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PECVD氯化硅介质膜Si/N比值的工艺监控
1
作者
李惠军
龙莹山
武广栋
《山东科学》
CAS
1995年第1期14-17,共4页
本文介绍了作者在微电子工艺PECVD氮化硅制备过程中对其Si/N比值进行测定及工艺监控的技术手段和方法.
关键词
钝化工艺
氮化硅
硅/氮
PECVD
薄膜
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
PECVD氯化硅介质膜Si/N比值的工艺监控
1
作者
李惠军
龙莹山
武广栋
机构
山东工业大学
出处
《山东科学》
CAS
1995年第1期14-17,共4页
文摘
本文介绍了作者在微电子工艺PECVD氮化硅制备过程中对其Si/N比值进行测定及工艺监控的技术手段和方法.
关键词
钝化工艺
氮化硅
硅/氮
PECVD
薄膜
集成电路
Keywords
stupid
technique
:
silicon
nitride
:
si/
n
contrast
分类号
TN405.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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操作
1
PECVD氯化硅介质膜Si/N比值的工艺监控
李惠军
龙莹山
武广栋
《山东科学》
CAS
1995
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