期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
8
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
化学染色法测量B,Al及P扩散结深
被引量:
6
1
作者
佟丽英
赵权
+2 位作者
史继祥
王聪
李亚光
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期1213-1215,共3页
采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比...
采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。
展开更多
关键词
扩散结深
染色液
扩展电阻探针法
下载PDF
职称材料
钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究
2
作者
曾建明
张苗
+4 位作者
高剑侠
宋志棠
郑立荣
王连卫
林成鲁
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999年第2期131-135,共5页
在室温下,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在7.62cmPt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜。Bi4Ti3O12薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射(RBS)和扩展电阻技术...
在室温下,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在7.62cmPt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜。Bi4Ti3O12薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射(RBS)和扩展电阻技术(SRP)来分析、表征;采用X射线衍射(XRD)技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Bi4Ti3O12薄膜中较容易出现Bi2Ti2O7杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Bi4Ti3O12薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Bi4Ti3O12薄膜具有良好的表面和界面特性。
展开更多
关键词
脉冲激光沉积
钛酸铋薄膜
srp
RBS
铁电薄膜
下载PDF
职称材料
用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算
被引量:
1
3
作者
杨恒青
颜佳骅
+1 位作者
陈俭
曹永明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期290-297,共8页
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径...
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响 .
展开更多
关键词
扩展电阻探针技术
硅
深度分布
分辨率
二次离子质谱
硼离子注入
下载PDF
职称材料
硅外延层电阻率测量值一致性研究
被引量:
2
4
作者
刘学如
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第3期198-200,共3页
外延层电阻车是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率,以满足器件研制的需要,是检测人员所关注的一个重要课题。对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较,指出了其各自的优缺点,讨论了测量中存在的问题....
外延层电阻车是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率,以满足器件研制的需要,是检测人员所关注的一个重要课题。对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较,指出了其各自的优缺点,讨论了测量中存在的问题.针对这些问题,采取了相应的措施,试验和分析结果表明,几种测试方法的结果获得了相当好的一致性,测量相对误差可控制在5%以内,能够满足现有器件对外延片电阻率精度的要求。
展开更多
关键词
半导体器件
外延硅片
硅外延工艺
外延层电阻率
下载PDF
职称材料
二探针扩展电阻分布法在IC芯片制造中的应用
5
作者
金红杰
郎清华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期684-688,共5页
论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据。二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻。总结了为提高测试准确性,在...
论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据。二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻。总结了为提高测试准确性,在测试中需要注意的事项。较高的空间分辨率和先进的多层算法,使二探针扩展电阻分布法能够测试多种结构复杂的样品。因此,在IC芯片制造过程中,二探针扩展电阻分布法广泛应用于外延、注入和扩散等工艺,为工程师调试新工艺、优化工艺条件以及进行失效分析等工作,提供电阻率-深度曲线图和载流子浓度-深度曲线图等数据。
展开更多
关键词
二探针
平式针尖无凹痕模型
多层理论
扩展电阻
下载PDF
职称材料
低电容TVS用常压外延工艺研究
被引量:
5
6
作者
仲张峰
尤晓杰
+3 位作者
王银海
邓雪华
魏建宇
杨帆
《电子与封装》
2018年第9期33-35,共3页
低电容瞬态电压抑制器(TVS)由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件、多片生长模式下,通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺,有效抑制了外延过程中的自掺杂,在P型重...
低电容瞬态电压抑制器(TVS)由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件、多片生长模式下,通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺,有效抑制了外延过程中的自掺杂,在P型重掺衬底上生长出薄层高阻的N型外延层,降低了低电容TVS雪崩二极管的反向击穿电压,提高了浪涌抑制能力。
展开更多
关键词
瞬态电压抑制器(TVS)
低电容
常压外延
自掺杂
纵向载流子分布(
srp
)
下载PDF
职称材料
一种变温变掺杂流量的埋层外延生长方法
被引量:
3
7
作者
赵建君
肖建农
马林宝
《电子与封装》
2016年第1期34-37,共4页
在已经制作有埋层的衬底上生长外延层,为了控制图形畸变和漂移而选取了较高的工艺温度,导致了严重的自掺杂。通过对比实验探讨了常用的双层外延工艺和变温变掺杂流量工艺对于抑制自掺杂的效果。在一定的埋层掺杂浓度范围内,需要采用变...
