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Interfacial reactions and diffusion path in partial transient liquid-phase bonding of Si_3N_4/Ti/Ni/Ti/Si_3N_4 被引量:1
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作者 陈铮 赵其章 +3 位作者 方芳 楼宏青 睦润舟 李志章 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 1999年第4期831-837,共7页
The interfacial reactions in partial transient liquid-phase bonding of Si3N4 ceramics with Ti/Ni/Ti interlayers were studied by means of scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectrometry (EDS) and... The interfacial reactions in partial transient liquid-phase bonding of Si3N4 ceramics with Ti/Ni/Ti interlayers were studied by means of scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectrometry (EDS) and X-ray diffractometry (XRD). It was shown that the interfacial structure of Si3N4/TiN/Ti5Si3+Ti5Si4 + Ni3Si/ (NiTi ) /Ni3Ti/ Ni was formed after bonding. The activation energies for TiN layer and the mixed reaction layer of Ti5Si3 + Ti5Si4 + Ni3Si are 546. 8 kJ/mol and 543. 9 kJ/mol, respectively. The formation and transition processes of interface layer sequence in the joint were clarified by diffusion path. An important characteristic, which is different from the conventional brazing and soid-state diffusion bonding, has been found, i. e., during the partial transient liquid-phase bonding, not only the reaction layers which have formed grow, but also the diffusion path in the subsequent reaction changes because of the remarkable variation of the concentration on the metal side. 展开更多
关键词 CERAMIC joining transient LIQUID-PHASE BONDING INTERFACIAL reactionS diffusion
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Identification and evolution of interfacial structure of SiO2 glass ceramic/Ti-6AI-4V alloy joint bonded with AgCu/Ni interlayer 被引量:1
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作者 刘多 王美荣 +2 位作者 唐冬雁 马蔷 冯吉才 《China Welding》 EI CAS 2014年第3期37-41,共5页
AgCu/Ni composite interlayer was utilized to join SiO2 glass ceramic (74. 52% SiO2-23. 40% Al2 03 -2. 08 % K2 O, wt. % ) and Ti-6Al-4V alloy by eutectic reaction. Interface structures of the joints were identified b... AgCu/Ni composite interlayer was utilized to join SiO2 glass ceramic (74. 52% SiO2-23. 40% Al2 03 -2. 08 % K2 O, wt. % ) and Ti-6Al-4V alloy by eutectic reaction. Interface structures of the joints were identified by means of TEM analysis. This joining method contains three characteristic processes, which are the melting of AgCu eutectic alloy, eutectic reaction between interlayer and Ti-6Al-4V base material and active reaction of element Ti to SiO2 glass ceramic. It is different from traditional active brazing because active element Ti totally dissolves from Ti-6Al-4 V and reacts with SiO2 glass ceramic. SiO2 glass ceramic can be joined suecessfuUy to Ti-6Al-4 V alloy by this novel bonding method and the joint exhibits high shear strength, up to 110 MPa. 展开更多
