿真软件对超材料温度传感器进行模拟仿真,在其他结构参数一定的情况下,对金属条的长度、宽度、厚度、条间隙及基... 针对目前超材料温度传感器存在的量程小且灵敏度较低的问题,设计了一种碳氮化硅基的S型超材料的高温传感器。通过CST电磁仿真软件对超材料温度传感器进行模拟仿真,在其他结构参数一定的情况下,对金属条的长度、宽度、厚度、条间隙及基板厚度等参数进行了设计与优化,确定了传感器结构的最佳尺寸,同时分析了传感器的谐振频率对温度的影响。结果表明,在28℃~1000℃下平均灵敏度可达5.674 MHz/℃。与之前报道的高温传感器相比,灵敏度提高了5倍,这种高灵敏度温度传感器可为航空发动机、武器装备等系统中的高温测试提供一种技术手段。 展开更多
关键词 温度传感器 电磁超材料 碳氮化硅 S型 高温传感器 高灵敏度
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MEMS高温压力传感器耐高温引线结构优化
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作者 刘润鹏 雷程 +1 位作者 梁庭 杜康乐 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期386-391,共6页
绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器可在高温(高于125℃)下工作。通常情况下构成惠斯通电桥的电阻单独处于压力敏感区,以提高其灵敏度,但在其工作期间压力传感器器件区电阻重掺区与金属引线连接处存在一定高度差,在加压加电高温环境下此处... 绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器可在高温(高于125℃)下工作。通常情况下构成惠斯通电桥的电阻单独处于压力敏感区,以提高其灵敏度,但在其工作期间压力传感器器件区电阻重掺区与金属引线连接处存在一定高度差,在加压加电高温环境下此处热应力变大,金属引线因过热而出现金属引线断裂或失效,无法满足高温需求。在此基础上研究了一种硅引线技术,使其与压敏电阻处于同一高度层,金属引线平铺在硅引线上端,经退火后形成良好的欧姆接触。实验测试表明,该方案能使压力传感器在300℃高温环境下正常工作,金属引线与电阻区连接完好,传感器敏感区应力降低接近50%,且优化后传感器灵敏度符合设计要求。 展开更多
关键词 绝缘体上硅(SOI) 高温压力传感器 器件区电阻 高度差 硅引线
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MEMS正装传感器复合钝化层高温可靠性的研究
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作者 刘润鹏 赵妍琛 +4 位作者 刘东 雷程 梁庭 冀鹏飞 王宇峰 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2024年第6期19-25,共7页
绝缘体上硅(SOI)所制备的压阻式正装压力传感器可在高温下良好工作,但高温环境下电阻条和金属引线长期暴露在环境中易受到氧化和腐蚀,对传感器的输出造成影响,使电学性能发生变化甚至失效,为避免这种情况,通常在表面进行钝化处理。文中... 绝缘体上硅(SOI)所制备的压阻式正装压力传感器可在高温下良好工作,但高温环境下电阻条和金属引线长期暴露在环境中易受到氧化和腐蚀,对传感器的输出造成影响,使电学性能发生变化甚至失效,为避免这种情况,通常在表面进行钝化处理。文中采用SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合钝化层对SOI正装传感器芯片进行钝化,并且对钝化层进行高温老化考核,模拟高温和恶劣环境,验证其高温可靠性。实验结果表明:按照SiO_(2)厚度为200 nm、Si_(3)N_(4)厚度为300 nm的SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合钝化层能在350℃高温下对正装传感器进行有效保护且电学性能完好,满足芯片在高温下可靠性的要求。 展开更多
关键词 绝缘体上硅(SOI) 压阻式正装压力传感器 复合钝化层 高温可靠性
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一种基于硅传感器的空间中子探测器设计
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作者 杨哲 沈国红 +6 位作者 张斌全 张珅毅 常远 荆涛 权子达 侯东辉 孙莹 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期657-664,共8页
针对空间站轨道复杂的中子辐射环境,设计一种中子探测器,采用硅层叠结构,利用核反冲法及核反应法进行中子的间接探测,获取空间站轨道中子辐射的能谱信息。该中子探测器的探测范围指标为0.025 eV~10MeV,搭载于天宫空间站梦天实验舱的空... 针对空间站轨道复杂的中子辐射环境,设计一种中子探测器,采用硅层叠结构,利用核反冲法及核反应法进行中子的间接探测,获取空间站轨道中子辐射的能谱信息。该中子探测器的探测范围指标为0.025 eV~10MeV,搭载于天宫空间站梦天实验舱的空间辐射生物学暴露实验装置上,用于监测空间站低地球轨道的中子辐射环境,获取在轨探测数据,可为研究空间中子对生物体造成辐射效应的作用机理提供重要依据,也可为研究次级粒子对航天器电子元件造成的单粒子效应提供必要的空间环境参数。 展开更多