在已经制作有埋层的衬底上生长外延层,为了控制图形畸变和漂移而选取了较高的工艺温度,导致了严重的自掺杂。通过对比实验探讨了常用的双层外延工艺和变温变掺杂流量工艺对于抑制自掺杂的效果。在一定的埋层掺杂浓度范围内,需要采用变温变掺杂流量工艺,才能使外延层纵向载流子浓度分布(SRP)满足器件要求。
展开更多
关键词
埋层外延
变温变掺杂流量
纵向载流子浓度分布(
srp
)
下载PDF
职称材料
P型外延电阻率表面态的研究
8
作者
仲张峰
韩旭
+4 位作者
潘文宾
葛华
尤晓杰
王银海
杨帆
《电子与封装》
2020年第3期48-51,共4页
P型硅外延材料是制备微波功率器件的关键基础材料,其电阻率的一致性直接影响器件的性能和可靠性。研究通过对Si、N、B 3种元素进行电负性对比,结合P型外延片电容-电压法(CV法)测试波动和纵向载流子分布(SRP)比较分析,确定了造成P型外延...
P型硅外延材料是制备微波功率器件的关键基础材料,其电阻率的一致性直接影响器件的性能和可靠性。研究通过对Si、N、B 3种元素进行电负性对比,结合P型外延片电容-电压法(CV法)测试波动和纵向载流子分布(SRP)比较分析,确定了造成P型外延电阻率波动的主要原因,并通过对表面态的控制找到解决方案。
展开更多
关键词
P型
表面态
纵向载流子分布(
srp
)
电负性
下载PDF
职称材料
题名
化学染色法测量B,Al及P扩散结深
被引量:
6
1
作者
佟丽英
赵权
史继祥
王聪
李亚光
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期1213-1215,共3页
文摘
采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。
关键词
扩散结深
染色液
扩展电阻探针法
Keywords
diffused-junction
coloration solution
spreading
resistance
probe
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究
2
作者
曾建明
张苗
高剑侠
宋志棠
郑立荣
王连卫
林成鲁
机构
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999年第2期131-135,共5页
基金
国家"八六三"计划资助
文摘
在室温下,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在7.62cmPt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜。Bi4Ti3O12薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射(RBS)和扩展电阻技术(SRP)来分析、表征;采用X射线衍射(XRD)技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Bi4Ti3O12薄膜中较容易出现Bi2Ti2O7杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Bi4Ti3O12薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Bi4Ti3O12薄膜具有良好的表面和界面特性。
关键词
脉冲激光沉积
钛酸铋薄膜
srp
RBS
铁电薄膜
Keywords
pulsed laser deposition(PLD)
bismuth titanate thin film
rutherford backscattering spectrometry(RBS)
spreading
resistance
probe
(
srp
)
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算
被引量:
1
3
作者
杨恒青
颜佳骅
陈俭
曹永明
机构
复旦大学材料科学系
上海贝岭微电子制造有限公司
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期290-297,共8页
文摘
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响 .