关键词 CERAMIC Ti-6Al-4V alloy reaction joining microstructure interface
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TiC Particle Reinforced Silicon Nitride Composite Joined With Y_2O_3-Al_2O_3-SiO_2 Mixture
3
作者 周飞 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2001年第2期13-16,24,共5页
Silicon nitride composite is joined to itself by heating interlayer of Y2 O3 -AL2O3 -SiO2 mixtures above their liquidus temperatures in flowing nitrogen. The joined specimens are tested in four point flexure from room... Silicon nitride composite is joined to itself by heating interlayer of Y2 O3 -AL2O3 -SiO2 mixtures above their liquidus temperatures in flowing nitrogen. The joined specimens are tested in four point flexure from room temperature to 1373 K. The interface microstruclure and fractured surfaces after testing are observed and analyzed by SEM, EPMA and XRD respectively. The results show that F2 O3 -A12 O3 -SiO2 glass reacts with Si3 N4 at interface, forming the Si3 N4/Si2 N2 O( Y-AlrSi-O-N glass/ Y-Al- Si-O glass gradient interface. With the increase of bonding temperature and holding time, the joint strength first increases, reaching a peak, and then decreases . According to interfacial analyses , the bonding strength depends on joint thickness . 展开更多
关键词 silicon nitride composite joining interface reaction joint strength
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原位反应在钎焊中的应用
4
作者 乔瑞林 龙伟民 +3 位作者 钟素娟 廖志谦 樊喜刚 魏永强 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第23期137-144,共8页
作为一种新型复合材料制备技术,原位合成法凭借其操作简单、成本低、与其他工艺的兼容性较好和便于推广等优势,成为近年来研究的热点。将原位反应引入钎焊领域,可以有效解决钎料在制备及使用过程中存在的成形性能差、接头残余应力大、... 作为一种新型复合材料制备技术,原位合成法凭借其操作简单、成本低、与其他工艺的兼容性较好和便于推广等优势,成为近年来研究的热点。将原位反应引入钎焊领域,可以有效解决钎料在制备及使用过程中存在的成形性能差、接头残余应力大、难以润湿母材等问题。本文综合评述了目前关于原位反应在钎料合成中的应用,首先介绍了通过改变成形工艺来原位熔合低熔点高强韧钎料的相关研究,归纳了常见的成形工艺,如层状复合式、挤压复合式、添加金属粉芯及表面镀覆等,之后介绍了利用原位反应生成复合钎料增强相来实现异种材料有效连接的研究进展,最后指出现阶段利用原位反应合成钎料时所存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 原位反应 钎料 增强相 异种材料连接
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Microstructure of reaction layer and its effect on the joining strength of SiC/SiC joints brazed using Ag-Cu-In-Ti alloy 被引量:9
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作者 Yan LIU Yunzhou ZHU +2 位作者 Yong YANG Xuejian LIU Zhengren HUANG 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CAS 2014年第1期71-75,共5页
