a-SiN_x∶H薄膜的室温光致发光

研究了a SiNx∶H薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当x≥ 0 .5时 ,在室温下观察到了较强的室温荧光 ,而且随氮含量增加 ,发光峰能量与强度不断增加。首次发现在富硅 (x≤ 1.3)样品中存在两种荧光机制 ,其临界值位于x =0 .8。当x≤ 0 .8时 ,样品表现为与a Si∶H类似的荧光特性及温度特性 ;当x >0 .8时 ,荧光强度和峰位均有大的增加 ,归一化后的低温和室温的荧光谱几乎完全重合。最后 ,采用量子限制模型并结合渗流理论解释了实验现象。

微波ECR-CVD低温SiN_x薄膜的氢含量分析

利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振( ECR)等离子体化学气相沉积 ( CVD)法在低温条件下制备的 Si Nx 膜的键结构和氢含量 ,分析了微波功率和后处理条件对膜含氢量的影响及其成因 ,提出适当提高微波功率是降低微波 ECR- CVD低温 Si Nx 膜中氢含量的可能途径。

X射线脉冲星/SINS组合导航研究

X射线脉冲星导航是一种新兴的天文导航方法,该导航方法可靠、稳定,不受近地空间的限制,但在轨道机动过程中导航精度不高.针对此问题提出了X射线脉冲星/SINS组合导航方法,对该方法的应用效果进行了数值仿真分析.结果表明,X射线脉冲星/SINS组合导航在轨道机动过程中具有较高的导航精度,有效抑制了惯性导航误差随时间的漂移,提高了X射线脉冲星导航方法的通用性,为X射线脉冲星导航的工程应用奠定了理论基础.

射频功率和沉积压强对富硅-SiN_x薄膜微结构的影响

基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷和高纯氮气作为反应气体源,分别设置射频功率为50,80,110,140,170 W和沉积压强为200,250,300,350,400 Pa两组参数沉积富硅-SiNx薄膜.结果表明,薄膜的致密性和沉积速率与射频功率和沉积压强都有关系,射频功率的增加导致光学带隙值变大,而光学带隙值与沉积压强成非线性关系,其二者的光学带隙值均在硅与Si_3N_4薄膜的光学带隙值之间.射频功率的增加,导致反应室中N—N键断裂更加完全,与硅原子结合形成大量的Si—N键,而薄膜中的Si原子含量降低,导致薄膜中含氮量增加,且样品薄膜中Si_3N_4晶粒尺寸增加,表明该条件下沉积得到的是富硅-SiN_x薄膜.

sin(x)弹球的半经典量子化

利用半经典周期轨道理论研究了 sin(x)弹球的 Guass谱密度 ,并和量子力学边界元法的数值结果进行了比较 。

基于X射线sin^2φ法的择优取向金刚石膜残余应力分析

X射线sin2φ法是薄膜残余应力分析中比较理想的测量手段,但择优取向的存在导致薄膜各向异性,从而会影响测试曲线2～sin2φ的线性关系,表现为曲线的震荡现象。本文利用化学气相沉积(CVD)技术制备(110)择优取向金刚石膜样品,采用X射线sin2φ法对样品残余应力进行测试,通过合理选择衍射晶面和φ角避免择优取向对测量结果的影响,使测试曲线保持良好的线性。然后基于双金属和薄片弯曲理论模型对膜内热应力进行计算,进而得出样品内本征应力状态和大小。结果表明:金刚石薄膜内热应力总为压应力,择优取向使得晶粒排布的有序程度大大提高,本征应力主要来源于杂质的压应力,二者综合作用使得总残余应力表现为受压;随薄膜厚度增加,总应力绝对值变大,其中热压应力绝对值变小甚微,本征压应力绝对值增加显著。

TFT-AMLCD绝缘层a-SiN_x∶H的制备

用等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约 1μm的非晶氮化硅 (a SiNx∶H)薄膜 ,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数 ,折射率为 1.8左右 ,光吸收系数为1.2× 10 2 ～ 2× 10 2 cm- 1,相对介电常数为 7～ 8.4 ,电荷面密度为 2 .5× 10 12 ～ 3.1× 10 12 cm- 2 。这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管 -有源矩阵液晶显示器 (TFT AMLCD)

Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究

研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低、开态电流上升，获得了１０７的开关电流比．

HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。

基于Sin(x)/x内插改善数字存储示波器的带宽性能

带宽是数字存储示波器的一个重要性能,要提高存储示波器的带宽就必须提高采样频率。如何在采样速率一定的前提下,最大限度地改善示波器的带宽性能是高性能存储示波器设计中必须解决的一个难题。采用数字信号处理技术可以有效改善数字存储示波器的带宽性能。本文介绍了一种基于Sin(x)/x内插改善带宽性能的方法,给出了这种方法的实现原理和具体实现过程,并实例比较了这种方法和线性内插方法的示波效果。

