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分段曲率补偿带隙基准的设计
被引量:
2
1
作者
白宇欣
李燕楠
《电子科技》
2017年第12期28-30,共3页
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,采用分段曲率补偿技术设计了一种低温漂带隙基准电压源。利用工作在亚阈值区的NMOS晶体管的漏电流与栅源电压的指数关系产生一个非线性补偿电流,在高温段对基准电压进行温度补偿。利用Cadence软件对基准电路...
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,采用分段曲率补偿技术设计了一种低温漂带隙基准电压源。利用工作在亚阈值区的NMOS晶体管的漏电流与栅源电压的指数关系产生一个非线性补偿电流,在高温段对基准电压进行温度补偿。利用Cadence软件对基准电路进行设计和仿真。结果表明,在-40~125℃的温度范围内,文中设计的基准电路获得了3.4 ppm/℃的温度系数,在1 kHz、100 kHz、1 MHz的频率处分别获得了-78.7 dB、-54.9 dB、-32.5 dB的电源抑制比。
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关键词
带隙基准
分段曲率补偿
亚阈值区
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职称材料
题名
分段曲率补偿带隙基准的设计
被引量:
2
1
作者
白宇欣
李燕楠
机构
西安电子科技大学附属中学
重庆邮电大学光电工程学院
出处
《电子科技》
2017年第12期28-30,共3页
文摘
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,采用分段曲率补偿技术设计了一种低温漂带隙基准电压源。利用工作在亚阈值区的NMOS晶体管的漏电流与栅源电压的指数关系产生一个非线性补偿电流,在高温段对基准电压进行温度补偿。利用Cadence软件对基准电路进行设计和仿真。结果表明,在-40~125℃的温度范围内,文中设计的基准电路获得了3.4 ppm/℃的温度系数,在1 kHz、100 kHz、1 MHz的频率处分别获得了-78.7 dB、-54.9 dB、-32.5 dB的电源抑制比。
关键词
带隙基准
分段曲率补偿
亚阈值区
Keywords
bandgap reference
piecewise curvature compensation
sub - thresiiold region
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
分段曲率补偿带隙基准的设计
白宇欣
李燕楠
《电子科技》
2017
2
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