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SOI晶体管和电路的瞬时电离辐射效应研究
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作者 杜川华 段丙皇 +1 位作者 熊涔 曾超 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期66-72,共7页
基于全介质隔离的绝缘硅(Silicon-on-insulator,SOI)器件与体硅器件的瞬时电离辐射效应存在差异,采用1 064 nm/12 ns激光装置开展了三种SOI晶体管的激光辐照试验,测试了不同激光能量下的晶体管光电流;采用脉冲γ射线辐射源开展了SOI集... 基于全介质隔离的绝缘硅(Silicon-on-insulator,SOI)器件与体硅器件的瞬时电离辐射效应存在差异,采用1 064 nm/12 ns激光装置开展了三种SOI晶体管的激光辐照试验,测试了不同激光能量下的晶体管光电流;采用脉冲γ射线辐射源开展了SOI集成电路的瞬时γ剂量率辐射试验,测试了不同剂量率条件下的电路功能、电参数和触发器链状态。研究表明:在相同激光能量条件和相同特征尺寸条件下,SOI晶体管的光电流峰值约为体硅晶体管的3.5%;SOI集成电路在1.0×10^(9)~4.2×10^(11) rad(Si)·s^(-1)的试验剂量率范围内无闭锁效应,但存在显著的翻转效应,表现为功能短暂中断、电流和电压波动以及大量触发器状态错误。翻转效应的主要原因包括晶体管本身的翻转和印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)板级电路的电压波动。 展开更多
关键词 SOI晶体管 微控制器 瞬时电离辐射效应 光电流
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一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
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作者 黄磊 李健根 +2 位作者 陆泽灼 俞齐声 陈文锁 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期277-281,共5页
薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Inj... 薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。 展开更多
关键词 SOI 横向绝缘栅双极型晶体管 快速关断 拖尾电流 正向饱和电压
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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
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作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多
关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流
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100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
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作者 王永维 黄柯月 +2 位作者 温恒娟 陈浪涛 周锌 《通讯世界》 2024年第7期1-3,共3页
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟... 基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。 展开更多
关键词 SOI LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压
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热老化对不同封装形式SOI基压阻式芯片的影响
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作者 李培仪 刘东 +3 位作者 雷程 梁庭 党伟刚 罗后明 《微纳电子技术》 CAS 2024年第10期170-176,共7页
采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后... 采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后数据进行对比。结果表明,300℃加电老化情况下,芯片稳定输出的时间为12h,且老化后芯片的各项指标均有改善。在温度允许范围内,适当的老化温度可以使芯片达到稳定输出状态,提升工作效率的同时为优化SOI基压阻芯片的老化时间提供了参考。 展开更多
关键词 传感器 绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片 正装芯片 倒装芯片 老化
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Soy polysaccharide maintains colonic homeostasis to protect from dextran sulphate sodium-induced colitis by modulating gut microbiota and intestinal epithelial regeneration
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作者 Nana Zhang Jianlin Liu +6 位作者 Weiyue Zhang Xinxin Guo Shuying Li Hongtai Zhang Minjie Wang Bei Fan Fengzhong Wang 《Food Science and Human Wellness》 SCIE CAS CSCD 2024年第6期3284-3300,共17页
Soy polysaccharide(SP)has been reported to possess the properties of modulating gut microbiome diversity.Here,we aimed to explore the protective effects of SP against dextran sulphate sodium(DSS)-induced colitis.Pre-t... Soy polysaccharide(SP)has been reported to possess the properties of modulating gut microbiome diversity.Here,we aimed to explore the protective effects of SP against dextran sulphate sodium(DSS)-induced colitis.Pre-treatment with SP at a dosage of 400 mg/kg·day alleviated colitis symptoms,preventing the weight loss and colon shorten.SP suppressed DSS-induced inflammatory response and enhanced M1 to M2 macrophage polarization.Further investigation showed that SP significantly promoted the regeneration of crypt and the expansion of goblet cell production.In addition,bacterial 16S rRNA sequencing analysis showed that SP modulated the composition of fecal microbiota,including selectively increasing Lactobacillus relative abundance.Notably,SP treatment enriched the production of Lactobacillus-derived lactic acid,which was sensed by its specific G-protein-coupled receptor 81(Gpr81)/Wnt3/β-catenin signaling,and promoted the regeneration of intestinal stem cells.Fecal microbiome transplantation demonstrated that intestinal flora partially contributed to the beneficial effects of SP on preventing against colitis.In conclusion,SP exhibited the protective effects against colitis,which could be partly associated with modulating the composition of gut microbiota and enrichment of lactic acid.This study suggests that SP has potential to be developed as nutritional intervention to prevent colitis. 展开更多
关键词 soy polysaccharide COLITIS Gut microbiota Lactic acid Proliferation Intestinal stem cells
