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焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响
被引量:
18
1
作者
肖飞
罗毅飞
+1 位作者
刘宾礼
夏燕飞
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期1499-1506,共8页
为了查明封装疲劳对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热特性的影响,从封装结构的角度分析了焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响规律。首先建立了IGBT芯片封装的有限元模型,然后结合传热学分析了焊料层空洞大小、位置以及分布对IGBT芯片最高...
为了查明封装疲劳对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热特性的影响,从封装结构的角度分析了焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响规律。首先建立了IGBT芯片封装的有限元模型,然后结合传热学分析了焊料层空洞大小、位置以及分布对IGBT芯片最高结温的影响规律并进行了仿真,最后基于加速寿命实验进行了验证。结果表明:空洞率相同时,芯片对角线上的空洞对芯片最高结温的影响最大;位置相同时,芯片顶点位置空洞大小的变化对芯片最高结温的影响最大;2种情况下,单个空洞的影响均大于相同空洞率下的空洞分布影响,而空洞分布中的中心集中分布对芯片最高结温的影响最大;芯片最高结温随空洞率增大而近似呈线性关系增大,芯片结壳热阻与空洞率也近似呈线性关系增大,验证了理论分析的正确性。研究结论可从封装疲劳的角度对IGBT尽限应用提供指导。
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关键词
焊料层空洞
器件热稳定性
空洞率
3维有限元模型
结温
结壳热阻
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职称材料
基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究
被引量:
6
2
作者
肖超
王立新
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第5期489-492,共4页
热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验,通过积分结构函数分离点来确定器件热阻。该方法简单准确,可重复性好,实验测试结果为0.5 ...
热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验,通过积分结构函数分离点来确定器件热阻。该方法简单准确,可重复性好,实验测试结果为0.5 K/W,与有限元(FE)建模获得的0.44 K/W符合较好。对比两不同批次器件的微分结构函数,其中一种器件微分结构函数发生0.2 K/W偏移,超声波扫描(SAM)发现该器件焊料层存有空洞,该方法可用来判断器件内部工艺的好坏。
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关键词
功率MOSFET器件
热阻
结构函数
超声波扫描
焊料空洞
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职称材料
粘结层空洞对功率器件封装热阻的影响
被引量:
16
3
作者
吴昊
陈铭
+1 位作者
高立明
李明
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期226-230,共5页
功率器件的热阻是预测器件结温和可靠性的重要热参数,其中芯片粘接工艺过程引起的粘结层空洞对于器件热性能有很大的影响。采用有限元软件Ansys Workbench对TO3P封装形式的功率器件进行建模与热仿真,精确构建了不同类型空洞的粘结层模型...
功率器件的热阻是预测器件结温和可靠性的重要热参数,其中芯片粘接工艺过程引起的粘结层空洞对于器件热性能有很大的影响。采用有限元软件Ansys Workbench对TO3P封装形式的功率器件进行建模与热仿真,精确构建了不同类型空洞的粘结层模型,包括不同空洞率的单个大空洞和离散分布小空洞、不同深度分布的浅层空洞和沿着对角线分布的大空洞。结果表明,单个大空洞对器件结温和热阻升高的影响远大于相同空洞率的离散小空洞;贯穿粘结层的空洞和分布在芯片与粘结层之间的浅空洞会显著引起热阻上升;分布在粘结层边缘的大空洞比中心和其他位置的大空洞对热阻升高贡献更大。
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关键词
有限元分析
粘结层
热阻
结温
空洞率
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职称材料
焊接层空洞率对LED背光源组件热阻的影响
被引量:
5
4
作者
刘志慧
柴广跃
+2 位作者
闫星涛
刘琪
罗剑生
《照明工程学报》
2016年第6期98-103,共6页
焊接层空洞是引起电子器件和光电子器件失效的一种重要因素,同时也是应用系统可靠性研究的重要内容之一。它增大了焊接层的热阻使得功率半导体芯片由于散热不良而失效,本文通过实验研究了空洞率对LED背光源组件热阻的影响,结果显示随着...
