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形变铝中位错胞壁和位错环
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作者 单凤兰 李吉学 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第2期145-147,共3页
在TEM中采用衍衬成像方法系统观察了在室温下形变纯铝中位错胞壁的形成与发展,以及位错环的出现。获得了胞壁的平均宽度及位错环的平均尺寸随应变的变化规律。
关键词 应变 胞壁 位错环 流变应力 形变铝
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