The SiC/SiC joints were vacuum brazed at 700℃,740℃,780℃and 800℃for 10 min respectively,using Ag-Cu-In-Ti active filler alloy.The microstructure and joining strength of the joints were characterized by electron pro... The SiC/SiC joints were vacuum brazed at 700℃,740℃,780℃and 800℃for 10 min respectively,using Ag-Cu-In-Ti active filler alloy.The microstructure and joining strength of the joints were characterized by electron probe X-ray microanalyser(EPMA),energy dispersive spectroscopy(EDS),transmission electron microscopy(TEM)and four-point bending strength test.The interface of the joints was composed of three parts:SiC substrate,reaction layer and filler alloy.A representative microstructure of the reaction layer:In-containing layer/TiC layer/Ti5Si3 layer was found from the TEM image.The forming of the In-containing layer could be attributed to the crack or delamination of SiC/TiC interface.The In-containing layer intensified the coefficient of thermal expansion(CTE)mismatch of SiC and the reaction layer,and affected the joining strength.With the increase of the reaction layer’s thickness,the joining strength firstly increased,then declined,and the maximum four-point bending strength reached 234 MPa. 展开更多
关键词 Ag-Cu-In-Ti SiC/SiC joints reaction layer MICROSTRUCTURE joining strength
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SiC陶瓷连接工艺及焊料反应产物研究 被引量:14
6
作者 张利 李树杰 +2 位作者 张建军 冀小强 张艳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期224-227,共4页
采用热压反应烧结技术,使用Ti-Ni混合金属粉末焊料对SiC陶瓷进行连接。探讨了焊接温度、保温时间、焊料厚度以及焊接压力等工艺参数对连接件抗弯强度的影响规律,并通过对连接界面及焊料反应产物进行SEM,EDS,XRD分析,进一步考察了焊接工... 采用热压反应烧结技术,使用Ti-Ni混合金属粉末焊料对SiC陶瓷进行连接。探讨了焊接温度、保温时间、焊料厚度以及焊接压力等工艺参数对连接件抗弯强度的影响规律,并通过对连接界面及焊料反应产物进行SEM,EDS,XRD分析,进一步考察了焊接工艺对连接件的断裂类型、焊料反应产物及其结合强度的影响规律。结果表明,采用适当的连接工艺,Ti-Ni焊料与母材可通过适当且适度的界面反应获得牢固结合,此时界面反应产物为以TiC,NiTi为主含Ni3C,Ni16Ti6Si7的混合物,且具有较高强度的TiC以弥散相形式分布在以具有一定韧性的金属间化合物NiTi为主的基质中,对接头性能的改善起到关键作用。在本实验范围内,在连接温度1100℃,保温时间20min,焊接压力12.7MPa,焊料厚度0.3mm条件下可获得最佳陶瓷接头,其相对抗弯强度为53%。 展开更多
关键词 陶瓷连接 热压反应烧结连接 碳化硅 界面反应
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SiC陶瓷与GH128镍基高温合金反应连接研究 被引量:10
7
作者 段辉平 李树杰 +3 位作者 刘登科 吴海平 张艳 党紫九 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第C00期72-75,共4页
采用 Fe-Ni(重量比为 65∶ 3 5)金属粉末焊料 ,利用 Gleeble1 50 0热模拟机对镍基高温合金 ( GH1 2 8)和 Si C陶瓷进行反应连接 ,研究了连接温度、连接压力和高温保温时间对试样连接强度的影响 ,确定了最佳工艺参数 ,并制备了剪切强度超... 采用 Fe-Ni(重量比为 65∶ 3 5)金属粉末焊料 ,利用 Gleeble1 50 0热模拟机对镍基高温合金 ( GH1 2 8)和 Si C陶瓷进行反应连接 ,研究了连接温度、连接压力和高温保温时间对试样连接强度的影响 ,确定了最佳工艺参数 ,并制备了剪切强度超过 3 4 .3 MPa的陶瓷 /金属连接件。界面结构分析表明陶瓷 /焊料界面反应层的形成主要受 Fe。 展开更多
关键词 陶瓷/金属 反应连接 界面扩散 工艺参数
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SiC陶瓷/SiC陶瓷及SiC陶瓷/Ni基高温合金SHS焊接中的界面反应及微观结构研究 被引量:19
8
作者 李树杰 刘深 +4 位作者 段辉平 张永刚 吴晨刚 党紫九 张艳 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期757-762,共6页