焊接层空洞是引起电子器件和光电子器件失效的一种重要因素,同时也是应用系统可靠性研究的重要内容之一。它增大了焊接层的热阻使得功率半导体芯片由于散热不良而失效,本文通过实验研究了空洞率对LED背光源组件热阻的影响,结果显示随着焊接层空洞率的增大,样品结温与组件热阻都明显增加,且基本呈线性增长趋势,当空洞率约为17%时,热阻增长6.03%,结温提高1.74%;当空洞率约为73%时,热阻增长24.7%,结温提高9%。
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关键词
LED背光源
焊接层
空洞率
热阻
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职称材料
焊料层空洞对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块温度分布的影响
被引量:
11
5
作者
孙海峰
杨舒曼
《科学技术与工程》
北大核心
2018年第32期189-194,共6页
作为新能源发电、电动汽车和智能电网的重要单元,IGBT模块得到越来越广泛的应用,其安全可靠性也受到更多的关注。当前功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件封装形式主要有焊接式和压接式两种;而其中焊接式发展较成熟,应用较广泛。作为构成I...
作为新能源发电、电动汽车和智能电网的重要单元,IGBT模块得到越来越广泛的应用,其安全可靠性也受到更多的关注。当前功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件封装形式主要有焊接式和压接式两种;而其中焊接式发展较成熟,应用较广泛。作为构成IGBT模块的关键单元和实现IGBT模块功能的关键部分,焊料层的可靠性显得尤为重要。焊料层的失效形式主要有:空洞扩大、各材料的热膨胀系数不匹配导致的热疲劳;其中焊料层空洞由于焊接工艺局限性而难以避免。应用多物理场有限元仿真软件COMSOL,建立IGBT模块的三维模型;研究焊料层空洞不同位置、不同大小对IGBT模块芯片最高温度的影响;并研究新型材料Sn-Ag-Cu-0. 5Sb较传统焊料层材料Sn-Ag-Cu的优势。仿真结果表明同工况下,焊料为Sn-Ag-Cu-0. 5Sb时,芯片温度都比焊料为Sn-Ag-Cu时低一些,显示出较好的焊料性能。
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关键词
IGBT模块
焊料层
空洞
有限元
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职称材料
焊层空洞对IGBT芯片温度的影响
被引量:
2
6
作者
郝建红
苏立昌
《现代电子技术》
北大核心
2018年第3期151-156,共6页
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良的主要因素,基于IGBT的七层结构,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型并对其进行热分析,研究焊层空洞对IGBT芯片温度的影响。对比了有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析了空洞类型、空洞大小...
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良的主要因素,基于IGBT的七层结构,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型并对其进行热分析,研究焊层空洞对IGBT芯片温度的影响。对比了有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析了空洞类型、空洞大小、空洞形状、空洞数量及空洞分布对IGBT芯片温度分布的影响。研究结果表明:芯片焊层空洞对芯片温度的影响较大,衬板焊层空洞对芯片温度的影响较小;贯穿型空洞对芯片温度的影响要大于非贯穿型空洞;单个空洞越大,IGBT芯片温度越高;相同形状的空洞,处于边角位置比处于焊层内部对芯片温度影响大;多个空洞分布越集中,芯片温度越高;焊层缝隙对芯片温度的影响要小于空洞对芯片温度的影响。因此,在封装过程中应避免出现芯片焊层空洞,以提高IGBT的可靠性。
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关键词
焊层空洞
IGBT模块
有限元
芯片焊层
热分析
芯片温度
下载PDF
职称材料
焊层空洞对IGBT模块热应力的影响
被引量:
13
7
作者
吴煜东
常桂钦
+3 位作者
彭勇殿
方杰
唐龙谷
李继鲁
《大功率变流技术》
2014年第1期17-23,共7页
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究了不同焊层厚度、焊层空洞率和空洞位置对模块最高结温与最大等效应力的影响;探讨了焊层空洞对模块瞬态...
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究了不同焊层厚度、焊层空洞率和空洞位置对模块最高结温与最大等效应力的影响;探讨了焊层空洞对模块瞬态热阻抗的影响。
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关键词
IGBT模块
焊层厚度
空洞率
热分析
应力分析
瞬态热阻抗
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职称材料
考虑焊料空洞损伤的IGBT双向热网络模型
8
作者
蔡彦阁
杜明星
姚婉荣
《仪器仪表用户》
2022年第2期8-12,29,共6页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的老化状态和封装结构对IGBT芯片的结温及温度分布产生影响,但传统热网络模型往往会忽视硅胶和外壳对结温的影响,造成结温估计不准确。针对此问题建立考虑硅胶和外壳的双向热网络模型,在考虑芯片焊料层空...