关键词
扩展电阻探针技术
硅
深度分布
分辨率
二次离子质谱
硼离子注入
Keywords
spreading
resistance
probe
resolution
secondary ion mass spectrometry
boron ion-implantation
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
硅外延层电阻率测量值一致性研究
被引量:
2
4
作者
刘学如
机构
电子工业部第
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第3期198-200,共3页
文摘
外延层电阻车是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率,以满足器件研制的需要,是检测人员所关注的一个重要课题。对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较,指出了其各自的优缺点,讨论了测量中存在的问题.针对这些问题,采取了相应的措施,试验和分析结果表明,几种测试方法的结果获得了相当好的一致性,测量相对误差可控制在5%以内,能够满足现有器件对外延片电阻率精度的要求。
关键词
半导体器件
外延硅片
硅外延工艺
外延层电阻率
Keywords
Semiconductor device
Epitaxial wafer
St-wafer characterization
Four-
probe
measurement
C-V measurement
spreading
resistance
measurement
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
二探针扩展电阻分布法在IC芯片制造中的应用
5
作者
金红杰
郎清华
机构
杭州士兰集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期684-688,共5页
文摘
论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据。二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻。总结了为提高测试准确性,在测试中需要注意的事项。较高的空间分辨率和先进的多层算法,使二探针扩展电阻分布法能够测试多种结构复杂的样品。因此,在IC芯片制造过程中,二探针扩展电阻分布法广泛应用于外延、注入和扩散等工艺,为工程师调试新工艺、优化工艺条件以及进行失效分析等工作,提供电阻率-深度曲线图和载流子浓度-深度曲线图等数据。
关键词
二探针
平式针尖无凹痕模型
多层理论
扩展电阻
Keywords
two-
probe
non-indenting flat tip model
muhilayer theory
spreading
resistance
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
低电容TVS用常压外延工艺研究
被引量:
5
6
作者
仲张峰
尤晓杰
王银海
邓雪华
魏建宇
杨帆
机构
南京国盛电子有限公司
出处
《电子与封装》
2018年第9期33-35,共3页
文摘
低电容瞬态电压抑制器(TVS)由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件、多片生长模式下,通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺,有效抑制了外延过程中的自掺杂,在P型重掺衬底上生长出薄层高阻的N型外延层,降低了低电容TVS雪崩二极管的反向击穿电压,提高了浪涌抑制能力。
关键词
瞬态电压抑制器(TVS)
低电容
常压外延
自掺杂
纵向载流子分布(
srp
)
Keywords
TVS
low capacitance
atmospheric pressure epitaxial process
self- doping
spreading
resistivity profile(
srp
)
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种变温变掺杂流量的埋层外延生长方法
被引量:
3
7
作者
赵建君
肖建农
马林宝
机构
南京国盛电子有限公司
出处
《电子与封装》
2016年第1期34-37,共4页
文摘
在已经制作有埋层的衬底上生长外延层,为了控制图形畸变和漂移而选取了较高的工艺温度,导致了严重的自掺杂。通过对比实验探讨了常用的双层外延工艺和变温变掺杂流量工艺对于抑制自掺杂的效果。在一定的埋层掺杂浓度范围内,需要采用变温变掺杂流量工艺,才能使外延层纵向载流子浓度分布(SRP)满足器件要求。
关键词
埋层外延
变温变掺杂流量
纵向载流子浓度分布(
srp
)
Keywords
buried-layer epitaxy
varying temperature varying doping flow
spreading
resistance
profiles (
srp
)
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
P型外延电阻率表面态的研究
8
作者
仲张峰
韩旭
潘文宾
葛华
尤晓杰
王银海
杨帆
机构
南京国盛电子有限公司
出处
《电子与封装》
2020年第3期48-51,共4页
文摘
P型硅外延材料是制备微波功率器件的关键基础材料,其电阻率的一致性直接影响器件的性能和可靠性。研究通过对Si、N、B 3种元素进行电负性对比,结合P型外延片电容-电压法(CV法)测试波动和纵向载流子分布(SRP)比较分析,确定了造成P型外延电阻率波动的主要原因,并通过对表面态的控制找到解决方案。
关键词
P型
表面态
纵向载流子分布(
srp
)
电负性
Keywords
P-type
surface state
spreading
resistivity profile(
srp
)
electronegativity
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学染色法测量B,Al及P扩散结深
佟丽英
赵权
史继祥
王聪
李亚光
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
6
下载PDF
职称材料
2
钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究
曾建明
张苗
高剑侠
宋志棠
郑立荣
王连卫
林成鲁
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999
0
下载PDF
职称材料
3
用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算
杨恒青
颜佳骅
陈俭
曹永明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
下载PDF
职称材料
4
硅外延层电阻率测量值一致性研究
刘学如
《微电子学》
CAS
CSCD
1996
2
下载PDF
职称材料
5
二探针扩展电阻分布法在IC芯片制造中的应用
金红杰
郎清华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
6
低电容TVS用常压外延工艺研究
仲张峰
尤晓杰
王银海
邓雪华
魏建宇
杨帆
《电子与封装》
2018
5
下载PDF
职称材料
7
一种变温变掺杂流量的埋层外延生长方法
赵建君
肖建农
马林宝
《电子与封装》
2016
3
下载PDF
职称材料
8
P型外延电阻率表面态的研究
仲张峰
韩旭
潘文宾
葛华
尤晓杰
王银海
杨帆
《电子与封装》
2020
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部