采用加压自蔓延高温合成(SHS) 焊接工艺,连接SiC陶瓷/SiC陶瓷以及SiC陶瓷/Ni 基高温合金. 为了得到牢固的界面结合,实验了多种焊料配方. 而且基于润湿性、亲合性、SHS起爆温度及界面反应的可能性等多方面的考... 采用加压自蔓延高温合成(SHS) 焊接工艺,连接SiC陶瓷/SiC陶瓷以及SiC陶瓷/Ni 基高温合金. 为了得到牢固的界面结合,实验了多种焊料配方. 而且基于润湿性、亲合性、SHS起爆温度及界面反应的可能性等多方面的考虑,设计并实验了多层焊料配方. 微观结构显示,液相反应产物对SiC 陶瓷的润湿性很好. 液相能够渗入陶瓷的表面开孔之中,而且界面结合很好. 成分分析证实,界面处发生了界面扩散,这有助于界面结合强度的提高. 展开更多
关键词 界面反应 焊接 陶瓷 金属连接 碳化硅陶瓷 SHS
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用Fe-Ti合金扩散连接SiC陶瓷 被引量:12
9
作者 深井卓 刘玉莉 奈贺正明 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期93-97,共5页
利用Fe-Ti合金在1473~1723K、0.9~5.4ks的接合条件下对常压烧结SiC陶瓷进行了真空扩散连接,接头中形成TiC、FeSi、Ti5Si3反应相。试验结果表明,用Fe-50Ti(at%)合金,在1623... 利用Fe-Ti合金在1473~1723K、0.9~5.4ks的接合条件下对常压烧结SiC陶瓷进行了真空扩散连接,接头中形成TiC、FeSi、Ti5Si3反应相。试验结果表明,用Fe-50Ti(at%)合金,在1623K、2.7ks的接合条件下,接头的高温(973K)剪切强度达到133MPa。 展开更多
关键词 扩散连接 界面反应 接合强度 陶瓷 Fe-Ti合金
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TiAl/40Cr扩散连接接头的界面结构及相成长 被引量:11
10
作者 冯吉才 李卓然 +1 位作者 何鹏 张秉刚 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期162-166,共5页
在 1173~ 1373K、0 .3~ 5 .4ks的接合条件下对TiAl金属间化合物与 4 0Cr钢进行了真空扩散连接。采用扫描电镜 (SEM )、电子探针微区成分分析 (EPMA)、X射线衍射分析 (XRD)等方法确定了反应相的种类和界面结构。研究结果表明 ,在 1373... 在 1173~ 1373K、0 .3~ 5 .4ks的接合条件下对TiAl金属间化合物与 4 0Cr钢进行了真空扩散连接。采用扫描电镜 (SEM )、电子探针微区成分分析 (EPMA)、X射线衍射分析 (XRD)等方法确定了反应相的种类和界面结构。研究结果表明 ,在 1373K的接合温度下 ,TiAl/ 4 0Cr接头生成了TiC ,Ti3 Al,FeAl和FeAl2 4种反应相 ,形成了 3个反应层 ,界面结构为TiAl/Ti3 Al+FeAl+FeAl2 /TiC/脱碳层 / 4 0Cr钢。界面总反应层的厚度随接合温度和接合时间按抛物线方程成长 ,成长的活化能Q为 2 11.9kJ/mol,成长常数k0 为 4 .6× 10 -5m2 /s。当脆性反应层厚度为 3μm时 ,TiAl/ 4 0Cr钢接头的室温拉伸强度达到 183MPa的最大值。 展开更多
关键词 TiA1/40Cr扩散连接接头 界面结构 反应机理 强度 相成长
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焊料特性对反应烧结碳化硅陶瓷焊接的影响 被引量:3
11
作者 武七德 孙峰 +2 位作者 田庭燕 唐超 周波 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期796-800,共5页
以石油焦和碳化硅为主要原料,按照焊料碳密度的理论计算公式设计焊料碳含量,运用反应成型连接法焊接反应烧结碳化硅陶瓷。探讨了焊料的固相体积含量、碳密度对焊缝显微结构与性能的影响。通过对焊缝金相显微结构的分析,结合计算机图形... 以石油焦和碳化硅为主要原料,按照焊料碳密度的理论计算公式设计焊料碳含量,运用反应成型连接法焊接反应烧结碳化硅陶瓷。探讨了焊料的固相体积含量、碳密度对焊缝显微结构与性能的影响。通过对焊缝金相显微结构的分析,结合计算机图形处理软件计算出焊缝的烧结密度。研究表明:碳密度为0.85~0.88g/cm3,固相体积含量达到53%以上,流动性好的焊料焊接时焊缝干燥收缩率低,烧结后焊接性能好。焊缝最高强度可达(465±10)MPa以上,超过基体强度,断裂发生在基体处,对应焊缝的计算烧结密度为(3.11±0.01)g/cm3。 展开更多
关键词 焊接 反应成型连接 碳化硅 显微结构
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用Cu-Ni-Ti钎料连接Si_3N_4陶瓷的试验研究 被引量:5
12
作者 吴斌 邹家生 +3 位作者 陈铮 赵其章 眭润舟 楼宏青 《华东船舶工业学院学报》 EI CAS 2001年第1期82-86,共5页
采用成分不同的Cu -Ni-Ti钎料进行了Si3N4 /Si3N4 的连接。结果表明 :钎料成分、钎焊工艺参数对连接强度均有重要影响。采用 (Cu85Ni15) 80 Ti2 0 钎料在 1373K× 10min条件下 ,Si3N4 /Si3N4 连接强度达到最大值 2 89MPa。通过对Si3... 采用成分不同的Cu -Ni-Ti钎料进行了Si3N4 /Si3N4 的连接。结果表明 :钎料成分、钎焊工艺参数对连接强度均有重要影响。采用 (Cu85Ni15) 80 Ti2 0 钎料在 1373K× 10min条件下 ,Si3N4 /Si3N4 连接强度达到最大值 2 89MPa。通过对Si3N4 /Si3N4 连接界面的微观分析 ,发现Si向钎料层扩散 ,钎料中的Cu在接头中央富集 ,而Ti、Ni向Si3N4 富集。相对Ni而言 ,Ti的富集区更靠近Si3N4 陶瓷。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 活性钎焊 SI3N4陶瓷 Cu-Ni-Ti钎料 连接强度 界面反应