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的老化状态和封装结构对IGBT芯片的结温及温度分布产生影响,但传统热网络模型往往会忽视硅胶和外壳对结温的影响,造成结温估计不准确。针对此问题建立考虑硅胶和外壳的双向热网络模型,在考虑芯片焊料层空洞的基础上对模型进行优化,并利用有限元仿真,分析硅胶和外壳对IGBT模块芯片温度分布的影响,进而分析出现空洞后热网络模型参数的计算方法。最后,通过实验证明双向热网络模型的正确性。与传统热网络模型相比,该模型的参数计算方法简单,结温计算准确,更适用于IGBT模块可靠性的检测和诊断。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
电热模型
焊料层空洞
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职称材料
贯穿型焊料层空洞对微带电路板传输性能研究
9
作者
刘志丹
张飞
+1 位作者
赵志平
陈帅
《印制电路信息》
2022年第7期50-54,共5页
在固态相控阵雷达的T/R组件中,微带电路板大都采用大面积接地结构,接地焊接的质量直接影响到组件的微波性能及可靠性、稳定性。文章借助高频结构仿真软件对微带电路板与空洞建模,分析贯穿型焊料层空洞对传输性能的影响。发现焊料层空洞...
在固态相控阵雷达的T/R组件中,微带电路板大都采用大面积接地结构,接地焊接的质量直接影响到组件的微波性能及可靠性、稳定性。文章借助高频结构仿真软件对微带电路板与空洞建模,分析贯穿型焊料层空洞对传输性能的影响。发现焊料层空洞会降低微波信号的传输性能,随着器件工作频率的越来越高,这种影响也越来越显著。随着钎透率的降低,微波电路的传输性能是逐渐下降。
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关键词
微带电路板
焊料层
空洞
传输性能
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职称材料
题名
焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响
被引量:
18
1
作者
肖飞
罗毅飞
刘宾礼
夏燕飞
机构
海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期1499-1506,共8页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2015CB251004)
国家自然科学基金(51507185)~~
文摘
为了查明封装疲劳对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热特性的影响,从封装结构的角度分析了焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响规律。首先建立了IGBT芯片封装的有限元模型,然后结合传热学分析了焊料层空洞大小、位置以及分布对IGBT芯片最高结温的影响规律并进行了仿真,最后基于加速寿命实验进行了验证。结果表明:空洞率相同时,芯片对角线上的空洞对芯片最高结温的影响最大;位置相同时,芯片顶点位置空洞大小的变化对芯片最高结温的影响最大;2种情况下,单个空洞的影响均大于相同空洞率下的空洞分布影响,而空洞分布中的中心集中分布对芯片最高结温的影响最大;芯片最高结温随空洞率增大而近似呈线性关系增大,芯片结壳热阻与空洞率也近似呈线性关系增大,验证了理论分析的正确性。研究结论可从封装疲劳的角度对IGBT尽限应用提供指导。
关键词
焊料层空洞
器件热稳定性
空洞率
3维有限元模型
结温
结壳热阻
Keywords
solder layer void
thermal stability of the device
void
ratio
three-dimensional finite element model
junction temperature
thermal resistance of junction to case
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究
被引量:
6
2
作者
肖超
王立新
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第5期489-492,共4页
文摘
热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验,通过积分结构函数分离点来确定器件热阻。该方法简单准确,可重复性好,实验测试结果为0.5 K/W,与有限元(FE)建模获得的0.44 K/W符合较好。对比两不同批次器件的微分结构函数,其中一种器件微分结构函数发生0.2 K/W偏移,超声波扫描(SAM)发现该器件焊料层存有空洞,该方法可用来判断器件内部工艺的好坏。
关键词
功率MOSFET器件
热阻
结构函数
超声波扫描
焊料空洞
Keywords
power MOSFET device
thermal resistance
structure function
SAM
solder layer void
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
粘结层空洞对功率器件封装热阻的影响
被引量:
16
3
作者
吴昊
陈铭
高立明
李明
机构
上海交通大学材料科学与工程学院微电子材料与技术研究所
上海贝岭股份有限公司
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期226-230,共5页
