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Sol-Gel法制备PZT薄膜及其抗疲劳性能研究进展
被引量:
4
1
作者
刘大格
张洪喜
+2 位作者
王中
蔡伟
赵连城
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1998年第4期276-282,共7页
综述了Sol-Gel法制备PZT系列铁电薄膜各种因素对薄膜微结构及性能的影响,分析了铁电薄膜极化疲劳微观机制,提出了优化的工艺条件及极化疲劳改善方法。
关键词
pzt
铁电薄膜
sol-gel
法
疲劳
下载PDF
职称材料
PZT纳米晶薄膜的Sol-Gel法制备及铁电性质
被引量:
2
2
作者
宋世庚
谭辉
+4 位作者
王学燕
符小荣
郑立荣
陶明德
林成鲁
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期392-396,共5页
采用Sol-Gel法,以Zr的硝酸盐替代醇盐,引入PbTiO3过渡层的方法成功的制备了纳米晶铁电薄膜。并进行了差热、热重、结构、组分、铁电性能的测定、分析,
关键词
铁电薄膜
pzt
纳米晶
溶胶凝胶法
薄膜
下载PDF
职称材料
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜
被引量:
2
3
作者
吴湘伟
陈振华
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
2002年第4期13-16,共4页
用溶胶-凝胶法在单晶Si、PLT/Si、PT/Si以及经过质子交换后的LiNbO3基片上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,分析了界面扩散以及Pb含量对薄膜晶化的影响。在试验中,通过适当添加过量的Pb(CH3COO)2可以防止缺Pb焦绿石相的形成。
关键词
制备
pzt
溶胶-凝胶法
铁电薄膜
扩散
下载PDF
职称材料
Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响
被引量:
1
4
作者
刘国营
柳擎
《重庆工学院学报》
2006年第8期57-59,共3页
用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂...
用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂范围内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和介电常数也有所减小.
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关键词
Co和Nb掺杂
pzt
铁电薄膜
Sol-Cel法
电学性质
下载PDF
职称材料
Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响
5
作者
刘国营
柳擎
罗时军
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第8期33-35,共3页
用sol—gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(101)为首要方向的多晶结构。结果表明,Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽场强、相对介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在掺杂x(Nb)...
用sol—gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(101)为首要方向的多晶结构。结果表明,Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽场强、相对介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在掺杂x(Nb)为1%-10%内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和相对介电常数也有所减小。
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关键词
无机非金属材料
Co和Nb掺杂
pzt
铁电薄膜
sol-gel
法
电学性质
下载PDF
职称材料
探讨溶胶-凝胶工艺制备PZT薄膜
被引量:
6
6
作者
张红芳
佘正国
《江苏大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
2002年第2期83-87,94,共6页
介绍溶胶 -凝胶法制备PZT铁电薄膜的工艺过程 ,探讨影响稳定溶胶配制的原材料、溶剂及溶液的 pH值选取 分析催化剂和添加剂在提高薄膜质量方面的作用机理 ,理论上阐述了基片和PbTiO3过渡层对促进PZT薄膜晶化的影响 提出优化溶胶 -凝...
介绍溶胶 -凝胶法制备PZT铁电薄膜的工艺过程 ,探讨影响稳定溶胶配制的原材料、溶剂及溶液的 pH值选取 分析催化剂和添加剂在提高薄膜质量方面的作用机理 ,理论上阐述了基片和PbTiO3过渡层对促进PZT薄膜晶化的影响 提出优化溶胶 -凝胶技术的关键措施 利用优化工艺对采用无机盐硝酸锆 ,通过甩胶沉积在α Al2
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关键词
溶胶-凝胶
pzt
铁电薄膜
工艺
制备
功能陶瓷
下载PDF
职称材料
溶胶一凝胶工艺对PZT铁电薄膜结构的影响
被引量:
8
7
作者
何恩培
刘梅冬
卢春如
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1994年第5期44-47,共4页
本文阐述了用溶胶一凝胶法制备锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜的工艺参数对薄膜结构的影响。实验表明,采用合适的工艺参数能制备出具有钙钛矿型结构的PZT铁电薄膜。
关键词
溶胶-凝胶工艺
铁电薄膜
锆钛酸铅
pzt
下载PDF
职称材料
退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响
被引量:
1
8
作者
蒋力立
唐新桂
丁爱丽
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期3-5,共3页
通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜.制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜.PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的...
