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X射线衍射法测定Fe-Mn-Si形状记忆合金层错几率的研究
被引量:
10
1
作者
何刚
许二冬
+2 位作者
戎咏华
徐祖耀
熊樱菲
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期155-157,共3页
Fe-Mn-Si合金的形状记忆效应来源于马氏体相变,而马氏体相变则通过奥氏体内形成每隔一层{111}面上的堆垛层错来完成。与层错能相关的层错几率可能控制马氏体的相变机制。本文根据Waren的衍射理论,用X射线衍射峰位...
Fe-Mn-Si合金的形状记忆效应来源于马氏体相变,而马氏体相变则通过奥氏体内形成每隔一层{111}面上的堆垛层错来完成。与层错能相关的层错几率可能控制马氏体的相变机制。本文根据Waren的衍射理论,用X射线衍射峰位移和峰宽化两种方法测定了Fe-Mn-Si合金的层错几率,其结果表明随锰含量增加,层错几率降低。本文着重对提高衍射峰位移和峰宽化两种测定方法的精度及其影响因素进行详细的研究。
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关键词
FE-MN-SI合金
层错几率
形状记忆合金
X射线衍射
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职称材料
X射线衍射研究纳米材料微结构的一些进展
被引量:
10
2
作者
杨传铮
张建
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2008年第3期280-313,共34页
本文在简单评叙过去常用于金属材料中晶粒(嵌镶块)大小和微观应变的X射线衍射线形分析方法(分离微晶—微应变二重宽化效应的Fourier分析、方差分析和近似函数三种方法)之后,介绍了作者及合作者近年来发展和建立的分离微晶—微应变、微...
本文在简单评叙过去常用于金属材料中晶粒(嵌镶块)大小和微观应变的X射线衍射线形分析方法(分离微晶—微应变二重宽化效应的Fourier分析、方差分析和近似函数三种方法)之后,介绍了作者及合作者近年来发展和建立的分离微晶—微应变、微晶—层错、微应变—层错二重宽化效应和分离微晶—微应力—层错三重宽化效应的一般理论、最小二乘方法和计算程序系列。然后把这些方法用于评价各种典型纳米材料微结构的研究。它们包括:(1)贮氢合金MmB5;(2)面心立方结构纳米NiO的分析,获得微结构参数与热分解温度的关系;(3)体心立方结构的V-Ti基合金在吸放氢过程中的结构变化;(4)用来研究镍氢电池活化前后正极-βNi(OH)2的微结构时,对一般方法作简化,从而了解了-βNi(OH)2在镍氢电池中充放电过程和电池循环过程中的行为;(5)六方纳米ZnO的微结构研究和添加Ca、Sr和混合稀土的Mg-Al合金中的微结构研究;(6)还用于六方(2H-)石墨堆垛无序度的测定。实际应用发现,对不同的纳米材料合理应用分离X射线衍射多重宽化效应的一般理论和方法显得十分重要。实际应用还发现,所提出的分离多重宽化效应的方法,能用于评价和研究纳米材料及其在使用过程微结构的变化,从而把材料性能与微结构参数联系起来,建立性能与结构之间的关系,并已获得不少有益结果。
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关键词
纳米材料
微结构
微晶形状和大小
微应变(力)
堆垛层错
XRD
最小二乘方法
计算程序
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职称材料
奥氏体钢马氏体相变点M_s、M_(εs)
被引量:
24
3
作者
戴起勋
《钢铁》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期52-58,共7页
在计算机上回归处理了大量试验结果,得到了奥氏体钢的M_s、M_εs定量经验计算式:M_s(K)=731-227(C+N)-17.6Ni-22.5Mn-17.3Cr-16.2MoM_εs(K)=630-261.4(C+...
在计算机上回归处理了大量试验结果,得到了奥氏体钢的M_s、M_εs定量经验计算式:M_s(K)=731-227(C+N)-17.6Ni-22.5Mn-17.3Cr-16.2MoM_εs(K)=630-261.4(C+N)-13.7Mn-13.1Cr-17.9Ni-38.5Al在热力学上从层错能及M_s、M_εs的相对变化角度较好地解释了奥氏体钢的γ→α,γ→ε→α,γ→ε相变,并且进一步用试验数据验证,结果也较满意。
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关键词
奥氏体钢
马氏体相变
相变临界点
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职称材料
扫描透射电镜对GalnAsSb/GaSb异质结截面的研究
被引量:
1
4
作者
张子旸
张宝林
+4 位作者
周天明
蒋红
金亿鑫
李树玮
F.Schulze-Kraasch
《功能材料》
CSCD
北大核心
2000年第5期505-507,共3页
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的...