基金
教育部留学回国科研基金项目(Z1020204)
文摘
功率器件的热阻是预测器件结温和可靠性的重要热参数,其中芯片粘接工艺过程引起的粘结层空洞对于器件热性能有很大的影响。采用有限元软件Ansys Workbench对TO3P封装形式的功率器件进行建模与热仿真,精确构建了不同类型空洞的粘结层模型,包括不同空洞率的单个大空洞和离散分布小空洞、不同深度分布的浅层空洞和沿着对角线分布的大空洞。结果表明,单个大空洞对器件结温和热阻升高的影响远大于相同空洞率的离散小空洞;贯穿粘结层的空洞和分布在芯片与粘结层之间的浅空洞会显著引起热阻上升;分布在粘结层边缘的大空洞比中心和其他位置的大空洞对热阻升高贡献更大。
关键词
有限元分析
粘结层
热阻
结温
空洞率
Keywords
FEA
solder
layer
thermal resistance
junction temperature
void
percentage
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
焊接层空洞率对LED背光源组件热阻的影响
被引量:
5
4
作者
刘志慧
柴广跃
闫星涛
刘琪
罗剑生
机构
深圳大学光电工程学院
深圳市瑞丰光电子股份有限公司
出处
《照明工程学报》
2016年第6期98-103,共6页
基金
广东省前沿与关键技术创新专项资金(重大科技专项
2014B010120004)项目
+1 种基金
广东省产学研项目(2011B090400400)
深圳市重大产业攻关项目(JSGG20140519105124218)
文摘
焊接层空洞是引起电子器件和光电子器件失效的一种重要因素,同时也是应用系统可靠性研究的重要内容之一。它增大了焊接层的热阻使得功率半导体芯片由于散热不良而失效,本文通过实验研究了空洞率对LED背光源组件热阻的影响,结果显示随着焊接层空洞率的增大,样品结温与组件热阻都明显增加,且基本呈线性增长趋势,当空洞率约为17%时,热阻增长6.03%,结温提高1.74%;当空洞率约为73%时,热阻增长24.7%,结温提高9%。
关键词
LED背光源
焊接层
空洞率
热阻
Keywords
LED back light unit
solder
layer
void
ing percentages
thermal resistance
分类号
TM923.34 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
焊料层空洞对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块温度分布的影响
被引量:
11
5
作者
孙海峰
杨舒曼
机构
华北电力大学电气与电子工程学院
出处
《科学技术与工程》
北大核心
2018年第32期189-194,共6页
文摘
作为新能源发电、电动汽车和智能电网的重要单元,IGBT模块得到越来越广泛的应用,其安全可靠性也受到更多的关注。当前功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件封装形式主要有焊接式和压接式两种;而其中焊接式发展较成熟,应用较广泛。作为构成IGBT模块的关键单元和实现IGBT模块功能的关键部分,焊料层的可靠性显得尤为重要。焊料层的失效形式主要有:空洞扩大、各材料的热膨胀系数不匹配导致的热疲劳;其中焊料层空洞由于焊接工艺局限性而难以避免。应用多物理场有限元仿真软件COMSOL,建立IGBT模块的三维模型;研究焊料层空洞不同位置、不同大小对IGBT模块芯片最高温度的影响;并研究新型材料Sn-Ag-Cu-0. 5Sb较传统焊料层材料Sn-Ag-Cu的优势。仿真结果表明同工况下,焊料为Sn-Ag-Cu-0. 5Sb时,芯片温度都比焊料为Sn-Ag-Cu时低一些,显示出较好的焊料性能。
关键词
IGBT模块
焊料层
空洞
有限元
Keywords
IGBT module
solder
layer
solder
void
the finite element
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
焊层空洞对IGBT芯片温度的影响
被引量:
2
6
作者
郝建红
苏立昌
机构
华北电力大学现代电子科学研究所
出处
《现代电子技术》
北大核心
2018年第3期151-156,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61372050)~~
文摘
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良的主要因素,基于IGBT的七层结构,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型并对其进行热分析,研究焊层空洞对IGBT芯片温度的影响。对比了有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析了空洞类型、空洞大小、空洞形状、空洞数量及空洞分布对IGBT芯片温度分布的影响。研究结果表明:芯片焊层空洞对芯片温度的影响较大,衬板焊层空洞对芯片温度的影响较小;贯穿型空洞对芯片温度的影响要大于非贯穿型空洞;单个空洞越大,IGBT芯片温度越高;相同形状的空洞,处于边角位置比处于焊层内部对芯片温度影响大;多个空洞分布越集中,芯片温度越高;焊层缝隙对芯片温度的影响要小于空洞对芯片温度的影响。因此,在封装过程中应避免出现芯片焊层空洞,以提高IGBT的可靠性。
关键词
焊层空洞
IGBT模块
有限元
芯片焊层
热分析
芯片温度
Keywords
solder
void
IGBT module
finite element
chip
solder