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采用SiC/Si_3N_4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC 被引量:15
13
作者 刘洪丽 李树杰 +1 位作者 张听 陈志军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1469-1472,共4页
采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响。结果表明:在1100℃~1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度... 采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响。结果表明:在1100℃~1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度。当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示:连接层为厚度2μm^3μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好。 展开更多
关键词 陶瓷连接 SiC/Si3N4陶瓷先驱体 聚硅氮烷 反应烧结碳化硅(RBSiC)
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聚硅氧烷连接RBSiC陶瓷 被引量:9
14
作者 刘洪丽 李树杰 陈志军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期134-137,共4页
采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅(RBSiC)陶瓷。研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响。通过正交优选实验,确定了最佳工艺参数:连接温度为1300℃,连接压力为25kPa,保温时间为120min。在此工艺... 采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅(RBSiC)陶瓷。研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响。通过正交优选实验,确定了最佳工艺参数:连接温度为1300℃,连接压力为25kPa,保温时间为120min。在此工艺条件下制备的连接件经3次浸渍/裂解增强处理,其抗弯强度达132.6MPa,连接件断口表面粘有大量从母材剥离下来的SiC。XRD研究表明,在1100℃~1400℃的试验范围之内,随着连接温度的逐步升高,聚硅氧烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。这种转变对连接强度有显著影响。扫描电镜(SEM)及能谱(EDX)分析显示,连接层厚度为3μm左右,结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好。 展开更多
关键词 特种连接 陶瓷连接 陶瓷先驱体 聚硅氧烷 反应烧结碳化硅(RBSiC)
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工艺参数对SiC陶瓷热压反应连接强度的影响 被引量:3
15
作者 张建军 李树杰 +2 位作者 段辉平 刘勇 张艳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期542-545,共4页
采用Ag粉和Ti粉作为焊料,对再结晶SiC陶瓷进行热压反应连接。研究了2种工艺,其中工艺1与传统的扩散焊工艺相似,即分别在不同的焊接温度下保温一定的时间;而工艺2则是首先在某一较高温度下进行短时间的保温,以利于Ti与SiC母材发生适度的... 采用Ag粉和Ti粉作为焊料,对再结晶SiC陶瓷进行热压反应连接。研究了2种工艺,其中工艺1与传统的扩散焊工艺相似,即分别在不同的焊接温度下保温一定的时间;而工艺2则是首先在某一较高温度下进行短时间的保温,以利于Ti与SiC母材发生适度的界面反应,促进界面结合,同时液相银的出现将显著缓解焊接应力,随后在另一相对较低的温度下保温较长时间,以利于Ag-Ti金属间化合物的形成,有利于提高接头的焊接强度和工作温度。结果表明,采用工艺2获得的接头抗弯强度较高,达到SiC陶瓷母材强度的73.4%。微观结构研究表明,在界面处生成了反应层,焊料产物主要由两种相相间组成。EDX分析结果表明,界面处发生了元素的互扩散。 展开更多
关键词 陶瓷连接 SIC陶瓷 热压反应烧结连接
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用中间层为非活性金属FeNi/Cu的Si_3N_4陶瓷与Ni的扩散连接 被引量:13
16
作者 陈铮 顾晓波 +1 位作者 李国安 方芳 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期25-28,共4页
采用非活性金属中间层FeNi/Cu在高、低真空条件下进行了Si3 N4 陶瓷与Ni的扩散连接 ,然后对部分接头进行了热等静压 (HIP)后处理 ,测定了连接接头的四点弯曲强度 ,用扫描电镜 (SEM)、电子探针 (EPMA)和X射线衍射仪 (XRD)对连接界面区域... 采用非活性金属中间层FeNi/Cu在高、低真空条件下进行了Si3 N4 陶瓷与Ni的扩散连接 ,然后对部分接头进行了热等静压 (HIP)后处理 ,测定了连接接头的四点弯曲强度 ,用扫描电镜 (SEM)、电子探针 (EPMA)和X射线衍射仪 (XRD)对连接界面区域进行了分析。结果表明 ,采用非活性金属中间层扩散连接Si3 N4 陶瓷与Ni,在高真空和低真空条件下均能获得高强度连接 ,连接界面处没有形成Ni-Si化合物反应层 ,连接时间对接头强度的影响不明显。上述特征与用活性金属中间层连接时的情况截然不同。本文的连接方法有着重要的工程应用前景。 展开更多