关键词 空间中子探测器 空间中子辐射环境 硅传感器 中子能谱测量 天宫空间站梦天实验舱
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压阻式压力传感器硅电阻条浅槽刻蚀的研究
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作者 王天靖 梁庭 +2 位作者 雷程 王婧 冀鹏飞 《舰船电子工程》 2024年第4期199-202,共4页
MEMS压阻式压力传感器的电阻条刻蚀效果对传感器的性能及高温环境下工作寿命起着至关重要的作用。采用SPTS深硅刻蚀机以SF6为刻蚀气体,C4F8为保护气体进行刻蚀实验。通过改变刻蚀气体通入时长、保护气体通入时长以及射频功率进行参数匹... MEMS压阻式压力传感器的电阻条刻蚀效果对传感器的性能及高温环境下工作寿命起着至关重要的作用。采用SPTS深硅刻蚀机以SF6为刻蚀气体,C4F8为保护气体进行刻蚀实验。通过改变刻蚀气体通入时长、保护气体通入时长以及射频功率进行参数匹配,根据台阶仪和SEM电镜的观察数据对刻蚀效果进行评估,最终确定了刻蚀气体流量25 sccm,刻蚀气体通入的时长为2.5 s;保护气体流量50 sccm,保护气体的通入时长为2.5 s,射频功率为2 500 W的刻蚀条件。该条件下刻蚀速率为1.54μm/loop。刻蚀均匀性为2.9%. 展开更多
关键词 压力传感器 电阻条 深硅刻蚀 刻蚀 刻蚀速率 均匀性
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Low-power SiPM readout BETA ASIC for space applications
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作者 Anand Sanmukh Sergio Gómez +9 位作者 Albert Comerma Joan Mauricio Rafel Manera Andreu Sanuy Daniel Guberman Roger Catala Albert Espinya Marina Orta Oscar de la Torre David Gascon 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期153-169,共17页
The BETA application-specific integrated circuit(ASIC)is a fully programmable chip designed to amplify,shape and digitize the signal of up to 64 Silicon photomultiplier(SiPM)channels,with a power consumption of approx... The BETA application-specific integrated circuit(ASIC)is a fully programmable chip designed to amplify,shape and digitize the signal of up to 64 Silicon photomultiplier(SiPM)channels,with a power consumption of approximately~1 mW/channel.Owing to its dual-path gain,the BETA chip is capable of resolving single photoelectrons(phes)with a signal-to-noise ratio(SNR)>5 while simultaneously achieving a dynamic range of~4000 phes.Thus,BETA can provide a cost-effective solution for the readout of SiPMs in space missions and other applications with a maximum rate below 10 kHz.In this study,we describe the key characteristics of the BETA ASIC and present an evaluation of the performance of its 16-channel version,which is implemented using 130 nm technology.The ASIC also contains two discriminators that can provide trigger signals with a time jitter down to 400 ps FWHM for 10 phes.The linearity error of the charge gain measurement was less than 2%for a dynamic range as large as 15 bits. 展开更多
