Sol-Gel法制备PZT薄膜及其抗疲劳性能研究进展

综述了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰＺＴ系列铁电薄膜各种因素对薄膜微结构及性能的影响，分析了铁电薄膜极化疲劳微观机制，提出了优化的工艺条件及极化疲劳改善方法。

PZT纳米晶薄膜的Sol-Gel法制备及铁电性质

采用Sol-Gel法，以Zr的硝酸盐替代醇盐，引入PbTiO3过渡层的方法成功的制备了纳米晶铁电薄膜。并进行了差热、热重、结构、组分、铁电性能的测定、分析，

用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜

用溶胶-凝胶法在单晶Si、PLT/Si、PT/Si以及经过质子交换后的LiNbO3基片上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,分析了界面扩散以及Pb含量对薄膜晶化的影响。在试验中,通过适当添加过量的Pb(CH3COO)2可以防止缺Pb焦绿石相的形成。

退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响

通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜.制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜.PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的铁电和介电特性,其最佳退火温度为600℃.

Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响

用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂范围内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和介电常数也有所减小.

Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响

用sol—gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜，薄膜呈以（101）为首要方向的多晶结构。结果表明，Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽场强、相对介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值，但在掺杂x（Nb）为1％-10％内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小，薄膜的剩余极化强度和相对介电常数也有所减小。

探讨溶胶-凝胶工艺制备PZT薄膜

介绍溶胶 -凝胶法制备PZT铁电薄膜的工艺过程 ,探讨影响稳定溶胶配制的原材料、溶剂及溶液的 pH值选取 分析催化剂和添加剂在提高薄膜质量方面的作用机理 ,理论上阐述了基片和PbTiO3过渡层对促进PZT薄膜晶化的影响 提出优化溶胶 -凝胶技术的关键措施 利用优化工艺对采用无机盐硝酸锆 ,通过甩胶沉积在α Al2

溶胶一凝胶工艺对PZT铁电薄膜结构的影响

本文阐述了用溶胶一凝胶法制备锆钛酸铅（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺参数对薄膜结构的影响。实验表明，采用合适的工艺参数能制备出具有钙钛矿型结构的ＰＺＴ铁电薄膜。

用溶胶－凝法制备锆钛铅铁电薄膜

利用溶胶－凝胶法在镀铂硅片上制备了ＰＺＴ铁电薄膜。利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ观察了ＰＺＴ薄膜的组成与形貌，测定ＰＺＴ薄膜的电学性能。为防止薄膜发生龟裂，在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂，并采用慢速变温的热处理过程。ＰｂＴｉＯ３过渡层保证了ＰＺＴ薄膜结晶完好。