快速提升像素 Micron Technology新CMOS感光器

Micron Technology新开发的这颗800万像素CMOS感光器中每个感光组件（一个像素）仅有1.75μm宽，这让它可以挤进1／2．5英寸规格的数码相机中（现在的800万像素相机是用1／18英寸CCD）。

Micron Technology推出业界首款1．7μm像素图像传感器

Micron Technology公司推出业界首款1．7μm像素图像传感器，其微小的像素尺寸使移动和消费应用具有更高的分辨率和更小的尺寸，提高了医疗、生物测定及高速移动应用的性能。

Micron Technology推出业界首款1．7μm像素圈像传感器

Micron Technology公司推出业界首款1．7μm像素图像传感器，其微小的像素尺寸使移动和消费应用具有更高的分辨率和更小的尺寸，提高了医疗、生物测定及高速移动应用的性能。

改性剂添加量对改性微米铁-微生物耦合体系去除三氯乙烯效能的影响

基于球磨法的硫化与碳改性是提高微米零价铁(Micron zero-valent iron,mZVI)对三氯乙烯(Trichloroethylene,TCE)还原选择性的有效手段,但其改性效果常受改性剂添加量的影响,且其对改性mZVI和微生物耦合体系修复效能的影响尚未明确。本文通过构建多个硫化mZVI-微生物体系(S-mZVI bm/AB)和碳改性mZVI-微生物体系(C-mZVI bm/AB),系统研究改性剂添加量对改性mZVI-微生物耦合体系去除TCE和代表性共存电子受体NO_(3)^(-)的影响。实验结果表明:不同改性剂添加量的S-mZVI bm/AB和C-mZVI bm/AB体系均可显著促进TCE的去除,且促进程度随改性剂添加量的增加呈现先上升后下降的趋势;S-mZVI bm/AB体系可抑制NO_(3)^(-)的去除,且抑制程度随S/Fe摩尔比的增加呈现上升趋势,而C/Fe质量比不会影响C-mZVI bm/AB体系中NO_(3)^(-)的去除;S-mZVI bm/AB和C-mZVI bm/AB体系均可调控TCE及NO-3的产物构成,并均促进了饱和碳烃化合物及N_(2)生成,且该促进作用与改性剂添加量成正比。通过分析微生物群落结构探究了耦合体系脱氯及其脱氮的影响机制,发现在S-mZVI bm/AB和C-mZVI bm/AB体系中均存在大量参与脱氯和反硝化的细菌,反硝化菌的丰度高于脱氯菌,是NO_(3)^(-)快速去除和较高浓度N 2产生的原因。

Micron CMOS影像传感器 带给移动应用出色的图像品质

美国美光科技有限公司(MicronTechnologyInc.)成立于1978年,为全球领先的半导体厂商之一。美光科技在全球范围内生产和销售DRAM、闪存、CMOS影像传感器等半导体元器件,产品广泛应用于高级计算机、消费电子、网络通讯等领域。美光公司2005年营业额近50亿美元。美光是全球出众的CMOS影像传感器的供应商,CMOS产品已被广泛应用于数码相机,拍照手机,汽车电子等领域,该产品在保安监控(Security&Surveillance)领域也有良好的市场前景。

电流体动力学加工技术在食品中的研究进展

电流体动力学加工技术作为一种新型非热加工技术,逐步应用于食品科学技术领域,助力未来食品工业发展。本文对电流体动力学加工技术的工作原理、分类及影响因素,用于食品加工的生物分子原料以及该技术在食品加工中的应用进行详细阐述,同时总结并展望未来该技术在食品领域的发展。电流体动力学加工技术由静电纺丝和静电喷雾技术所组成,该技术可生产功能复杂的微米/纳米级纤维体或微粒,用于食品功能成分的微胶囊包埋、固定化酶、生物传感器与食品活性包装开发、食品3D打印辅助技术等开发。未来研究可以围绕提升纤维体/微粒产量,减少溶剂毒性残留,该技术与食品3D打印融合等方面,助力未来食品工业发展。