关键词 陶瓷-金属连接 扩散连接 中间层 界面反应 连接强度 热等静压
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反应粘接碳化硅材料接头的研究 被引量:2
17
作者 李世斌 吕振林 +1 位作者 高积强 金志浩 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2003年第1期51-54,共4页
用反应粘接的方法获得了反应烧结碳化硅材料之间、反应烧结碳化硅和重结晶碳化硅材料间的连接。分析了反应粘接碳化硅材料接头的形成机理 ,分别在光学显微镜、扫描电镜下观察了连接区的显微组织和断口形貌 ,评价了反应粘接硅 /碳化硅材... 用反应粘接的方法获得了反应烧结碳化硅材料之间、反应烧结碳化硅和重结晶碳化硅材料间的连接。分析了反应粘接碳化硅材料接头的形成机理 ,分别在光学显微镜、扫描电镜下观察了连接区的显微组织和断口形貌 ,评价了反应粘接硅 /碳化硅材料接头的力学和电性能。研究结果表明 ,反应粘接可以使母材间形成良好的接合界面 ,连接层未对整体材料的强度和电阻率造成明显的影响。 展开更多
关键词 碳化硅 反应粘接 电阻率 实验 接头 断口 显微组织 陶瓷
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活性金属部分瞬间液相连接氮化硅陶瓷的研究 被引量:9
18
作者 周飞 李志章 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期171-176,共6页
采用Ti/Cu/Ti多层中间层在1273K温度下进行氨化硅陶瓷部分瞬间液相连接,考察了保温时间对连接强度的影响,并对连接界面进行了SEM,EPMA和XRD分析.结果表明,通过Cu-Ti二元扩散促使液相与氨化硅发生界面... 采用Ti/Cu/Ti多层中间层在1273K温度下进行氨化硅陶瓷部分瞬间液相连接,考察了保温时间对连接强度的影响,并对连接界面进行了SEM,EPMA和XRD分析.结果表明,通过Cu-Ti二元扩散促使液相与氨化硅发生界面反应,形成Si_3N_4/TiN/Ti_5Si_3+Ti_5Si_4+TiSi_2/TiSi_2+Cu_3Ti_2(Si)/Cu的梯度层.保温时间影响接头反应层厚度,从而影响接头的连接强度根据活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的界面行为,建立了活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的理论模型.该模型较好地解释了Ti/Cu/Ti和Ti/Ni/Ti连接氮化硅陶瓷的异同点和连接工艺参数的选择。 展开更多
关键词 活性金属 氮化硅 连接强度 界面反应 陶瓷 连接
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感应加热辅助原位合成Ti_3SiC_2连接SiC陶瓷 被引量:4
19
作者 韩绍华 薛丁琪 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期61-66,共6页
采用感应加热的方式引燃Ti-Si-C(摩尔比3∶1∶2)及Ti-Si-C-Al(摩尔比3∶1∶2∶0.1)体系的自蔓延燃烧反应并实现了SiC陶瓷间的连接.通过对不同工艺参数下生成产物中Ti3SiC2相的相对含量的分析,初步优选出最佳工艺参数为50 A感应电流下加... 采用感应加热的方式引燃Ti-Si-C(摩尔比3∶1∶2)及Ti-Si-C-Al(摩尔比3∶1∶2∶0.1)体系的自蔓延燃烧反应并实现了SiC陶瓷间的连接.通过对不同工艺参数下生成产物中Ti3SiC2相的相对含量的分析,初步优选出最佳工艺参数为50 A感应电流下加热、30 A感应电流下保温30 min以及1 MPa的连接压力,得到的SiC/TSC/SiC和SiC/TSC-Al/SiC接头平均抗剪强度分别为32.9和66.8 MPa.微观结构和成分分析的结果表明,SiC/TSC/SiC及SiC/TSC-Al/SiC接头处均显示出良好的界面结合,无明显气孔或裂纹等缺陷.XRD的物相分析结果表明,SiC/TSCAl/SiC接头的中间层产物中主要含有Ti_3SiC_2相及少量Ti C和Ti-Si的化合物;而SiC/TSC/SiC接头则主要以Ti C为主,这就导致了前者的平均抗剪强度超过了后者的两倍. 展开更多
关键词 感应加热 TI3SIC2 原位连接 SIC
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反应烧结碳化硅陶瓷素坯连接的研究 被引量:1
20
作者 武七德 邓明进 +2 位作者 叶春燕 吉晓莉 孙峰 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期36-39,共4页
以碳化硅和碳为糊料的主要原料,采用素坯连接的方法焊接反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷。探讨了糊料的碳密度、固相体积含量以及碳化硅颗粒级配对焊缝显微结构和机械性能的影响。研究表明,糊料碳密度为0.845 g/cm3,固相体积含量达57%,焊料粘... 以碳化硅和碳为糊料的主要原料,采用素坯连接的方法焊接反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷。探讨了糊料的碳密度、固相体积含量以及碳化硅颗粒级配对焊缝显微结构和机械性能的影响。研究表明,糊料碳密度为0.845 g/cm3,固相体积含量达57%,焊料粘度略大于1 Pa.s时,连接素坯烧结后的焊缝强度可达375 MPa,焊缝具有和母材相似的显微结构是连接强度得以提高的主要原因。 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 素坯连接 显微结构
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