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High power semiconductor laser array with single-mode emission
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作者 Peng Jia Zhi-Jun Zhang +10 位作者 Yong-Yi Chen Zai-Jin Li Li Qin Lei Liang Yu-Xin Lei Cheng Qiu Yue Song Xiao-Nan Shan Yong-Qiang Ning Yi Qu Li-Jun Wang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第5期360-363,共4页
The semiconductor laser array with single-mode emission is presented in this paper.The 6-μm-wide ridge waveguides(RWGs)are fabricated to select the lateral mode.Thus the fundamental mode of laser array can be obtaine... The semiconductor laser array with single-mode emission is presented in this paper.The 6-μm-wide ridge waveguides(RWGs)are fabricated to select the lateral mode.Thus the fundamental mode of laser array can be obtained by the RWGs.And the maximum output power of single-mode emission can reach 36 W at an injection current of 43 A,after that,a kink will appear.The slow axis(SA)far-field divergence angle of the unit is 13.65.The beam quality factor M;of the units determined by the second-order moment(SOM)method,is 1.2.This single-mode emission laser array can be used for laser processing. 展开更多
关键词 semiconductor laser arrays single-mode high power high beam quality
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Optically pumped semiconductor nanowire lasers
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作者 Yaoguang MA Limin TONG 《Frontiers of Optoelectronics》 2012年第3期239-247,共9页
This paper reviews our recent work on fabrication, optical characterization and lasing application of semiconductor nanowires, with brief introduction of related work from many other groups.
关键词 semiconductor nanowire nanowire laser optical pump MICROFIBER
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A Comparative Study of Epi-up and Epi-Down Bonding of High Power 980 nm Single-Mode Semiconductor Lasers
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作者 Martin Hai Hu Lawrence C Hughes +2 位作者 Hong Ky Nguyen Catherine G. Caneau Chung-En Zah 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第S1期319-320,共2页
Epi-up and epi-down bonding of high power 980nm lasers have been studied in terms of bonding process, thermal behavior, optical performances, thermal stress effects and long-term laser reliability. We demonstrated tha... Epi-up and epi-down bonding of high power 980nm lasers have been studied in terms of bonding process, thermal behavior, optical performances, thermal stress effects and long-term laser reliability. We demonstrated that epi-down bonding can offer lower thermal resistance and improved optical performances without significantly degrading the long-term laser reliability. 展开更多
关键词 down in of A Comparative Study of Epi-up and Epi-Down Bonding of High Power 980 nm single-mode semiconductor lasers NM for that mode
