Sol-gel自蔓燃法控制合成二氧化钛纳米粉体及性能

采用化学络合溶胶-凝胶法，结合自蔓燃合成工艺制备了结构可控、分散性良好的 TiO_2纳米粉体．考察了原料组成、凝胶膨胀程度和温度机制对粉体结构、分散性的影响，用漫反射光谱测试了所制备粉体的光吸收性能，结果表明，将原料中氧化剂与还原剂的摩尔比从2增加到7，在600℃的煅烧温度下可以得到金红石含量在25%～68.2%之间的 TiO_2，这些结构不同的粉体粒度为30nm 左右；凝胶前驱体经过150℃充分膨胀炭化，能有效阻止胶粒间氢键的形成，并且能够防止因毛细管作用而导致的凝胶网络坍塌，从而得到单分散无团聚粉体：提高煅烧温度，金红石含量增多、颗粒粒度增大，800℃时出现团聚体；用该工艺制备的粉体的光吸收范围发生明显红移，与市售金红石型 TiO_2相比，反光率下降10%以上；金红石含量为55.5%的混晶型粉体显示出最好的光吸收性能。

锆钛酸铅95/5纳米粉体Sol-Gel法制备与改进

以醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯为原料,改进溶胶-凝胶法,制备得到锆钛酸铅95/5纳米粉体.改进溶胶-凝胶法省去溶胶加水、凝胶干燥、干凝胶研磨等步骤,采用加热蒸馏溶胶制备凝胶,蒸馏回收溶剂并干燥凝胶,凝胶分段加热处理等方法,简化了加工工艺,大大缩短了合成周期,降低了成本.XRD和TEM分析表明,用改进sol-gel法制备得到的PZT粉体煅烧温度低、晶粒细小、均匀,直径约10nm.

溶胶-凝胶(sol-gel)法制作掺铒Al_2O_3薄膜及其光致发光光谱特性测量

介绍一种用溶胶 凝胶方法制作掺铒Al2 O3薄膜的工艺 实验测量了薄膜样品的光致发光光谱特性 结果表明光致发光光谱的峰值波长为 1.5 36 μm ,半值宽度为 34nm ;同时测量了光致发光光谱的峰值强度与泵浦功率。

Sol-gel独立前驱单体制备PZT铁电薄膜技术

采用醋酸铅、硝酸氧锆(硝酸锆)、钛酸丁酯独立稳定的前驱单体,sol gel法旋转涂膜技术制备了PZT铁电薄膜。研究了水的添加量对溶胶形成的影响,比较了不同的溶胶浓度、膜层结构(PT/PZT/PTSandwich)及热处理工艺条件对薄膜结构、铁电性能的影响。

sol-gel法制备纳米TiO_2-SiO_2宽带高增透膜

通过模拟计算设计出一种透射比为99%、包含一层TiO2薄膜和一层SiO2薄膜的宽带高增透膜。两层薄膜均由溶胶-凝胶法制得并采用提拉法成形于玻璃基片上。对增透膜样品的透射比、表面形貌、膜厚等进行了表征,考察了提拉速度、退火温度、催化条件等对其透射比、表面均匀性的影响。结果表明:增透膜的使用提高了玻璃基片的透射比;当提拉速度为9cm/min,增透膜厚约为255nm时,基片在400～800nm波段的透射比提高了7%。控制退火温度,可以使增透膜在某些波段的透射比增强。增透膜样品的表面均匀性良好,室温下膜层的均方根表面粗糙度(RMS)为1.682,平均粗糙度(RA)为1.208,在550℃的温度以下,随着退火温度升高,表面粗糙度降低。

Sol-Gel法制备木材功能性改良用SiO_2凝胶

以正硅酸乙酯（TEOS）原料，HCl／HF混合酸为水解催化剂，研究应用于木材功能性改良的SiO2凝胶的制备工艺条件。所配制3种反应溶液的TEOS／EtOH／H2O比例分别为FU1=1．00：15．35：7．45，FU2=1．00：5．43：10．10，FU3=1．00：5．47：5．77，HCl／HF摩尔比分别为0．02／0．01、0．02／0．04和0．02／0．06，可在120min左右得到醇凝胶。将醇凝胶在-21℃条件下陈化1～3d后，在12h内自然升温至室温，24h内置于超临界流体中进行干燥单元操作，可以得到适合木材功能性改良用并具有纳米结构的SiO2气凝胶。

