P^+-Ge_xSi_(1-x)/P—Si异质结红外探测器性能的提高

通过采用层叠结构、增加SiO2介质腔和铝反射镜、背面蒸镀SiO抗反射层等措施，使P＋－GexSi1－x／p—Si异质结内光发射红外探测器在77K下的性能提高到在不加偏置电压的条件下响应范围2～8μm，D（5．5，1000，1）＝1．1×1010cmHz1／2／W，量子效率可达4％。其Dp已达到实用的PtSi红外探测器的量级。另外，在器件的结构设计中，我们采用了一种改进的电极结构，以提高器件的性能和可靠性。