自动双向限幅D类功放的前置放大器设计

为了解决D类功放器高音不够高、低音不够低、声音硬不悦耳以及SPWM信号发生器会产生过调制现象,从而烧毁驱动电路元件和电流开关功率元件的问题,设计了一款具有自动双向限幅阻容耦合宽带D类功放的前置放大器。采用瓷介电容进行高频提升;采用旁路电容提高超低频增益;采用固定偏置单电源电路供电,充分使放大器工作在线性区;采用滤波和负反馈方式降低噪声干扰,提高电路的信噪比;采用波谷灌电流法提高低谷电平,并采用波峰分电流法实时降低波峰处的过冲峰值电压,从而消除音频信号或高频恒幅三角波调制引起的过调制。该前置放大器具有频带响应宽(0.10 Hz~750 kHz)、线性好、无失真以及无噪声的特点,大幅度提高了D类音频功率放大器的性能。此外,该前置放大器还具有高效率、低功耗、高保真、低成本、大功率、小体积的优点,为全面推广做好了充分准备。

12位50 MHz流水线ADC采样保持电路实现

对采样保持电路进行研究,对增益提高的运算放大器进行2阶系统模拟,得到最佳设计参数;提出一种栅压自举开关电路结构;设计了一个用于12位50 MHz流水线A/D转换器的采样保持电路。采用SMIC 0.35 μm混合CMOS工艺,对整个A/D转换器进行实现。测试结果表明,采样保持电路完全满足设计要求。

D波段功率放大器设计

基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种D波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构.低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能,又能对输入输出进行阻抗匹配.对电路结构进行了设计、流片验证和测试.采用微组装工艺将该芯片封装成为波导模块.小信号测试结果表明：该功放芯片工作频率为125-150GHz,最高增益在131GHz为21dB,最低增益在150GHz为17dB,通带内S22小于-7dB,S11小于-10dB.大信号测试结果表明：该功放模块在128-146GHz带内输出功率都大于13dBm,在139GHz时,具有最高输出功率为13.6dBm,且1dB压缩功率为12.9dBm.

便携式D类音频功率放大器的设计与实现

设计了一款2×80W的D类功放,具有交直流2路电源电路,外出时可随身携带,频响范围在20Hz^30kHz,额定工作电压220V时,静态功率损耗为18W,满功率损耗为186W,失真度在0.1%以下,效率提高到60%以上。

D波段固态放大器模块设计

重构了Ommic公司CGY2191UH芯片模型,建立了一个精确D波段放大器模块模型;并且设计和加工了一种D波段放大器模块验证了模型的准确性。D波段放大器模块模型包括多节波导模型、共面波导-矩形波导过渡模型、金丝键合线等效电路模型以及CGY2191UH芯片模型。通过对模型的分析并基于目前国内成熟工艺,设计和加工了一种D波段放大器模块。测试结果表明,该模块在110 GHz^140 GHz增益大于4.5 d B,其中最大增益在122 GHz为10 d B。增益测试曲线和模型仿真结果吻合,证明了模型的有效性。

一种D波段低噪声放大器芯片设计

提出了一种晶体管器件模型修正方法,校准了Ommic公司D007IH工艺中D波段晶体管模型和D波段共面波导传输线电路模型。该校准方法中通过与共面波导(CPW)三维模型仿真结果的曲线拟合,确定了D波段传输线电路模型的介电常数;通过与CGY2191UH芯片的S参数测试结果拟合,修正了晶体管器件模型。为了验证了设计方法的有效性,基于修正模型设计了一款低噪声放大器芯片,仿真结果表明,工作频率为110 GHz^170 GHz,增益大于29 d B,噪声系数小于6 d B。

ADC081S051在测控系统中的应用

为了实现测控系统中采样数据的模数转换,采用了一种单通道低功率高速CMOS 8位A/D转换器ADC081S051,给出了该A/D转换器的主要特点,工作原理,使用ADC081S051设计的采样放大电路,同时给出了ADC081S051与51单片机的接口电路及驱动程序。

用于10位100MS/s流水线A/D转换器的采样保持电路

设计了一个用于10位100 MHz采样频率的流水线A/D转换器的采样保持电路。选取了电容翻转结构;设计了全差分套筒式增益自举放大器,可以在不到5 ns内稳定在最终值的0.01%内;改进了栅压自举开关,减少了与输入信号相关的非线性失真,提高了线性度。采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,2.5 V电源电压,对电路进行了仿真和性能验证,并给出仿真结果。所设计的采样保持电路满足100 MHz采样频率10位A/D转换器的性能要求。

一种用于D类放大器的新型频率抖动电路

提出了一种用于D类放大器的新型频率抖动电路。采用流控模式和容控模式相结合,利用周期数字频率调制,使能量原本集中的频谱分散到离散频率点上,从而使频谱幅度降低,减小D类放大器EMI的辐射。基于0.5μm CMOS工艺,对提出的频率抖动电路进行仿真验证。结果表明,频率抖动点具有很好的均匀性和线性度,并且D类放大器的EMI峰值幅度下降约13 dB;高频频谱连续,扩频效果显著,频率抖动电路面积约840μm2,消耗的最大电流仅为1.2μA。