关于自定义函数sin(x)和cos(x)的创建

本文详细讨论了创建自定义函数sin(x)和cos(x)的数学原理、误差估计和创建方法以及在实际编程中的应用。

数字T/R组件发射频谱控制技术研究

现代武器装备单平台集成的各频段雷达、通信等无线电设备数量越来越多,且发射信号均向高功率、超宽带等方向发展,使得雷达与其他设备之间的发射频谱交叠严重,进而导致不同设备之间存在严重的电磁干扰问题。文中针对不同无线电设备收发信号之间的电磁干扰问题进行了分析,重点讨论了数字T/R组件脉冲发射带外频谱分量的产生机理和改善方法,提出了针对性的频谱控制措施,并在某雷达数字T/R组件上开展了试验验证,证明了该频谱控制方法的有效性。

深亚微米同步辐射x射线光刻技术

报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米

泌尿系结石的X射线光电子能谱和X射线衍射联合分析

目的分析近年来泌尿系结石高发区广东省珠江三角洲泌尿系结石的主要化学成份,并探讨其预防方法。方法采用X射线光电子能谱XPS)和X射线衍射法XRD)对随机抽样的20个人体泌尿系统结石标本进行定性和定量分析。结果珠江三角洲泌尿系结石以结晶态物质为主,草酸钙结石占70%,尿酸结石占30%;草酸钙结石中大都含有磷酸盐,但含量通常小于10%。结论草酸钙、尿酸和磷酸盐构成了广东省珠江三角洲泌尿系结石的主要成份。结合XPS和XRD两种方法,可以较为准确地检测泌尿系结石的化学组份和物相。

不同X射线残余应力测定方法的原理与应用

对两种X射线衍射残余应力测定方法及原理进行了详细的介绍,分析了不同测定方法的选用依据和特点,介绍了sin^(2)ψ法与cosα法的主要区别和适用性,以及ψ角的设置对残余应力测定结果的影响。

LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力

报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx

氮流量在高氢氛围中对富硅氮化硅薄膜材料结构及其发光特性的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以N_2掺入到SiH_4和H_2的沉积方式,分别在玻璃和N型单晶硅片(100)衬底上制备富硅氮化硅薄膜。通过紫外-可见光吸收光谱、傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR光谱)、拉曼光谱和光致发光谱(PL谱)分别表征掺氮硅薄膜材料的带隙、结构及其发光特性的变化。结果表明:在氢气的氛围中,随着氮气流量的增加,氢原子能够对薄膜缺陷起到抑制作用,并使较低的SiH_4/N_2流量比下呈现富硅态,但却不利于硅团簇的形成。随着氮原子的掺入,Si-N键的含量增大,带隙增大,薄膜内微结构的无序度也增大,薄膜出现了硅与氮缺陷相关的缺陷态发光;随着氮原子进一步增加,出现了带尾态发光,进一步讨论了发光与结构之间的关联。这些结果有助于采用PEXVD制备富硅氮化硅对材料发光与结构特性的优化。

SiN_x薄膜热物性参数实验测量与分析研究

采用一种新的实验测量方案 ,将金属加热单元与温度探测单元合二为一 ,间接获得了在半导体和微电子学MEMS领域内有重要用途的SiNx 薄膜的导热系数、发射率、比热容和热扩散系数 ,并对实验结果进行了不确定度分析 ,为微电子电路设计和掩模成型工艺等提供了可靠的热物性数据 .实验结果表明 ,薄膜的导热系数、发射率、热扩散系数远比相应体材质低 ,而且还与温度、厚度有关 ,尺寸效应显著 。

微波电子回旋共振-化学气相沉积SiN_x薄膜的光学性能研究

研究了微波电子回旋共振－化学气相沉积ＳｉＮｘ薄膜的光学性能，这种ＳｉＮｘ薄膜具有透光谱宽、透光率高的特点，总结了透光谱、折射率、光隙能随微波功率。

工程陶瓷磨削表面残余应力的测量新方法

磨削加工后工程陶瓷零件表面会产生残余应力。X射线衍射法是用来测量磨削加工后工程陶瓷中残余应力的可靠测量手段。传统的X射线衍射法称之为sin2ψ法,通常只能测量工件表层的残余应力;本文介绍了一种残余应力测量新方法,该方法联合使用sin2ψ法和掠入射X射线衍射法从而得到残余应力在试件中的深度分布。如果考虑X射线的折射,在一系列掠射角下采集到的X射线衍射花样的有效穿透深度和衍射角必须进行折射校正。最后,用这种方法得到的残余应力值是X射线照射的所有层的平均值。