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊。
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关键词
GalnAsSb
位错
层错
STEM
全文增补中
题名
X射线衍射法测定Fe-Mn-Si形状记忆合金层错几率的研究
被引量:
10
1
作者
何刚
许二冬
戎咏华
徐祖耀
熊樱菲
机构
上海交通大学材料科学与工程学院
上海博物馆
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期155-157,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
Fe-Mn-Si合金的形状记忆效应来源于马氏体相变,而马氏体相变则通过奥氏体内形成每隔一层{111}面上的堆垛层错来完成。与层错能相关的层错几率可能控制马氏体的相变机制。本文根据Waren的衍射理论,用X射线衍射峰位移和峰宽化两种方法测定了Fe-Mn-Si合金的层错几率,其结果表明随锰含量增加,层错几率降低。本文着重对提高衍射峰位移和峰宽化两种测定方法的精度及其影响因素进行详细的研究。
关键词
FE-MN-SI合金
层错几率
形状记忆合金
X射线衍射
Keywords
Fe-Mn-Si alloy
stackingfault
probability
peakshift
peakbroad
分类号
TG139.6 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
X射线衍射研究纳米材料微结构的一些进展
被引量:
10
2
作者
杨传铮
张建
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2008年第3期280-313,共34页
基金
国家自然科学基金资助项目(资助号20573129)
上海市科委科研计划项目基金资助(No.06JC14028)
文摘
本文在简单评叙过去常用于金属材料中晶粒(嵌镶块)大小和微观应变的X射线衍射线形分析方法(分离微晶—微应变二重宽化效应的Fourier分析、方差分析和近似函数三种方法)之后,介绍了作者及合作者近年来发展和建立的分离微晶—微应变、微晶—层错、微应变—层错二重宽化效应和分离微晶—微应力—层错三重宽化效应的一般理论、最小二乘方法和计算程序系列。然后把这些方法用于评价各种典型纳米材料微结构的研究。它们包括:(1)贮氢合金MmB5;(2)面心立方结构纳米NiO的分析,获得微结构参数与热分解温度的关系;(3)体心立方结构的V-Ti基合金在吸放氢过程中的结构变化;(4)用来研究镍氢电池活化前后正极-βNi(OH)2的微结构时,对一般方法作简化,从而了解了-βNi(OH)2在镍氢电池中充放电过程和电池循环过程中的行为;(5)六方纳米ZnO的微结构研究和添加Ca、Sr和混合稀土的Mg-Al合金中的微结构研究;(6)还用于六方(2H-)石墨堆垛无序度的测定。实际应用发现,对不同的纳米材料合理应用分离X射线衍射多重宽化效应的一般理论和方法显得十分重要。实际应用还发现,所提出的分离多重宽化效应的方法,能用于评价和研究纳米材料及其在使用过程微结构的变化,从而把材料性能与微结构参数联系起来,建立性能与结构之间的关系,并已获得不少有益结果。
关键词
纳米材料
微结构
微晶形状和大小
微应变(力)
堆垛层错
XRD
最小二乘方法
计算程序
Keywords
Nano-meter material
Microstructure
crystallite size
Micro-strain (stress)
stackingfault
XRD
The least square method
Computing program
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
奥氏体钢马氏体相变点M_s、M_(εs)
被引量:
24
3
作者
戴起勋
机构
江苏理工大学
出处
《钢铁》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期52-58,共7页
文摘
在计算机上回归处理了大量试验结果,得到了奥氏体钢的M_s、M_εs定量经验计算式:M_s(K)=731-227(C+N)-17.6Ni-22.5Mn-17.3Cr-16.2MoM_εs(K)=630-261.4(C+N)-13.7Mn-13.1Cr-17.9Ni-38.5Al在热力学上从层错能及M_s、M_εs的相对变化角度较好地解释了奥氏体钢的γ→α,γ→ε→α,γ→ε相变,并且进一步用试验数据验证,结果也较满意。
关键词
奥氏体钢
马氏体相变
相变临界点
Keywords
austenitic steel,martensite transformation , transformation critical point,
stackingfault
energy
分类号
TG142.25 [金属学及工艺—金属材料]
TG151.2 [金属学及工艺—热处理]
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职称材料
题名
扫描透射电镜对GalnAsSb/GaSb异质结截面的研究
被引量:
1
4
作者
张子旸
张宝林
周天明
蒋红
金亿鑫
李树玮
F.Schulze-Kraasch
机构
中国科学院长春物理研究所
MaterialsofElectricalEngineering
出处
《功能材料》
CSCD
北大核心
2000年第5期505-507,共3页
文摘
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊。
关键词
GalnAsSb
位错
层错
STEM
Keywords
GaInAsSb
dislocation
stackingfault
STEM
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
X射线衍射法测定Fe-Mn-Si形状记忆合金层错几率的研究
何刚
许二冬
戎咏华
徐祖耀
熊樱菲
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
10
下载PDF
职称材料
2
X射线衍射研究纳米材料微结构的一些进展
杨传铮
张建
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2008
10
下载PDF
职称材料
3
奥氏体钢马氏体相变点M_s、M_(εs)
戴起勋
《钢铁》
CAS
CSCD
北大核心
1995
24
下载PDF
职称材料
4
扫描透射电镜对GalnAsSb/GaSb异质结截面的研究
张子旸
张宝林
周天明
蒋红
金亿鑫
李树玮
F.Schulze-Kraasch
《功能材料》
CSCD
北大核心
2000
1
全文增补中
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