layer
thermal analysis
chip temperature
分类号
TN32-34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
焊层空洞对IGBT模块热应力的影响
被引量:
13
7
作者
吴煜东
常桂钦
彭勇殿
方杰
唐龙谷
李继鲁
机构
电力电子器件湖南省重点实验室
株洲南车时代电气股份有限公司
出处
《大功率变流技术》
2014年第1期17-23,共7页
文摘
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究了不同焊层厚度、焊层空洞率和空洞位置对模块最高结温与最大等效应力的影响;探讨了焊层空洞对模块瞬态热阻抗的影响。
关键词
IGBT模块
焊层厚度
空洞率
热分析
应力分析
瞬态热阻抗
Keywords
IGBT module
solder
layer
thickness
void
ratio
thermal an^ysis
stress analysis
transient thermal impedance
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
考虑焊料空洞损伤的IGBT双向热网络模型
8
作者
蔡彦阁
杜明星
姚婉荣
机构
天津理工大学天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室
天津中科华盈科技有限公司
出处
《仪器仪表用户》
2022年第2期8-12,29,共6页
基金
天津市技术创新引导专项(基金)资助(20YDTPJC00510)。
文摘
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的老化状态和封装结构对IGBT芯片的结温及温度分布产生影响,但传统热网络模型往往会忽视硅胶和外壳对结温的影响,造成结温估计不准确。针对此问题建立考虑硅胶和外壳的双向热网络模型,在考虑芯片焊料层空洞的基础上对模型进行优化,并利用有限元仿真,分析硅胶和外壳对IGBT模块芯片温度分布的影响,进而分析出现空洞后热网络模型参数的计算方法。最后,通过实验证明双向热网络模型的正确性。与传统热网络模型相比,该模型的参数计算方法简单,结温计算准确,更适用于IGBT模块可靠性的检测和诊断。
关键词
绝缘栅双极型晶体管
电热模型
焊料层空洞
Keywords
insulated gate bipolar transistor
electrothermal model
solder layer void
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
贯穿型焊料层空洞对微带电路板传输性能研究
9
作者
刘志丹
张飞
赵志平
陈帅
机构
中国电子科技集团公司第二十研究所
出处
《印制电路信息》
2022年第7期50-54,共5页
文摘
在固态相控阵雷达的T/R组件中,微带电路板大都采用大面积接地结构,接地焊接的质量直接影响到组件的微波性能及可靠性、稳定性。文章借助高频结构仿真软件对微带电路板与空洞建模,分析贯穿型焊料层空洞对传输性能的影响。发现焊料层空洞会降低微波信号的传输性能,随着器件工作频率的越来越高,这种影响也越来越显著。随着钎透率的降低,微波电路的传输性能是逐渐下降。
关键词
微带电路板
焊料层
空洞
传输性能
Keywords
Microstrip Circuit Board
solder
layer
void
s
Transmission Performance
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响
肖飞
罗毅飞
刘宾礼
夏燕飞
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
18
下载PDF
职称材料
2
基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究
肖超
王立新
《电子器件》
CAS
北大核心
2012
6
下载PDF
职称材料
3
粘结层空洞对功率器件封装热阻的影响
吴昊
陈铭
高立明
李明
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013
16
下载PDF
职称材料
4
焊接层空洞率对LED背光源组件热阻的影响
刘志慧
柴广跃
闫星涛
刘琪
罗剑生
《照明工程学报》
2016
5
下载PDF
职称材料
5
焊料层空洞对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块温度分布的影响
孙海峰
杨舒曼
《科学技术与工程》
北大核心
2018
11
下载PDF
职称材料
6
焊层空洞对IGBT芯片温度的影响
郝建红
苏立昌
《现代电子技术》
北大核心
2018
2
下载PDF
职称材料
7
焊层空洞对IGBT模块热应力的影响
吴煜东
常桂钦
彭勇殿
方杰
唐龙谷
李继鲁
《大功率变流技术》
2014
13
下载PDF
职称材料
8
考虑焊料空洞损伤的IGBT双向热网络模型
蔡彦阁
杜明星
姚婉荣
《仪器仪表用户》
2022
0
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职称材料
9
贯穿型焊料层空洞对微带电路板传输性能研究
刘志丹
张飞
赵志平
陈帅
《印制电路信息》
2022
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职称材料
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