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具有阶梯掺杂缓冲层的双栅超结LDMOS
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作者 唐盼盼 张峻铭 南敬昌 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第5期505-512,共8页
具有N型缓冲层的超结横向双扩散金属-半导体场效应晶体管(SJ-LDMOS)结构能够有效抑制传统结构中存在的衬底辅助耗尽效应(SAD)。为进一步优化器件性能,提出了一种具有阶梯型掺杂缓冲层的双栅极SOI基SJ-LDMOS(DG SDB SJ-LDMOS)器件结构。... 具有N型缓冲层的超结横向双扩散金属-半导体场效应晶体管(SJ-LDMOS)结构能够有效抑制传统结构中存在的衬底辅助耗尽效应(SAD)。为进一步优化器件性能,提出了一种具有阶梯型掺杂缓冲层的双栅极SOI基SJ-LDMOS(DG SDB SJ-LDMOS)器件结构。该结构采用沟槽栅极与平面栅极相互结合的形式,在器件内形成两条电流传导路径,其一通过SJ结构中高掺杂的N型区传输,另一条则通过阶梯掺杂缓冲层传输,同时阶梯掺杂缓冲层可以进一步改善表面电场分布,提高器件的耐压。双导通路径提高了SJ层和阶梯掺杂缓冲层的正向电流均匀性,从而有效地降低了器件的导通电阻。仿真结果表明:所提出的器件结构可实现394 V的高击穿电压和10.11 mΩ·cm^(2)的极低比导通电阻,品质因数达到了15.35 MW/cm^(2),与具有相同漂移区长度的SJ-LDMOS相比击穿电压提高了47%,比导通电阻降低了64.8%。 展开更多
关键词 SJ-LDMOS 阶梯掺杂 沟槽栅极 击穿电压 比导通电阻
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丽香铁路达落双线中桥增设棚洞结构设计
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作者 李贵民 郭永发 +1 位作者 丁文云 王化武 《科技创新与应用》 2024年第10期126-129,共4页
该文以在建丽香铁路蒙古哨隧道出口与七达里隧道进口间达落双线中桥为工程依托,根据地形地质、落石重量、坡面高差、结构跨度及防护等级等基本情况,分析常规明洞、柔性钢网棚洞、拱桥棚洞、纵向刚架棚洞及横向刚架棚洞各自适用条件,选... 该文以在建丽香铁路蒙古哨隧道出口与七达里隧道进口间达落双线中桥为工程依托,根据地形地质、落石重量、坡面高差、结构跨度及防护等级等基本情况,分析常规明洞、柔性钢网棚洞、拱桥棚洞、纵向刚架棚洞及横向刚架棚洞各自适用条件,选用合理的棚洞型式及结构尺寸。研究结论表明,对隧道坡面危岩落石重量及高差进行详细的调查分析,是确定采用柔性钢网棚洞还是钢筋砼刚性棚洞的前提。钢筋砼刚性棚洞沿线路方向跨度、冲沟排洪要求及基岩完整程度,是确定刚性棚洞具体类型的关键。落石冲击强度选用路基手册计算法较为合适,落石冲击力按移动荷载考虑,移动步距按2 m考虑为宜。棚洞结构内力及构件尺寸计算时,按落石不同位置的弯矩包络图最不利工况考虑。 展开更多
关键词 V型冲沟 增设棚洞 落石冲击 移动步距 丽香铁路
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溢洪道加糙对水流流态影响的试验研究 被引量:5
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作者 魏祖涛 侍克斌 +1 位作者 陈成林 杨恒阳 《水资源与水工程学报》 2010年第5期76-78,共3页
溢洪道是水利枢纽中很重要的建筑物,为了确保在高速水流下泄槽内有较好的流态,设计上一般要求是直道,但有时候直道的开挖量太大或现有的地形条件不适合修建直道,所以在现实工程中难免要在泄槽段设计弯道。高速水流在进入弯道后的流态是... 溢洪道是水利枢纽中很重要的建筑物,为了确保在高速水流下泄槽内有较好的流态,设计上一般要求是直道,但有时候直道的开挖量太大或现有的地形条件不适合修建直道,所以在现实工程中难免要在泄槽段设计弯道。高速水流在进入弯道后的流态是很不好的,大部分水流集中在凹岸,水流撞击凹岸又冲到对岸的下游直道段,然后会在直道段内左右撞击边墙,流态很不稳定,因此要通过工程措施来稳定弯道内及其下游水流流态。 展开更多
关键词 溢洪道 泄槽 消能坎 弯道 水流流态
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沟槽型MOSFET的发展(英文) 被引量:1
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作者 王翠霞 范学峰 +1 位作者 许维胜 谢福渊 《通信电源技术》 2009年第1期72-74,共3页
