菌草穴盘苗取投苗装置设计与试验分析

目前菌草穴盘苗移栽过程中缺乏自动取投苗装置,通过分析取投苗装置的工作原理,建立运动学模型并优化结构参数,研发一种六杆式取投苗装置。根据菌草穴盘苗钵体的抗压力学特性、取投苗装置的基本约束与空间约束,优化分析得到各杆件的结构参数,建立虚拟样机得到仿真轨迹和运动学参数。进一步研制样机,结合高速摄像技术获取取投苗装置的实际运动轨迹,对比两种轨迹的一致程度,验证装置设计的合理性。以取投“绿洲一号”菌草穴盘苗为例,将主动杆转速、送苗装置倾斜角以及钵体含水率作为试验因素,取苗成功率、投苗成功率作为响应指标,开展三因素三水平正交试验。试验结果表明,在主动杆转速为30 r/min、钵体含水率为60%、送苗装置倾斜角为50°时,取投苗的效果最优。重复试验表明,在最优因素水平下,取苗成功率与投苗成功率分别为95.31%和93.4%。

一种L~Ka波段的双边多触点型RF MEMS单刀六掷开关

目前通讯、导航等领域对单刀多掷开关有广泛的需求,而此类开关存在体积大、工作频带窄、插入损耗大、隔离度低等问题。文章设计了一种串联接触式双边多触点型RF MEMS单刀六掷开关。开关的下电极上设有三个圆形触点,远端连接有喇叭状过渡带,其上是带有带状孔的“X”形上电极,通过减小接触电阻和耦合电容来改善射频性能。经HFSS软件仿真优化,该开关工作频率可覆盖L~Ka波段,且在26.5 GHz下,插入损耗≤0.3 dB,隔离度≥37 dB,性能良好,尺寸为1.05×1.05×0.5 mm^(3)。结果表明,设计的单刀六掷开关射频性能具有较大优势,同时满足小型化的要求,因此在L~Ka波段的导航、认知无线网络以及微波测试等领域具有较大的应用前景。

夹角互成120°六拐曲轴锻造成形工艺分析

分析讨论了曲板夹角均匀分布、互成120°的大型六拐曲轴的锻造成形工艺及其在生产制造过程中的控制方法。所锻六拐曲轴曲板之间角度控制准确,杆与曲板之间无脱节,锻件外观质量和内部质量均符合标准要求。

四面六边透水框架体在水流中的沉速和落距试验研究

四面六边透水框架在水面上方抛放后,受重力影响透水框架到达水面时产生初始沉速,入水后受到水下重力与水流绕流阻力的作用,在向水下沉降的同时,还产生顺水流方向的落距。文章通过对四面六边透水框架在水流运动中的受力分析,建立了不同搭接方式和不同抛投方式的四面六边透水框架在不同抛投高度下的沉速和落距公式,并利用水槽试验资料对公式中的参数进行了率定。

基于正六方截面的六拐曲轴自由锻工艺设计

通过对六拐曲轴两种自由锻工艺的分析对比,通过试锻,验证了正六方截面制坯锻造工艺的可行性。正六方截面具有各边长成120°和各对角线成60°的特点,通过旋转对正六方截面的两个相对的顶点进行拍扁,可以精确地控制六拐曲轴的曲拐夹角角度和厚度达到工艺的要求,解决了曲拐夹角角度难以控制的锻造难点。采用该方案锻造的六拐曲轴,各项指标达到了设计要求,锻造流线连续,符合零件形状的要求,具有更好的综合力学性能。

曲轴热锻过程数值模拟及中心疏松区追踪分析

以六拐曲轴为例,运用Transvalor Forge-3D有限元模拟软件模拟了曲轴热锻过程的温度场、应变场以及金属流动情况。研究表明,飞边区域分模面处的温度明显高于工件内部区域,应变较大,塑性变形激烈,金属流动较复杂。从三维角度观察热锻过程中金属的流向,发现原材料中心次优层金属在热锻过程中易流到轴颈内侧,使次优层金属暴露在锻件表层或近表层,从而出现磁痕。研究预测出现磁痕的位置与实际相符,并提出修改预锻型腔尺寸、提高锻造温度等预防出现磁痕的措施。

曲轴锻造过程中的金属流动分析与磁痕研究

针对六拐曲轴进行磁粉探伤分析,观察探伤后磁痕的形貌和分布,采用三维有限元软件Transvalor Forge-3D对曲轴的热锻过程进行数值模拟,研究热锻过程中金属流动对曲轴磁痕的影响。模拟表明,在预锻和终锻过程中,第3、4拐与第1、6拐内侧分模面对应于曲轴的中心金属分布处,而中心金属的圆截面在第2、5拐截面上的横向分布为中心偏上10 mm左右。中心金属流至第1拐和第3拐的内侧圆角处,使得中心金属在经过后续的机加工等工序后,易暴露在工件表面,中心金属材料的外露易诱发裂纹、磁痕等的发生,这是磁痕形成的主要原因之一。结果表明,通过调整模具的预锻尺寸可以避免中心金属材料的暴露,严格控制原材料质量,控制中心金属的缺陷在一定允许范围内,可以避免实际锻造中曲轴内部缺陷的发生。

六朝的休闲娱乐活动——以投壶和围棋为例

六朝之际,由于社会上层的身体力行和乐此不疲,娱乐大行其道。前朝的一些游戏休闲活动,大多被发扬光大,花样翻新,更多地显露出其娱乐人心的本质功能。这其中,投壶和围棋的活动亦大为发展,从一个侧面彰显出六朝丰富的休闲娱乐生活。

15158A SP6T RF switch based on IBM SOI CMOS technology

This paper presents the design of single-pole six-throw （SP6T） RF switch with IBM 0.18 #m SOI CMOS technology, which can be widely used in a wireless communication system with its high performance and low cost. The circuit is designed and simulated by using an idea that the total load is divided into six branches and SOI special structures. The insertion loss is less than 0.6 dB, isolation is more than 30 dB, the input power P0.1dB for 0.1 dB compression point is more than 37.5 dBm, IIP3 is more than 70 dBm, the 2nd and the 3rd harmonic compressions are more than 96 dBc, and the control voltage is （＋2.46 V, 0, -2.46 V） in the frequency from 0.1 to 2.7 GHz.