M-sol血小板保存液对血小板体外保存期间质量的影响

目的探讨M-sol血小板添加液对保存期血小板质量的影响。方法采集健康献血者标本5份,制备浓缩血小板,应用M-sol血小板添加液保存浓缩血小板,以富含血小板的血浆(血浆组)作对照,分别在保存1、5、7、10d检测血小板计数、平均血小板体积(MPV)、胶原诱导的聚集反应及葡萄糖消耗和乳酸生成。结果 M-sol保存组血小板溶液的pH、pCO2比血浆组稳定,血小板聚集率下降幅度比血浆组小,葡萄糖消耗和乳酸生成幅度低于血浆组。结论 M-sol添加液在血小板的体外保存期维持血小板质量的作用优于血浆。

Sol-gel法制备SrTiO_3:0.002Pr磷光体的研究(英文)

采用Sol-gel法制备了具有粒径均匀分布的Pr离子单掺SrTiO3:0.002Pr纳米磷光体。通过DTA、XRD和PL对样品的成相过程和晶体结构及其光谱性能进行了测试分析。DTA和XRD分析结果表明:前驱体在较低温度(<500℃)加热就已经有立方相SrTiO3纳米晶析出,经935℃加热后完全形成单一立方相SrTiO3纳米晶,空间群为Pm-3m(221),经Scherrer公式计算得磷光体的晶粒尺寸约为82 nm。光谱性能研究表明,磷光体的发光性能受烧结温度影响非常明显。对应于Pr离子1D2→3H4能级跃迁的红色发光强度随着烧成温度从600℃升高到1300℃过程中逐渐增大,但发射谱的形状和主峰位置均保持不变。

Sol-Gel法制备Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及其性能研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密。对700℃退火的BTO薄膜进行了铁电性能和疲劳特性测试,在测试电压为6 V时,剩余极化值2Pr约为12.5μC/cm2,矫顽电场2Ec约为116.7 kV/cm;经1×109次极化反转后,剩余极化值下降了24%,对其疲劳机理进行了探讨。

Sol-gel法介孔SiO_2膜的制备工艺研究

以正硅酸乙酯为硅源,氨水为催化剂,研究了solgel法介孔SiO2膜的制备工艺,得到了制备SiO2溶胶的优化工艺条件。发现催化剂氨的浓度是影响SiO2溶胶质量的关键因素,在影响SiO2膜制备的众多因素中,溶胶pH值、溶胶浓度和成膜助剂是影响膜制备的关键因素。实验发现,在适宜的条件例如合适的pH值下,溶胶凝胶干燥过程具有自适应性,能够自动调节凝胶和干燥速度,从而使凝胶干燥过程中存在的收缩在很大程度上得到减少甚至避免。采用液液排除法对优化条件下制备的SiO2膜的孔径分布进行了表征,结果表明,在实验条件下所获得的SiO2膜的孔径分布在8.8～14.4nm。

sol-gel法制备ZnFe_2O_4及其NO_2气敏性能的研究

采用sol-gel法制备了尖晶石结构的ZnFe2O4粉体,以其为电极材料在钇稳氧化锆陶瓷片(YSZ)上利用丝网印刷技术制备了片式NO2传感器,并对传感器在不同NO2浓度和不同温度下的输出电动势E和响应时间进行了研究。结果显示:在φ(NO2)为(68～494)×10–6范围内,E随着NO2浓度的增大而增大,并与NO2浓度的对数呈现良好的线性关系。在600℃高温时,传感器上升和下降响应时间分别为60和120s,且重复性较好。但随着工作温度的升高,传感器的灵敏度下降。

Sol-gel法制备多铁性Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3薄膜及其性能

采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜。研究了退火温度对其晶相形成的影响,发现在较低温度退火(450℃)时,Bi0.85Eu0.15FeO3晶相开始形成,但存在杂相,而且结晶度较差;在490～600℃可以获得结晶较好的单相Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜。同时对经550℃退火的薄膜的介电、铁电和铁磁性能进行了研究,结果表明,Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜具有较好的介电及铁磁性能。当测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数和介电损耗分别为80、0.024,饱和磁化强度约为26.2emu/cm3。

sol-gel法制备镉掺杂铁酸镧气敏材料

研究了气敏材料的制备条件、相组成、电导和气敏性能。结果表明:固溶体La1–xCdxFeO3(0≤x≤0.15)呈典型的p型半导体。270℃操作温度下,掺杂x(Cd2+)为25%的LaFeO3材料(700℃下热处理4h)对浓度为4.5×10–5mol·dm–3的C2H5OH的灵敏度达81.5。有望开发为一类新型的酒敏传感器。