在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点:可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSO MOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,... 在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点:可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSO MOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。 展开更多
关键词 沟槽型MOSFET 厚栅氧 MOSFET RSO MOSFET 肖特基二极管
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4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件 被引量:3
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作者 张跃 张腾 +1 位作者 黄润华 柏松 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期376-380,共5页
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFE... 介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12%,FOM值提升了5.1%。提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶。 展开更多
关键词 4H-SIC 台阶型沟槽 MOSFET 栅氧化层 尖峰电场 FOM值
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丰田4驱SUV汽车跨越台阶壕沟能力对比分析
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作者 刘文虎 《甘肃高师学报》 2019年第2期34-37,共4页
依据静力学平衡方程对4驱汽车前后轮正面跨越台阶、壕沟能力的理论分析和计算,得到了轮胎直径、附着系数、轴距、车重心距前后轴距离等参数都是影响越障的重要因素.目前丰田4驱SUV的8款汽车的这些参数有较好的跨越台阶、壕沟能力,但综... 依据静力学平衡方程对4驱汽车前后轮正面跨越台阶、壕沟能力的理论分析和计算,得到了轮胎直径、附着系数、轴距、车重心距前后轴距离等参数都是影响越障的重要因素.目前丰田4驱SUV的8款汽车的这些参数有较好的跨越台阶、壕沟能力,但综合考虑汽车的安全性、舒适性,限制了这一性能的充分发挥,降低了它们的越障能力. 展开更多
关键词 丰田4驱SUV 汽车 汽车前后轮跨越台阶能力 汽车前后轮跨越壕沟能力
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斜沟槽型处理机匣对压气机性能影响的数值研究 被引量:4
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作者 刘世文 宁方飞 《燃气涡轮试验与研究》 北大核心 2014年第5期5-11,共7页
采用数值模拟方法,研究了不同沟槽深度和开槽位置的斜沟槽型处理机匣对压气机气动性能的影响。结果表明,叶尖间隙较小时,与光壁机匣相比,机匣处理后压气机堵点流量提高,最大效率基本不变,稳定工作裕度下降;叶尖间隙较大时,机匣处理后压... 采用数值模拟方法,研究了不同沟槽深度和开槽位置的斜沟槽型处理机匣对压气机气动性能的影响。结果表明,叶尖间隙较小时,与光壁机匣相比,机匣处理后压气机堵点流量提高,最大效率基本不变,稳定工作裕度下降;叶尖间隙较大时,机匣处理后压气机最大效率不变,堵点流量、压比和稳定工作裕度提高。适当减小开槽点与转子叶尖前缘距离,可在不损失效率的情况下提高压气机近失速点压比。斜沟槽型处理机匣对流动的影响:一是流通面积增加和斜坡带来的收缩通道作用,有助于缓解叶尖流动堵塞,降低损失;二是机匣突然升高造成后台阶流动分离,造成较大的总压损失和效率下降。 展开更多
关键词 轴流压气机 处理机匣 斜沟槽 台阶流动 叶尖泄漏 数值模拟
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地下矿平行中心大孔爆破一次成槽技术 被引量:2