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SDB-SOI制备过程中工艺控制
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作者 刘洋 《电子工业专用设备》 2024年第3期20-23,共4页
SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加... SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加工难度,最终制备出高质量的产品。 展开更多
关键词 硅晶圆 绝缘衬底上硅(SOI) 键合 磨削
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Effects of galactooligosaccharide glycation on the functional properties of soy protein isolate and its application in noodles
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作者 Meiyue Wang Guanhao Bu +3 位作者 Yufei Xing Mengke Ren Yang Wang Yijing Xie 《Grain & Oil Science and Technology》 CAS 2024年第3期159-167,共9页
Soybean protein has high nutritional value, but its functional properties are easily affected by external factors,which limits its application in food industry. In the study, soybean protein isolate(SPI) was modified ... Soybean protein has high nutritional value, but its functional properties are easily affected by external factors,which limits its application in food industry. In the study, soybean protein isolate(SPI) was modified by dry heat glycation of galactooligosaccharides(GOS). The gel properties, antioxidant properties and structural changes of SPI-GOS conjugates were investigated. The application of SPI-GOS conjugates in noodles was also explored. The results observed that the glycation degree of SPI increased with the increasing reaction time. SDS-PAGE and spectral analysis showed the changes of spatial conformation of SPI after glycation. The antioxidant activity of SPI increased after glycation and DPPH radical scavenging activity of SPI-GOS peaked at 48 h of reaction. The hardness, elasticity and resilience of soybean protein gel reached their relative maximum at 48 h, 48 h and 12 h of glycation reaction, respectively. Moreover, the appropriate addition of glycated SPI improved the quality of noodles. The noodles with 4% addition of SPI-GOS had higher hardness, elasticity and tensile properties. This study will provide an effective method to modify soybean protein and expand the use of soybean protein in food industry. 展开更多
关键词 soy protein isolate Glycation GALACTOOLIGOSACCHARIDE Functional properties NOODLES
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基于45 nm SOI CMOS的56 Gbit/s PAM-4光接收机前端设计
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作者 张文嘉 林福江 《微电子学与计算机》 2024年第1期106-112,共7页
在光接收电路设计中,光电二极管的寄生电容以及大的输入电阻会导致接收机带宽下降,造成严重的符号间干扰(Inter-Symbol Interference,ISI)。噪声性能是高速跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)最重要的指标之一,跨阻值决定系统的... 在光接收电路设计中,光电二极管的寄生电容以及大的输入电阻会导致接收机带宽下降,造成严重的符号间干扰(Inter-Symbol Interference,ISI)。噪声性能是高速跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)最重要的指标之一,跨阻值决定系统的噪声性能,同时也限制了数据速率。针对100G/400G互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)光接收机应用,基于45 nm绝缘衬底上的硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺设计了一种采用四电平脉冲幅度调制(4-level Pulse Amplitude Modulation,PAM-4)、工作速率为56 Gbit/s(28 Gbaud/s)的低噪声光接收机前端放大器。小带宽TIA和用于带宽拓展的跨导/跨导(g_(m)/g_(m))放大器组成两级接收前端,在改善噪声性能的同时有效提高了带宽。采用反相器结构来增大先进CMOS工艺下的跨导和改善线性度。可变增益放大器(Variable Gain Amplifier,VGA)采用折叠Gilbert结构设计,采用并联峰化电感来提高带宽。整体电路的增益动态范围为51.6~70.6 dB,-3 dB带宽达到20.1 GHz;等效输入噪声电流密度为17.3 pA=Hz^(12);电路采用GF 45 nm SOI CMOS工艺实现,在1.1 V和1.3 V电源电压下功耗为65 mW;版图核心面积为600μm*240μm。 展开更多
关键词 PAM-4 光接收机前端 跨阻放大器 可变增益放大器 45 nm SOI CMOS
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探析“soyiger”一词的来源与用法
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作者 朝宝 《中国蒙古学(蒙文)》 2024年第5期167-171,218,共6页
研究源远流长、浩如烟海的蒙古训喻诗,需先探究“soyiger”一名称的词源、构词、词义及其用法。本论文结合文献实例仔细考究“soyiger”一词来源的基础上,论证其构词、词义及其用法。据蒙古文文献实例,该词的词根是“soyu”,但在蒙古语... 研究源远流长、浩如烟海的蒙古训喻诗,需先探究“soyiger”一名称的词源、构词、词义及其用法。本论文结合文献实例仔细考究“soyiger”一词来源的基础上,论证其构词、词义及其用法。据蒙古文文献实例,该词的词根是“soyu”,但在蒙古语历史演变过程中,“soyu”、“soyu”、“soyi”三个词根演化为近义词根。此外,值得一提的是,与“soyiger”同义的“soyiul sural”(现代蒙古语中读作:soyul),应读成“soyul sural”。 展开更多
关键词 soyuger soyi soyu soyi soyul sural
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薄硅膜SOI N型LDMOS浮体效应优化研究
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作者 纪旭明 邵红 +3 位作者 李金航 顾祥 张庆东 谢儒彬 《中国集成电路》 2024年第6期72-74,81,共4页
为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SO... 为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SOI功率集成工艺的发展提供了相关解决方法。 展开更多
关键词 PD SOI LDMOS 浮体效应 击穿电压 功率集成
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SOI高温压力传感器的研究 被引量:22
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作者 张书玉 张维连 +3 位作者 索开南 牛新环 张生才 姚素英 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期984-987,共4页
