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Influence of temperature on thermal relaxation of exchange bias field in CoFe/Cu/CoFe/IrMn spin valve
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作者 祁先进 杨妮娜 +1 位作者 段孝旭 李雪竹 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第10期554-559,共6页
A multilayered spin valve film with a structure of Ta(5 nm)/Co_(75)Fe_(25)(5 nm)/Cu(2.5 nm)/Co_(75)Fe_(25)(5 nm)/Ir_(20)Mn_(80)(12 nm)/Ta(8 nm)is prepared by the high-vacuum direct current(DC)magnetron sputtering.The ... A multilayered spin valve film with a structure of Ta(5 nm)/Co_(75)Fe_(25)(5 nm)/Cu(2.5 nm)/Co_(75)Fe_(25)(5 nm)/Ir_(20)Mn_(80)(12 nm)/Ta(8 nm)is prepared by the high-vacuum direct current(DC)magnetron sputtering.The effect of temperature on the spin valve structure and the magnetic properties are studied by x-ray diffraction(XRD),atomic force microscopy(AFM),and vibrating sample magnetometry.The effect of temperature on the exchange bias field thermomagnetic properties of multilayered spin valve is studied by the residence time of samples in a reverse saturation field.The results show that as the temperature increases,the IrMn(111)texture weakens,surface/interface roughness increases,and the exchange bias field decreases.Below 200℃,the exchange bias field decreases with the residence time increasing,and at the beginning of the negative saturation field,the exchange bias field Hex decreases first quickly and then slowly gradually.When the temperature is greater than 200℃,the exchange bias field is unchanged with the residence time increasing. 展开更多
关键词 exchange bias field spin valves TEMPERATURE thermal relaxation
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Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜的X射线光电子能谱的研究
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作者 于广华 李明华 朱逢吾 《真空电子技术》 2003年第5期42-45,共4页
 实验表明Ta NiFe FeMn Ta多层膜的交换耦合场(Hex)要大于Ta NiFe Cu NiFe FeMn Ta自旋阀多层膜中的Hex。为了寻找其原因,用X射线光电子能谱(XPS)研究了Ta(12nm) NiFe(7nm),Ta(12nm) NiFe(7nm) Cu(4nm)和Ta(12nm) NiFe(7nm) Cu(3nm) Ni...  实验表明Ta NiFe FeMn Ta多层膜的交换耦合场(Hex)要大于Ta NiFe Cu NiFe FeMn Ta自旋阀多层膜中的Hex。为了寻找其原因,用X射线光电子能谱(XPS)研究了Ta(12nm) NiFe(7nm),Ta(12nm) NiFe(7nm) Cu(4nm)和Ta(12nm) NiFe(7nm) Cu(3nm) NiFe(5nm)3种样品,研究结果表明,前两种样品表面无任何来自下层的元素偏聚;但在第3种样品最上层的NiFe表面上,探测到从下层偏聚上来的Cu原子。我们认为:Cu在NiFe FeMn层间的存在是Ta NiFe Cu NiFe FeMn Ta自旋阀多层膜的Hex低于Ta NiFe FeMn Ta多层膜Hex的一个重要原因。 展开更多
关键词 自旋阀多层膜 交换耦合场 层间偏聚 X射线光电子能谱
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NiO/Co/Cu/Co/NiFe自旋阀多层膜研究
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作者 王浩敏 林更琪 +2 位作者 李震 杨晓非 李佐宜 《信息记录材料》 2002年第4期6-9,共4页
采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜。在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的MR值。用绝缘材料NiO作钉扎层,在大磁场中淀积了NiO/Co/Cu/Co/NiFe底自旋阀,其最大MR值达6%。
关键词 NiO/Co/Cu/Co/NiFe 自旋阀 多层膜 研究 巨磁电阻效应 交换耦合场 矫顽力
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Bi对自旋阀钉扎场的影响及机理 被引量:3
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作者 姜宏伟 李明华 +2 位作者 于广华 朱逢吾 郑鹉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1366-1370,共5页
实验发现将Bi插入自旋阀多层膜Ta NiFe Cu Bi(x) NiFe FeMn中可以显著地提高自旋阀的钉扎场Hex.采用XPS对Cu ,Bi元素的分布情况进行了研究 ,发现Bi的插入明显抑制了Cu原子在自旋阀的制备过程中在NiFe FeMn界面的偏聚 .进一步研究表明 ... 实验发现将Bi插入自旋阀多层膜Ta NiFe Cu Bi(x) NiFe FeMn中可以显著地提高自旋阀的钉扎场Hex.采用XPS对Cu ,Bi元素的分布情况进行了研究 ,发现Bi的插入明显抑制了Cu原子在自旋阀的制备过程中在NiFe FeMn界面的偏聚 .进一步研究表明 :自旋阀钉扎层NiFe FeMn界面中 ,Cu原子的存在是导致自旋阀Hex小于Ta NiFe FeMn多层膜Hex的主要原因 . 展开更多
关键词 BI 自旋阀 钉扎场 交换各向异性 表面活化剂 多层膜 铁磁材料
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表面活性剂Bi对自旋阀多层膜交换耦合场的影响及其微结构分析
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作者 杜中美 蔡永香 +4 位作者 丁雷 朱熠 李明华 滕蛟 于广华 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期517-521,共5页
采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降.X射线光电子能谱分析结果表明... 采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降.X射线光电子能谱分析结果表明:沉积在Cu/NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe层表面的偏聚;当沉积过量的Bi原子时,Bi原子会进一步迁移到FeMn中,形成杂质,从而破坏了FeMn的反铁磁性,使交换耦合场降低. 展开更多
关键词 表面活性剂 自旋阀多层膜 交换耦合场 X射线光电子能谱
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