通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜.制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜.PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的铁电和介电特性,其最佳退火温度为600℃.
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关键词
锆钛酸铅薄膜
溶胶-凝胶法
退火温度
铁电特性
介电特性
下载PDF
职称材料
用溶胶-凝法制备锆钛铅铁电薄膜
被引量:
4
9
作者
阎培渝
苏涛
+1 位作者
李龙土
张孝文
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1995年第6期43-46,共4页
利用溶胶-凝胶法在镀铂硅片上制备了PZT铁电薄膜。利用XRD、SEM和TEM观察了PZT薄膜的组成与形貌,测定PZT薄膜的电学性能。为防止薄膜发生龟裂,在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂,并采用慢速变温的热处理过程...
利用溶胶-凝胶法在镀铂硅片上制备了PZT铁电薄膜。利用XRD、SEM和TEM观察了PZT薄膜的组成与形貌,测定PZT薄膜的电学性能。为防止薄膜发生龟裂,在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂,并采用慢速变温的热处理过程。PbTiO3过渡层保证了PZT薄膜结晶完好。
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关键词
溶胶-凝胶法
铁电薄膜
锆钛铅铁电薄膜
下载PDF
职称材料
题名
Sol-Gel法制备PZT薄膜及其抗疲劳性能研究进展
被引量:
4
1
作者
刘大格
张洪喜
王中
蔡伟
赵连城
机构
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1998年第4期276-282,共7页
基金
国防科工委基金
文摘
综述了Sol-Gel法制备PZT系列铁电薄膜各种因素对薄膜微结构及性能的影响,分析了铁电薄膜极化疲劳微观机制,提出了优化的工艺条件及极化疲劳改善方法。
关键词
pzt
铁电薄膜
sol-gel
法
疲劳
Keywords
pzt
,
ferroelectric
thin
film
s,SolGel
process
ing,fatigue
分类号
TM221.051 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
PZT纳米晶薄膜的Sol-Gel法制备及铁电性质
被引量:
2
2
作者
宋世庚
谭辉
王学燕
符小荣
郑立荣
陶明德
林成鲁
机构
中国科学院上海冶金所功能材料国家重点实验室
中国科学院新疆物理研究所
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期392-396,共5页
文摘
采用Sol-Gel法,以Zr的硝酸盐替代醇盐,引入PbTiO3过渡层的方法成功的制备了纳米晶铁电薄膜。并进行了差热、热重、结构、组分、铁电性能的测定、分析,
关键词
铁电薄膜
pzt
纳米晶
溶胶凝胶法
薄膜
Keywords
sol-gel process
ing
ferroelectric thin film
pzt
nano-crystalline
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB43 [一般工业技术]
下载PDF
职称材料
题名
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜
被引量:
2
3
作者
吴湘伟
陈振华
机构
中南大学材料科学与工程学院
湖南大学材料学院
出处
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
2002年第4期13-16,共4页
文摘
用溶胶-凝胶法在单晶Si、PLT/Si、PT/Si以及经过质子交换后的LiNbO3基片上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,分析了界面扩散以及Pb含量对薄膜晶化的影响。在试验中,通过适当添加过量的Pb(CH3COO)2可以防止缺Pb焦绿石相的形成。
关键词
制备
pzt
溶胶-凝胶法
铁电薄膜
扩散
Keywords
pzt
sol-gel process
ferroelectric
s thin
film
s
diffusion
分类号
TM223 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响
被引量:
1
4
作者
刘国营
柳擎
机构
湖北汽车工业学院理学部
华中科技大学物理系
出处
《重庆工学院学报》
2006年第8期57-59,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(10447108)
文摘
用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂范围内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和介电常数也有所减小.