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激光烧蚀法制备半导体纳米丝的研究进展 被引量:3
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作者 吴旭峰 凌一鸣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期67-69,共3页
简要介绍了当前国内外激光烧蚀法制备半导体纳米丝的研究现状。介绍了目前激光烧蚀法制备的实验装置及所采用的激光束参数。比较了不同实验结果中在纳米丝结构和生长方向等方面的差异 ,并分析了半导体纳米丝生长的VLS金属催化机理和氧... 简要介绍了当前国内外激光烧蚀法制备半导体纳米丝的研究现状。介绍了目前激光烧蚀法制备的实验装置及所采用的激光束参数。比较了不同实验结果中在纳米丝结构和生长方向等方面的差异 ,并分析了半导体纳米丝生长的VLS金属催化机理和氧化物辅助生长模型 ,我们认为Si 金属混合物作靶时金属催化作用对纳米丝的生长起主要作用 ,而在Si -氧化物混合物作靶时 。 展开更多
关键词 激光烧蚀 半导体 纳米丝 激光束参数 VLS金属催化机理
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激光溅射方法合成半导体纳米线
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作者 黄正国 周鸣飞 郁章玉 《曲阜师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第3期71-74,共4页
介绍了激光溅射方法合成半导体纳米线的原理、生长机理 (包括金属辅助生长机理和氧化物辅助生长机理 )
关键词 半导体纳米线 激光溅射方法 合成原理 生长机理 纳米结构 纳米材料
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硅纳米材料简介及硅纳米线的现代合成方法 被引量:3
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作者 刘茂玲 丁云桥 段希娥 《有机硅材料》 CAS 2009年第1期60-62,共3页
简要介绍了纳米材料、硅纳米材料的起源、发展,着重按硅纳米线的生长机理概括了5种合成方法:气-液-固生长法、有机溶液生长法、氧化物辅助生长法、分子束取向附生法、固-液-固生长法。
关键词 硅纳米材料 硅纳米线 激光烧蚀法 热气相沉积法 化学气相沉积法 微电子
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基于半导体纳米线的环形激光器 被引量:1
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作者 李圣昆 赵跃进 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第2期102-106,169,共6页
针对微光电子机械系统(MOMES)传感器件对微型片上光源的需求与当前半导体纳米线结构制备的进展,设计了一种基于Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米线的激光器。将生长出来的纳米线在纯净水中超声制备均匀分布的悬浊液,再滴至载玻片表面,在显微镜50×... 针对微光电子机械系统(MOMES)传感器件对微型片上光源的需求与当前半导体纳米线结构制备的进展,设计了一种基于Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米线的激光器。将生长出来的纳米线在纯净水中超声制备均匀分布的悬浊液,再滴至载玻片表面,在显微镜50×物镜下观测得到纳米线呈现稀疏分布,约2~3根,选择尺寸较长的纳米线作为制备环形谐振腔的材料。首先使用355 nm激光激发单根的纳米线,得到半导体纳米线受激发射的以505 nm为中心波长的绿光,半高全宽(FWHM)为20 nm,然后采用光纤探针和微米位移平台操控纳米线,制备了一个半径约10μm的环形谐振腔,并得到其激发光谱,谐振峰的中心位置在521.5 nm处,FWHM为0.19 nm,由此计算得到的品质因子值为2700,制备得到的谐振腔激光器可以满足MOMES器件集成的需要。 展开更多
关键词 微光电子机械系统(MOMES) 半导体纳米线 谐振腔 微型激光器 光致发光
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半导体纳米激光 被引量:8
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作者 宁存政 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2011年第3期145-160,共16页
半导体纳米激光的研究是目前纳米技术(或纳米光子学)和半导体激光交汇产生的研究前沿。本文将综述这一领域最近一些最激动人心的进展。我们将集中讨论两种半导体纳米结构的纳米激光:自下而上生长而成的纳米线和自上而下刻蚀制成的纳米... 半导体纳米激光的研究是目前纳米技术(或纳米光子学)和半导体激光交汇产生的研究前沿。本文将综述这一领域最近一些最激动人心的进展。我们将集中讨论两种半导体纳米结构的纳米激光:自下而上生长而成的纳米线和自上而下刻蚀制成的纳米柱状结构。本文将综述这些纳米激光器的特殊特征,特别是利用表面等离子效应而成制成的金属–半导体等离子体激光,即目前世界上最小激光器的最新进展。由于这些纳米激光器的微小的尺寸以及对光在空间限制增强,我们必须重新检验半导体激光器中某些熟悉的概念在纳米尺度上的正确性和含义,例如模式增益和光限制因子(CF)的概念。本文将从统一的观点解释光限制因子在电介质和等离子体纳米激光器中的某些似乎反常的行为。在本文的通篇论述中,我们将尝试回答究竟激光器的尺寸能够小到什么程度,或者激光器的尺寸是否存在一个最小极限等基本问题。 展开更多
关键词 纳米激光 纳米线 表面等离子波 半导体激光 纳米光学 纳米光电子学 纳米技术 纳米科学
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硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件
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作者 陶桂龙 许高博 徐秋霞 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期411-420,共10页