介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进... 介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。 展开更多
关键词 压力传感器 SOI 灵敏度 有限元
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基于SOI的集成硅微传感器芯片的制作 被引量:9
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作者 徐敬波 赵玉龙 +3 位作者 蒋庄德 张大成 杨芳 孙剑 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期302-307,共6页
为满足小体积、多参数测量的要求,采用SOI硅片,设计了一种测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应.根据集成传感器的结构,制定了相... 为满足小体积、多参数测量的要求,采用SOI硅片,设计了一种测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应.根据集成传感器的结构,制定了相应的制备工艺步骤.针对芯片上各电阻间金属引线的可靠性问题和加速度传感器质量块吸附问题提出了有效的改进方法.最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果. 展开更多
关键词 集成传感器 SOI MEMS 芯片
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CMOS/SOI64Kb静态随机存储器 被引量:8
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作者 韩郑生 周小茵 +2 位作者 海潮和 刘忠立 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期47-52,共6页
对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,ATD)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型的两级灵敏放大等技... 对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,ATD)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型的两级灵敏放大等技术 ,电路存取时间仅 40 ns;同时 ,重点研究了 SOI静电泄放 ( Electrostatic- Discharge,ESD)保护电路和一种改进的灵敏放大器 ,设计出一套全新 ESD电路 ,其抗静电能力高达 42 0 0— 45 0 0 V.SOI6 4KbCMOS静态存储器采用 1.2 μm SOI CMOS抗辐照工艺技术 ,芯片尺寸为 7.8m m× 7.2 展开更多
关键词 ATD电路 DWL技术 CMOS SOI 静随机存储器
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智能剥离SOI高温压力传感器 被引量:9
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作者 黄宜平 竺士炀 +4 位作者 李爱珍 鲍敏杭 沈绍群 王瑾 吴东平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期924-928,共5页
采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ,并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表... 采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ,并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表明 ,当温度增加到 15 0℃左右时 ,输出电压没有明显的变化 ,其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 12 0℃以下 ) .测得所制备 SOI压力传感器的灵敏度为 6 3m V/ (MPa· 5 V) ,比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约 展开更多
关键词 SOI 压力传感器 智能剥离
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SOI微型电场传感器的设计与测试 被引量:21
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作者 杨鹏飞 彭春荣 +2 位作者 张海岩 刘世国 夏善红 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期2771-2774,共4页
该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步... 该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步优化了传感器敏感结构参数。在室温和室内大气压条件下,测试表明,测试量程0~50kV/m,传感器总不确定度优于2%,分辨率为50 V/m。 展开更多
关键词 电场微传感器 微机电系统(MEMS) 绝缘体上硅(SOI) 分辨率
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SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构 被引量:9
17
作者 何玉娟 刘洁 +2 位作者 恩云飞 罗宏伟 师谦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期223-226,共4页
SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向... SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向。并对FLEXFET和G4-FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述,分析了其优越性。 展开更多
关键词 SOI 总剂量效应 FLEXFET G^4-FET
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基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计 被引量:20
18
作者 李丹丹 梁庭 +2 位作者 李赛男 姚宗 熊继军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1315-1320,共6页
利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温... 利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试,高温压力测试结果表明,在21℃(常温)至300℃的温度范围内,传感器敏感芯片可在压力量程内正常工作,传感器敏感芯片的线性度从0.9 985下降为0.9 865,控制在较小的范围内。高温压力下的性能测试结果表明,该压力传感器可用于300℃恶劣环境下的压力测量,其高温下的稳定性能为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考。 展开更多
关键词 高温压力传感器 压阻 敏感薄膜 SOI(绝缘体上硅) MEMS(微机电系统)
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SOI压阻式压力传感器敏感结构的优化设计 被引量:11
19
作者 李旺旺 梁庭 +3 位作者 张迪雅 张瑞 姚宗 贾平岗 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第6期15-18,共4页
为提高SOI压阻式压力传感器的灵敏度,对传感器敏感结构的弹性膜片和压敏电阻的形状、尺寸等结构参数进行了优化设计。利用COMSOL Multiphysics多物理场耦合分析软件对优化后的敏感结构进行了静力学仿真与分析,完成了敏感芯片的制备和加... 为提高SOI压阻式压力传感器的灵敏度,对传感器敏感结构的弹性膜片和压敏电阻的形状、尺寸等结构参数进行了优化设计。利用COMSOL Multiphysics多物理场耦合分析软件对优化后的敏感结构进行了静力学仿真与分析,完成了敏感芯片的制备和加压测试,测试结果表明:优化后的传感器输出灵敏度为5.98 m V/(V·bar),较原结构输出灵敏度提高了1倍,非线性误差小于0.096%。 展开更多
关键词 SOI压阻式压力传感器 敏感结构 COMSOL Multiphysics分析 优化设计
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CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验 被引量:7
20
作者 刘新宇 刘运龙 +3 位作者 孙海锋 吴德馨 和致经 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期213-216,共4页
研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储... 研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂量高达 5× 10 5Rad(Si) 。 展开更多
关键词 CMOS/SOI SRAM 抗总剂量辐照 实验 存储器
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