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作者 李争荣 冯兴隆 +3 位作者 刘华武 吴明 崔晓东 刘明武 《金属矿山》 CAS 北大核心 2018年第7期78-81,共4页
近些年,中深孔一次成井技术的研究和应用逐渐增多,但主要基于直径55~150 mm的凿岩设备,重点围绕增加空孔数量、空孔与装药孔间距、掏槽型式(桶型、龟型等)等方面进行,而对于单空孔成槽方面研究及应用尚少。以某铜矿聚矿槽一次成槽为研... 近些年,中深孔一次成井技术的研究和应用逐渐增多,但主要基于直径55~150 mm的凿岩设备,重点围绕增加空孔数量、空孔与装药孔间距、掏槽型式(桶型、龟型等)等方面进行,而对于单空孔成槽方面研究及应用尚少。以某铜矿聚矿槽一次成槽为研究背景,进行了以单直径762 mm的空孔为中心,平行空孔中深孔微差爆破一次成槽技术的研究。结合深孔成槽爆破机理、炸药爆炸性能和空孔作用原理,利用数码电子雷管微差起爆,使岩石逐排破碎扩大,碎岩借助爆轰气体及重力作用下落入巷道内。此项技术通过实验、实施至今已顺利完成70多个聚矿槽,未出现爆破挤死等不良现象的发生,使用效果良好,为高深井成井的研究提供参考。 展开更多
关键词 大直径中心空孔 一次成槽 微差爆破 自然崩落法
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一种MEMS开关驱动电路的设计
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作者 孙俊峰 朱健 +2 位作者 李智群 郁元卫 钱可强 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第2期361-365,共5页
静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Coc... 静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Cockcroft-Walton电荷泵结构,结合特有的Trench工艺使电路的性能大大提高。仿真结果显示驱动电路在5 V电源电压、0.2 pF电容和1 GΩ电阻并联负载下,输出电压达到82.7 V,满足大多数MEMS开关对高驱动电压的需要。 展开更多
关键词 电荷泵 MEMS开关 升压倍数 SOI trench工艺
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复杂边界条件下管线受力的数值模拟 被引量:2
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作者 黄中立 李玉成 赖国璋 《海洋通报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期39-50,共12页
基于N-S方程,采用Galerkin方法加权的三步有限元方法.本文对不可压缩粘性流体的圆柱绕流问题作了分析。同时对于高雷诺数下的紊流,引入大涡模拟数值模型。程序比较成功地模拟了平底边界条件及有沟槽复杂边界条件下的海底管线的受力情况... 基于N-S方程,采用Galerkin方法加权的三步有限元方法.本文对不可压缩粘性流体的圆柱绕流问题作了分析。同时对于高雷诺数下的紊流,引入大涡模拟数值模型。程序比较成功地模拟了平底边界条件及有沟槽复杂边界条件下的海底管线的受力情况。在圆柱绕流力的过程线模拟计算中,对有一定缝隙比、平底裸置以及置于沟槽内的圆柱均进行了数值计算并和试验资料及已有文献作了对比,结果令人满意。 展开更多
关键词 海底管线 受力 数值模拟 复杂边界条件 有限元
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罗源湾港区可门作业区1^#-3^#泊位水工建筑物设计关键技术
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作者 王景灯 《水运工程》 北大核心 2015年第5期221-226,共6页
福州港罗源湾港区可门作业区1#-3#泊位工程码头水工建筑物结构等级大,其码头区具有地质岩面埋深变化巨大、周边建设条件复杂及限制因素多等特点。分析总结基槽开挖宽度的确定、开挖阶梯断面的设计及重锤夯实的技术要求等关键技术设计,... 福州港罗源湾港区可门作业区1#-3#泊位工程码头水工建筑物结构等级大,其码头区具有地质岩面埋深变化巨大、周边建设条件复杂及限制因素多等特点。分析总结基槽开挖宽度的确定、开挖阶梯断面的设计及重锤夯实的技术要求等关键技术设计,其基槽开挖底宽的优化计算过程、阶梯断面及重锤夯实实施的技术指标可为类似工程的设计提供借鉴。 展开更多
关键词 40万t散货泊位 基槽 阶梯断面 重锤夯实
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