综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器... 综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析。概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径。研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力。 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ族纳米线 异质结 场效应晶体管 激光器 太阳电池
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表面等离激元金属-绝缘体-半导体波导激光器研究进展
10
作者 何庆叶 李国辉 +3 位作者 潘登 冀婷 王文艳 崔艳霞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1839-1854,共16页
纳米激光器在光通信、全息技术、生物医疗成像等领域有着广泛的应用前景。表面等离激元(Surface plasmon polariton,SPP)沿着金属表面传播,基于该特性可制成突破衍射极限的低阈值纳米激光器。它们不但具有小尺寸特征,同时还能激发Purcel... 纳米激光器在光通信、全息技术、生物医疗成像等领域有着广泛的应用前景。表面等离激元(Surface plasmon polariton,SPP)沿着金属表面传播,基于该特性可制成突破衍射极限的低阈值纳米激光器。它们不但具有小尺寸特征,同时还能激发Purcell效应,表现出更高的自发辐射效率。近年来,金属-绝缘体-半导体(MIS)波导结构的SPP激光器因具有超强的模式约束能力被大量报道。本文以基于MIS结构的SPP激光器为主题进行综述。首先,介绍了SPP激光器的工作原理,接着分别介绍了基于MIS波导结构的纳米片型和纳米线型SPP激光器的工作原理。然后,依据增益介质材料的不同,依次介绍了增益介质分别为Ⅱ-Ⅵ半导体、Ⅲ-Ⅴ半导体以及钙钛矿的SPP MIS波导激光器研究进展。最后,总结全文,并对基于MIS波导的SPP激光器未来的发展和挑战进行了展望。 展开更多
关键词 表面等离激元 金属-绝缘体-半导体 激光器 纳米片 纳米线
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单模半导体纳米线激光器 被引量:3
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作者 片思杰 Salman Ullah +1 位作者 杨青 马耀光 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期31-46,共16页
随着通信行业的快速扩张以及光互联、片上实验室等技术的发展,人们对激光器等器件集成化、小型化的需求日益增长。半导体纳米线激光器由于其独特的一维结构与灵活的带隙调控性能等特点,在微纳激光器领域受到广泛研究。实现单模输出的半... 随着通信行业的快速扩张以及光互联、片上实验室等技术的发展,人们对激光器等器件集成化、小型化的需求日益增长。半导体纳米线激光器由于其独特的一维结构与灵活的带隙调控性能等特点,在微纳激光器领域受到广泛研究。实现单模输出的半导体纳米线激光器,对光互联、传感、光谱学以及干涉测量等领域具有重要意义。综述了单模半导体纳米线激光器的基本技术与研究进展。介绍了半导体纳米线激光器的常用材料,并利用圆介质波导模型分析了其基本模式特性,详细阐述了半导体纳米线实现单模激光输出的主要方法以及发展现状,并对各方案面临的挑战进行了总结。 展开更多
关键词 激光光学 单模半导体纳米线激光器 纳米线激光器 模式选择 短腔 耦合腔
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Research progress of low-dimensional perovskites:synthesis,properties and optoelectronic applications 被引量:1
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作者 Xinzhe Min Pengchen Zhu +1 位作者 Shuai Gu Jia Zhu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2017年第1期19-27,共9页
The lead halide-based perovskites,for instance,CH3NH3PbX3 and CsPbX3(X = Cl,Br,I),have received a lot of attention.Compared with bulk materials,low-dimensional perovskites have demonstrated a range of unique optical... The lead halide-based perovskites,for instance,CH3NH3PbX3 and CsPbX3(X = Cl,Br,I),have received a lot of attention.Compared with bulk materials,low-dimensional perovskites have demonstrated a range of unique optical,electrical and mechanical properties,which enable wide applications in solar cells,lasers and other optoelectronic devices.In this paper,we provide a summary of the research progress of the low-dimensional perovskites in recent years,from synthesis methods,basic properties to their optoelectronic applications. 展开更多
关键词 low-dimensional perovskites NANOPLATES nanowireS quantum dots solar cells semiconductor lasers
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