关键词 Radiation detectors silicon photomultipliers Photon sensors Front-end electronics Mixed-mode ASICs Space technology
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光伏逆变器中并联SiC器件电流失衡的监测技术研究
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作者 宋玮琼 郭帅 +3 位作者 韩柳 徐超群 宋威 吕凤鸣 《电气传动》 2024年第7期16-21,共6页
为了监测光伏逆变器中并联SiC器件的电流分布状态,提出一种基于各向异性磁阻传感器的非接触式监测方案。根据SiC器件在PCB板上的实际位置,利用多物理场仿真工具COMSOL进行SiC器件周围磁场分布情况分析,并找出磁阻传感器的最佳放置位置... 为了监测光伏逆变器中并联SiC器件的电流分布状态,提出一种基于各向异性磁阻传感器的非接触式监测方案。根据SiC器件在PCB板上的实际位置,利用多物理场仿真工具COMSOL进行SiC器件周围磁场分布情况分析,并找出磁阻传感器的最佳放置位置。构建包括磁阻传感器、信号调理电路和数据通信接口在内的电流监测单元。基于一台功率为1.5 kW的光伏逆变器实验样机进行测试。实验结果表明,该非接触式电流失衡监测方案具有频带宽、灵敏度高、线性度好及电路结构较为简单的特点。 展开更多
关键词 光伏 电流失衡监测 并联SiC 磁传感器 非接触式
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基于硅基微环传感器的电缆接头测温系统
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作者 夏俊峰 牛荣泽 +2 位作者 周宏扬 孙建生 董轩 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2024年第7期13-18,24,共7页
传统电缆接头测温装置体积大,且不容易贴近接头,难以满足对电缆接头的测温需求,文中设计了一款基于硅基微环传感器的电缆接头测温系统,主要技术手段为:在微环的加热电极上施加余弦函数平方根形式的扰动电压,监测出光频率与扰动电压的同... 传统电缆接头测温装置体积大,且不容易贴近接头,难以满足对电缆接头的测温需求,文中设计了一款基于硅基微环传感器的电缆接头测温系统,主要技术手段为:在微环的加热电极上施加余弦函数平方根形式的扰动电压,监测出光频率与扰动电压的同频分量,获取频偏信号与温度的关系。文中进行了理论推导,并使用Python程序对理论进行仿真验证。在此基础上,搭建了实验验证平台,拟合了0~40℃下温度与频偏分量的关系,并进行了阶梯性升降温变化验证。实验结果表明:系统测温精度达到0.01℃,具有较高稳定性;且系统所需的设备简单,测温速度快,体积小,具有高的实用价值。 展开更多
关键词 电缆接头 温度计量 硅基微环传感器 快速检测 小型化 光学信号测温
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基体模量对用于柔性传感器的导电聚合物复合材料电阻黏弹性的影响
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作者 田新娅 魏小明 +1 位作者 张云涛 母全祎 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期128-136,共9页
导电聚合物复合材料(CPC)被广泛用于柔性电阻式传感器的制备。然而由于聚合物基体的黏弹性,导致其电阻响应呈现松弛、滞后等黏弹性现象,这将会对制备的传感器精确表征造成不利影响,故在材料制备阶段减小电阻黏弹性对基于CPC的柔性电阻... 导电聚合物复合材料(CPC)被广泛用于柔性电阻式传感器的制备。然而由于聚合物基体的黏弹性,导致其电阻响应呈现松弛、滞后等黏弹性现象,这将会对制备的传感器精确表征造成不利影响,故在材料制备阶段减小电阻黏弹性对基于CPC的柔性电阻式传感器具有重要意义。选择了常用的零维炭黑(CB)及一维多壁碳纳米管(MWCNT)为导电填料,并通过在质量分数3%~7%间改变硅橡胶(SR)固化剂质量分数来调节基体模量,研究了基体模量及纳米填料维数对CPC电阻黏弹性的影响。研究结果显示,纳米填料质量分数为3%时,随着基体模量的增加,CB/SR的电阻松弛比从15%增加到34%,多壁碳纳米管/硅橡胶(MWCNT/SR)的电阻松弛比从40%增加到47%;动态循环加载下的应变灵敏度也随基体模量的增加而下降。相同固化剂质量分数即相同基体模量时,与MWCNT/SR相比,CB/SR的电阻松弛比、动态循环加载下的应变灵敏度下降程度和“肩峰”更小。因此,在制备过程中减小基体模量、使用零维导电纳米填料CB,均可减小CPC的电阻黏弹性。 展开更多
关键词 复合材料 柔性电阻式传感器 纳米填料 多壁碳纳米管(MWCNT) 炭黑/硅橡胶(CB/SR)
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