温度控制系统的信号采样放大及A/D转换电路设计

本文阐述了一个基于AT89C52单片机的温度控制和显示系统信号采样放大及A/D转换以及看门狗电路的设计。

基于单片TDF8590的2×80WD类音频功放设计

介绍了TDF8590的原理及基于单片TDA8902的2×80WD类音频功放的应用电路,对功放外围电路主要元器件的选择进行了分析,列出了电路设计中的注意事项,对印刷电路板的优化设计提出了详细的方案和措施。

适用于流水线ADC采样保持电路的设计

文章介绍了一种适用于10位40MS/s流水线A/D转换器的采样/保持(S/H)电路。整个电路的设计基于TSMC的0.25um工艺,在电源电压为2.5V的情况下,采样信号全差分幅度为1V。通过采用全差分flip-around结构,而非传统的电荷传输构架,因而在同等精度下,大大降低了功耗。为了达到高精度,高采样速率的要求,该S/H电路采用高增益,宽带宽的的两级运算放大器。

数字多媒体中的D类音频功率放大器

随着设计技术的不断进步,D类功率放大器的性能指标也逐渐接近AB类放大器。本文系统介绍了基于PWM调制的立体声D类音频功率放大器,该产品采用高效的D类工作模式,领先的音频性能,同时具有高效的抑制电路、极低的总谐波失真以及卓越的信噪比等特点。该放大器具有简易的面板布局和极低的电磁干扰(EMI),可显著加速诸如DLP、HDTV、液晶电视(LCD)以及等离子电视包含在内的大中型DTV屏幕数字多媒体的开发进程。

用于12 bit 40 MS/s低功耗流水线ADC的采样保持电路

设计了一个可降低12 bit 40 MHz采样率流水线ADC功耗的采样保持电路。通过对运放的分时复用,使得一个电路模块既实现了采样保持功能,又实现了MDAC功能,达到了降低整个ADC功耗的目的。通过对传统栅压自举开关改进,减少了电路的非线性失真。通过优化辅助运放的带宽,使得高增益运放能够快速稳定。本设计在TSMC0.35μm mix signal 3.3 V工艺下实现,在40 MHz采样频率,输入信号为奈奎斯特频率时,其动态范围(SFDR)为85 dB,信噪比(SNDR)为72 dB,有效位数(ENOB)为11.6 bit,整个电路消耗的动态功耗为14 mW。

D类功率放大器在城轨交通ATP系统数字轨道电路中的应用

本文在分析D类音频放大器特点及发展现状的基础上,结合数字轨道电路的技术要求,介绍了D类放大器新的应用成果。

一种基于D类功放的逆变电源设计

针对传统正弦波逆变电源设计中输出电压出现的线性及非线性失真问题,提出一种基于D类功率放大电路的正弦波逆变电源设计方法。分析传统逆变电源的缺点,根据A类、AB类功率放大电路的不足,采用基于IR公司的D类芯片IRS2092S为核心设计电路,并进行实验验证。结果表明:该方法不但能有效解决传统正弦波逆变电源间歇性感性负载的波形失真难题,而且具有良好的高效性和实用性。

互补对称式D类放大器

用两个相同的D类放大器构成的对称互补电路能极大地抑制D类放大器的输出纹波并提高D类放大器的效率。计算机仿真结果表明,互补对称式D类放大器抑制输出纹波作用明显。

基于氮化镓的数字D类功放电路设计与实现

本文介绍一种基于氮化镓芯片设计的数字D类功放电路。通过使用开关速度快、寄生参数小、电气性能优越的氮化镓作为功率器件,设计一个数字D类功放电路,放大信号功率,用于检测轨道上是否有列车占用的信息。实验结果表明,高频载波通过功放器将信号功率放大,再通过LC低通滤波,输出低频解调信号,实测解调信号失真度小于-60d B,验证了该数字D类功放电路设计的可行性。

D类高效音频功率放大器设计与实现

随着便携式电子产品的普及,D类音频放大器以高效率、小体积的优点受到市场的青睐。文章设计了一款经典的D类高效率音频功率放大器。该系统主要由前级放大电路、带通滤波电路、PMW调制电路、驱动电路、功率放大电路、低通滤波电路组成。经过调试系统整体性能良好,效率超过90%。

基于GaAs E/D PHEMT工艺的单片集成光接收芯片

设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络（HFC）的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器（TIA）、衰减器（VVA）和输出放大器三部分。跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消方式实现信号衰减,输出放大器为芯片补足增益并实现阻抗匹配。使用ADS仿真软件进行电路设计、版图设计、仿真验证,采用GaAs 0.25μm E/D PHEMT工艺进行了流片。测试结果表明,芯片实现了42 d B的最大增益,在0-3 V控制电压下,0-28 dB的连续可调增益范围,工作频率为50 MHz-1 GHz,差分输入单端输出,输出负载为75Ω,芯片面积1 412μm×1 207μm,芯片性能符合设计目标。