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离子注入TiNiSMA及Co合金耐蚀性与血液相容性研究 被引量:7
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作者 郭海霞 梁成浩 牟宗信 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期301-305,共5页
采用离子注入法对生物医用 Ti Ni形状记忆合金及二种 Co合金进行表面改性 ,利用电化学测试技术、动态凝血时间及溶血率的测量 ,研究了改性前后合金的耐蚀性及血液相容性 .结果表明 ,离子注入后合金的电化学稳定性显著提高 ,阳极极化性... 采用离子注入法对生物医用 Ti Ni形状记忆合金及二种 Co合金进行表面改性 ,利用电化学测试技术、动态凝血时间及溶血率的测量 ,研究了改性前后合金的耐蚀性及血液相容性 .结果表明 ,离子注入后合金的电化学稳定性显著提高 ,阳极极化性能变优 .对 Ti Ni、Co Cr Ni W和 Co Cr Ni Mo合金分别进行 Mo +C和 Ti+C双离子注入后 ,表面改性合金的腐蚀电位升高 2 0 0 m V以上 ,维钝电流密度减小 ,钝化区拓宽 ;合金的凝血时间延长 ,溶血率下降 ,说明离子注入提高了合金的耐蚀性及血液相容性 ,其中双离子注入较单离子注入效果更为显著 .对双离子注入合金进行 X射线衍射分析发现 ,在 Ti Ni合金表面主要形成了 Ti C相及少量 Ti O、Mo2 C、Mo9Ti4 及 Mo,在 Co合金表面主要为 Co Cx和 Co3Ti及少量 Ti C、Ti O相 .这些相弥散分布在合金表面 ,形成无序膜层 ,阻止了合金元素溶解 ,改善了合金的耐蚀性及血液相容性 . 展开更多
关键词 离子注入 CO合金 耐蚀性 血液相容性 生物医用合金 钴合金
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钴离子注入对镍电极性能的影响 被引量:3
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作者 张胜涛 陈际达 黄宗卿 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第6期8-10,35,共4页
用控制电流暂态技术研究碱性镍电极上Ni(OH)_2/NiOOH电对的电化学反应,讨论了充、放电电流对电极性能的影响.用离子注入技术将钴引入镍电极表面层中以提高其充电效率.所得结果表明;钴的注入直接影响该电极表面气体的析出反应,同时使转化... 用控制电流暂态技术研究碱性镍电极上Ni(OH)_2/NiOOH电对的电化学反应,讨论了充、放电电流对电极性能的影响.用离子注入技术将钴引入镍电极表面层中以提高其充电效率.所得结果表明;钴的注入直接影响该电极表面气体的析出反应,同时使转化为NiOOH的Ni(OH)_2量有所增加. 展开更多
关键词 镍电极 离子注入 电极性能 电池
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光谱椭圆法对Ni(OH)_2/NiOOH电化学性质的研究 被引量:2
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作者 张胜涛 黄宗卿 《电化学》 CAS CSCD 1995年第1期50-55,共6页
用现场光谱椭圆偏振技术和电化学实验方法研究了Ni(OH)_2/NiOOH体系中的电化学反应.拟合椭圆偏振光谱的实验数据确定了阴、阳极过程中镍电极上表面膜的转化模型,结果表明:在镍表面上离子注入钻之后,表面膜转化模型基... 用现场光谱椭圆偏振技术和电化学实验方法研究了Ni(OH)_2/NiOOH体系中的电化学反应.拟合椭圆偏振光谱的实验数据确定了阴、阳极过程中镍电极上表面膜的转化模型,结果表明:在镍表面上离子注入钻之后,表面膜转化模型基本保持不变,但Ni(OH)_2/NiOOH间电化学反应的性质受到明显影响. 展开更多
关键词 光谱椭圆法 碱性电池 阳极过程
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现场椭偏术研究钴离子注入对碱性镍电极的影响 被引量:2
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作者 张胜涛 李念兵 黄宗卿 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期185-189,共5页
为了提高镍电极表面活性物质的利用率和深入认识镍电极的性能,应用光谱电化学研究方法——椭圆偏振光现场测试技术研究了碱性溶液中镍电极的性质.讨论了充电电流与放电电流以及钻离子注入对碱性镍电极性能的影响.实验结果表明:在表面层... 为了提高镍电极表面活性物质的利用率和深入认识镍电极的性能,应用光谱电化学研究方法——椭圆偏振光现场测试技术研究了碱性溶液中镍电极的性质.讨论了充电电流与放电电流以及钻离子注入对碱性镍电极性能的影响.实验结果表明:在表面层中注入钴离子后,可以改良在碱性镍电极表面形成活性物质层的均匀性,形成较厚的表面活性物质层,提高碱性镍电极表面氧化层的钝化性能,若对碱性镍电极施以较大的阳极极化电流,表面上注入的钴离子能够在充电过程中使更多的Ni(OH)_2转化到NiOOH,从而提高了碱性镍电极的容量.文中还介绍了椭圆偏振技术应用于现场电极反应研究的优越性. 展开更多
关键词 碱性 镍电极 离子注入 电池
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12keV低能砷离子注入硅的损伤分布
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作者 张旭 莫党 +1 位作者 林成鲁 何治平 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1995年第2期27-31,共5页
测量了12keV注入能量、8×10 ̄(14)~2×10 ̄(15)/cm ̄2剂量砷离子注入硅的椭偏光谱,并用最优化拟合算法从椭偏光谱定出损伤分布。这种低能量离子注入的结果表明,损伤分布呈现为平台型,体内不出现峰... 测量了12keV注入能量、8×10 ̄(14)~2×10 ̄(15)/cm ̄2剂量砷离子注入硅的椭偏光谱,并用最优化拟合算法从椭偏光谱定出损伤分布。这种低能量离子注入的结果表明,损伤分布呈现为平台型,体内不出现峰值,损伤深度为12.5~16.0nm,与背散射沟道技术测定结果相符合。 展开更多
关键词 椭偏光谱 离子注入 损伤分布 半导体器件 砷离子
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离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究
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作者 刘显明 李斌成 +1 位作者 高卫东 韩艳玲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期1632-1637,共6页
离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复,其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅,常规的可见光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效.本研究将测量波段扩展到红外区域(2—20μm),报道了利用红外椭偏光谱法测量经离子注入掺杂并高... 离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复,其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅,常规的可见光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效.本研究将测量波段扩展到红外区域(2—20μm),报道了利用红外椭偏光谱法测量经离子注入掺杂并高温退火的硅片掺杂层光学和电学性质的方法和结果.通过建立基于Drude自由载流子吸收的等效光学模型,得到了杂质激活后掺杂层的杂质浓度分布、电阻率和载流子迁移率等电学参数,以及掺杂层的红外光学常数色散关系,分析了这些参数随注入剂量的关系并对其物理机理给予了解释.研究表明,中远红外椭偏测量是表征退火硅片的有效方法,且测量波长越长,所能分辨的掺杂浓度越低. 展开更多
关键词 红外椭偏光谱 离子注入 Drude模型 色散关系
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