关键词
Co和Nb掺杂
pzt
铁电薄膜
Sol-Cel法
电学性质
Keywords
Co-and- Nb-doped
pzt
ferroelectric thin film
sol-gel process
electrical properties
分类号
TB303 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响
5
作者
刘国营
柳擎
罗时军
机构
湖北汽车工业学院理学部
华中科技大学物理系
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第8期33-35,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(10447108)
文摘
用sol—gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(101)为首要方向的多晶结构。结果表明,Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽场强、相对介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在掺杂x(Nb)为1%-10%内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和相对介电常数也有所减小。
关键词
无机非金属材料
Co和Nb掺杂
pzt
铁电薄膜
sol-gel
法
电学性质
Keywords
inorganic non-metallic materials
Co and Nb codoping
pzt
ferroelectric thin film
sol-gel process
electrical properties
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
探讨溶胶-凝胶工艺制备PZT薄膜
被引量:
6
6
作者
张红芳
佘正国
机构
江苏大学材料科学与工程学院
出处
《江苏大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
2002年第2期83-87,94,共6页
文摘
介绍溶胶 -凝胶法制备PZT铁电薄膜的工艺过程 ,探讨影响稳定溶胶配制的原材料、溶剂及溶液的 pH值选取 分析催化剂和添加剂在提高薄膜质量方面的作用机理 ,理论上阐述了基片和PbTiO3过渡层对促进PZT薄膜晶化的影响 提出优化溶胶 -凝胶技术的关键措施 利用优化工艺对采用无机盐硝酸锆 ,通过甩胶沉积在α Al2
关键词
溶胶-凝胶
pzt
铁电薄膜
工艺
制备
功能陶瓷
Keywords
sol gel
process
ing
pzt
ferroelectric thin film
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
溶胶一凝胶工艺对PZT铁电薄膜结构的影响
被引量:
8
7
作者
何恩培
刘梅冬
卢春如
机构
华中理工大学固体电子学系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1994年第5期44-47,共4页
文摘
本文阐述了用溶胶一凝胶法制备锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜的工艺参数对薄膜结构的影响。实验表明,采用合适的工艺参数能制备出具有钙钛矿型结构的PZT铁电薄膜。
关键词
溶胶-凝胶工艺
铁电薄膜
锆钛酸铅
pzt
Keywords
sol-gel process
,
ferroelectric thin film
,
pzt
分类号
TM223 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响
被引量:
1
8
作者
蒋力立
唐新桂
丁爱丽
机构
广东工业大学应用物理系
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期3-5,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(59995520)
文摘
通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜.制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜.PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的铁电和介电特性,其最佳退火温度为600℃.
关键词
锆钛酸铅薄膜
溶胶-凝胶法
退火温度
铁电特性
介电特性
Keywords
pzt
film
sol-gel process
annealing temperature
ferroelectric
properties
dielectric properties
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
TM53 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
用溶胶-凝法制备锆钛铅铁电薄膜
被引量:
4
9
作者
阎培渝
苏涛
李龙土
张孝文
机构
清华大学材料科学与工程系
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1995年第6期43-46,共4页
基金
博士后科学基金
文摘
利用溶胶-凝胶法在镀铂硅片上制备了PZT铁电薄膜。利用XRD、SEM和TEM观察了PZT薄膜的组成与形貌,测定PZT薄膜的电学性能。为防止薄膜发生龟裂,在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂,并采用慢速变温的热处理过程。PbTiO3过渡层保证了PZT薄膜结晶完好。
关键词
溶胶-凝胶法
铁电薄膜
锆钛铅铁电薄膜
Keywords
sol-gel process
,
pzt
,
ferroelectric thin film
s
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
TM221.05 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Sol-Gel法制备PZT薄膜及其抗疲劳性能研究进展
刘大格
张洪喜
王中
蔡伟
赵连城
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1998
4
下载PDF
职称材料
2
PZT纳米晶薄膜的Sol-Gel法制备及铁电性质
宋世庚
谭辉
王学燕
符小荣
郑立荣
陶明德
林成鲁
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
2
下载PDF
职称材料
3
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜
吴湘伟
陈振华
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
2002
2
下载PDF
职称材料
4
Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响
刘国营
柳擎
《重庆工学院学报》
2006
1
下载PDF
职称材料
5
Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响
刘国营
柳擎
罗时军
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
6
探讨溶胶-凝胶工艺制备PZT薄膜
张红芳
佘正国
《江苏大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
2002
6
下载PDF
职称材料
7
溶胶一凝胶工艺对PZT铁电薄膜结构的影响
何恩培
刘梅冬
卢春如
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1994
8
下载PDF
职称材料
8
退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响
蒋力立
唐新桂
丁爱丽
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
下载PDF
职称材料
9
用溶胶-凝法制备锆钛铅铁电薄膜
阎培渝
苏涛
李龙土
张孝文
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1995
4
下载PDF
职称材料
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