Sol-gel法制备W/WO_3 H^+选择性电极的研究

利用Solgel法制备了W/WO3pH电极,研究了电极的H+响应范围、响应灵敏度、响应时间与滞后效应;讨论了热处理温度与H+响应行为的关系及干扰离子和溶液温度对H+响应的影响;提出了氧化膜内H+迁移嵌入方式和响应机理。

微波辅助Sol-gel法制备La_(0.7)Ca_(0.3)CrO_(3-δ)超细粉体及其烧结性能的研究

铬酸镧是最有希望的固体氧化物燃料电池陶瓷连接材料,但存在空气中烧结活性差、中温电导率低等缺陷。利用微波辅助Sol-gel工艺成功制备了La0.7Ca0.3CrO3-δ高活性超细粉体,粉体粒径分布集中,900℃煅烧后的粉体在1400℃空气中烧结4h获得了高达96.3%的相对密度。烧结体具有优良的电导性能,850℃达到63.6S/cm,远高于文献报道值,完全能够满足中温燃料电池(IT-SOFCs)的使用要求。

Sol-gel法制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3铁电薄膜

利用Sol—gel工艺在Pt／Ti／SiO2／si衬底上制备了Pb（Zr0.53Ti0.47）O3（PZT）薄膜，研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相；在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构；升高退火温度（500-850℃）、延长保温时间（30～150min）、增加薄膜厚度（120-630nm）都有利于PZT晶粒的长大。在650～750℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能，保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大，PZT薄膜的厚度为200-300nm时可以得到比较好的铁电性能。在退火温度750℃、保温时间30min条件下退火处理厚310nm的PZT薄膜，其剩余极化值（2Pr）和矫顽电场（2Ec）分别是72μC／cm^2、158kV/cm。

微波辐射sol-gel法制备硅铁红

探讨了微波辅助干燥工艺在sol-gel法制备硅铁红陶瓷颜料中的作用。研究结果表明,Fe2O3/SiO2的最佳合成条件为:硅/铁摩尔比为7∶1,微波辐射功率和时间分别为75%和8 min,前驱体煅烧温度和时间分别为750℃和2 h;此条件制备的Fe2O3/SiO2,其包裹率达到93.1%。

溶液燃烧法与Sol-Gel法制备BAM荧光粉的光谱特性对比分析

在空气中分别采用Sol-Gel法和溶液燃烧法制备了稀土Eu激活的BaMgAl10O17(BAM)荧光粉,并对其光谱特性进行了对比分析。结果表明,Sol-Gel法制备的BAM的荧光光谱与+3价Eu离子的光谱特征完全相符,为红光发射,其发射主峰位于617nm,属于占据非对称中心格位Eu3+的5D0→7F2的电偶极(ED)特征发射,而且由于晶场的作用使多重态的7FJ分裂为多个stark能级,导致5D0→7F1、5D0→7F3的发射峰裂分为多重峰;而溶液燃烧法制备的BAM的发光呈Eu2+离子的特征发射,为典型的蓝色发光,其发射光谱是一个最大峰值位于450nm的宽带谱,归属于Eu2+离子的4f65d→4f7(8S7/2)宽带允许跃迁。

Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究

采用Sol—Gel法，结合旋转涂覆技术在Si（100）衬底上制备了ZnO：Cd薄膜，并对其在600～800℃热处理。X-射线衍射仪（XRD）结果表明，ZnO：Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构，且随着热处理温度的升高，（002）衍射峰的强度逐渐增强。峰半高宽（FWHM，ZnO（002））不断减小，并沿c轴择优取向生长；Cd掺杂后，未出现CdO或其他镉化物等杂质相，但在（002）峰-峰顶出现了分叉（多峰）现象。随着退火温度的升高，多峰消失，但这方面的报道甚少。扫描式电子显微镜（SEM）显示ZnO：Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征。以石英为基片的透射光谱实验计算表明，ZnO：Cd薄膜的禁带宽度平均为3．10eV；800℃，x（Cd）=8％样品的禁带宽度为2．80eV，比纯ZnO晶体禁带宽度（3．30eV）明显减小，这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。

室温下Sol-Gel法制备BiFeO_3薄膜的铁电和介电性

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在LaNiO3包覆的SiO2/Si衬底上采用不同退火工艺制备了BiFeO3薄膜。原子力显微镜研究表明,薄膜表面光滑,并由不同大小的晶粒组成。X-射线表明不同样品结晶程度不同,并根据不同的退火工艺分别呈(010)择优取向和随机取向。2种取向的薄膜的双剩余极化强度分别为2.84μC/cm2和2.56μC/cm2。择优取向的薄膜在低频下的介电常数和介电损耗较大,且其薄膜中观察到大漏电流。并对两薄膜的导电机制用空间电荷限制的电导理论进行了分析。