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X射线衍射法测定Fe-Mn-Si形状记忆合金层错几率的研究 被引量:10
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作者 何刚 许二冬 +2 位作者 戎咏华 徐祖耀 熊樱菲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期155-157,共3页
Fe-Mn-Si合金的形状记忆效应来源于马氏体相变,而马氏体相变则通过奥氏体内形成每隔一层{111}面上的堆垛层错来完成。与层错能相关的层错几率可能控制马氏体的相变机制。本文根据Waren的衍射理论,用X射线衍射峰位... Fe-Mn-Si合金的形状记忆效应来源于马氏体相变,而马氏体相变则通过奥氏体内形成每隔一层{111}面上的堆垛层错来完成。与层错能相关的层错几率可能控制马氏体的相变机制。本文根据Waren的衍射理论,用X射线衍射峰位移和峰宽化两种方法测定了Fe-Mn-Si合金的层错几率,其结果表明随锰含量增加,层错几率降低。本文着重对提高衍射峰位移和峰宽化两种测定方法的精度及其影响因素进行详细的研究。 展开更多
关键词 FE-MN-SI合金 层错几率 形状记忆合金 X射线衍射
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X射线衍射研究纳米材料微结构的一些进展 被引量:10
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作者 杨传铮 张建 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2008年第3期280-313,共34页
本文在简单评叙过去常用于金属材料中晶粒(嵌镶块)大小和微观应变的X射线衍射线形分析方法(分离微晶—微应变二重宽化效应的Fourier分析、方差分析和近似函数三种方法)之后,介绍了作者及合作者近年来发展和建立的分离微晶—微应变、微... 本文在简单评叙过去常用于金属材料中晶粒(嵌镶块)大小和微观应变的X射线衍射线形分析方法(分离微晶—微应变二重宽化效应的Fourier分析、方差分析和近似函数三种方法)之后,介绍了作者及合作者近年来发展和建立的分离微晶—微应变、微晶—层错、微应变—层错二重宽化效应和分离微晶—微应力—层错三重宽化效应的一般理论、最小二乘方法和计算程序系列。然后把这些方法用于评价各种典型纳米材料微结构的研究。它们包括:(1)贮氢合金MmB5;(2)面心立方结构纳米NiO的分析,获得微结构参数与热分解温度的关系;(3)体心立方结构的V-Ti基合金在吸放氢过程中的结构变化;(4)用来研究镍氢电池活化前后正极-βNi(OH)2的微结构时,对一般方法作简化,从而了解了-βNi(OH)2在镍氢电池中充放电过程和电池循环过程中的行为;(5)六方纳米ZnO的微结构研究和添加Ca、Sr和混合稀土的Mg-Al合金中的微结构研究;(6)还用于六方(2H-)石墨堆垛无序度的测定。实际应用发现,对不同的纳米材料合理应用分离X射线衍射多重宽化效应的一般理论和方法显得十分重要。实际应用还发现,所提出的分离多重宽化效应的方法,能用于评价和研究纳米材料及其在使用过程微结构的变化,从而把材料性能与微结构参数联系起来,建立性能与结构之间的关系,并已获得不少有益结果。 展开更多
关键词 纳米材料 微结构 微晶形状和大小 微应变(力) 堆垛层错 XRD 最小二乘方法 计算程序
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奥氏体钢马氏体相变点M_s、M_(εs) 被引量:24
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作者 戴起勋 《钢铁》 CAS CSCD 北大核心 1995年第8期52-58,共7页
在计算机上回归处理了大量试验结果,得到了奥氏体钢的M_s、M_εs定量经验计算式:M_s(K)=731-227(C+N)-17.6Ni-22.5Mn-17.3Cr-16.2MoM_εs(K)=630-261.4(C+... 在计算机上回归处理了大量试验结果,得到了奥氏体钢的M_s、M_εs定量经验计算式:M_s(K)=731-227(C+N)-17.6Ni-22.5Mn-17.3Cr-16.2MoM_εs(K)=630-261.4(C+N)-13.7Mn-13.1Cr-17.9Ni-38.5Al在热力学上从层错能及M_s、M_εs的相对变化角度较好地解释了奥氏体钢的γ→α,γ→ε→α,γ→ε相变,并且进一步用试验数据验证,结果也较满意。 展开更多
关键词 奥氏体钢 马氏体相变 相变临界点
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扫描透射电镜对GalnAsSb/GaSb异质结截面的研究 被引量:1
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作者 张子旸 张宝林 +4 位作者 周天明 蒋红 金亿鑫 李树玮 F.Schulze-Kraasch 《功能材料》 CSCD 北大核心 2000年第5期505-507,共3页
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的... 报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊。 展开更多
关键词 GalnAsSb 位错 层错 STEM
全文增补中
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