超临界流体技术在超微粒子制备中的应用

介绍了超临界流体技术在超微粒子制备中的原理和方法 ,给出了此技术在高分子材料、无机和有机材料方面的应用实例 。

纤维微细化技术研究进展

微细化纤维素具有低聚合度和较大的比表面积等特殊性质,作为功能材料被广泛应用于医药、食品、化妆品以及轻化工行业。本文综述了微细化纤维的性质、应用及其制备技术,并分析和展望了纤维素微细化技术的开发前景。

超微粉碎技术及其设备在粮油加工中的应用

超微粉碎技术作为一种新型的食品加工方法,已受到普遍关注。对超微粉碎加工的基本概念及其特点进行了简介,重点概述了几种超微粉碎设备,介绍了超微粉碎技术及其设备在粮油加工中的应用及存在问题。

微米木纤维模压制品形成的试验装备与工艺

研究微米木纤维模压制品形成的专用模压设备,阐述试验方法,介绍初步的模压工艺。根据其方法可制备密度达1.30g·cm-3、握钉力达2450N、孔深50mm以上的压制木零件,超过现有纤维或刨花制品的性能。本文提出的微米木纤维模压制品工艺方法,可以制备具有超高密度和超高强度的异型曲面零件,一次成型,提高原料利用率,并简化异型曲面零件加工工序。将细胞裂解理论、微米切削技术转化到工程应用,有效利用了废劣材、次小薪材,通过细胞重组和模压成型,提高了木材出材率。文中给出试验的初步工艺参数是经过多次试验获得的宝贵经验,对有志于该方向的产品开发将起到重要的借鉴和推动作用。

亚微米HMX/FPM_(2602)超细混合炸药的制备工艺研究

采用"超声波、助剂-溶液-水悬浮-蒸馏-成型"和超临界流体反溶剂(SAS)包覆技术研究了亚微米奥克托今(HMX)/氟橡胶(FPM2602)混合炸药造型粉的制造工艺,并用组分分析、扫描电镜(SEM)和傅立叶变换红外光谱(FT-IR)等方法进行了表征,对两种制备工艺得到的混合炸药的起爆性能进行了测试。结果表明,超声波、助剂-溶液-水悬浮-蒸馏-成型由于自身的一些缺点不适合制备超细混合炸药;而SAS包覆技术适合制备超细混合炸药,是一种绿色环保技术。

超细煤粉再燃技术的探讨

煤粉再燃是一种投资不高的脱硝技术 ,其脱硝率可达 5 0 %～ 70 %。着重阐述了采用超细煤粉作为二次燃料的再燃技术的原理 ,以及超细煤粉再燃技术的发展状况 ,并分析了在我国采用超细煤粉再燃技术的可行性和发展前景。

球磨微细化处理在植物性原料微粉制备中的应用研究

球磨微细化处理在植物性原料微粉制备中的研究和应用日益广泛。介绍了球磨微细化处理对植物性原料微粉品质特性的影响,以及微粉制备过程中工艺参数的优化。研究颗粒形貌变化与粒径大小、粒度分布的关系以及形貌的变化,对能耗的影响具有重要意义;采用前期剪切粉碎后期球磨处理的组合方式,可缩短原料的球磨时间,降低能耗。

亚微米级ε型CL-20的制备、表征与性能

采用超临界气体抗溶剂(gasanti-solvent,GAS)技术制备了平均粒径为721.9nm的亚微米级ε型六硝基六氮杂异伍兹烷(CL-20),应用傅立叶变换红外光谱(Fourier translation infrared spectrum,FT-IR),对亚微米级CL-20的晶型进行了鉴别,并进行了小隔板试验、撞击感度和爆发点测试。研究结果表明,细化后的亚微米级ε型CL-20冲击波感度的隔板厚度降低了58.6%,撞击感度的特性落高提高了84.1%,而爆发点保持不变。

前混合水射流超细粉碎煤粒的试验研究

以山西西山煤样为原料,开发了一种适合于煤炭物性的前混合水射流超细煤粉试验装置,研究了加载压力、循环碰撞次数和浓度对超细煤粉大小及分布的影响,并利用激光粒度仪对所得超细煤粉进行了粒度分析,用ξ电位实验研究了超细煤粉颗粒悬浮体系的分散性.试验表明,采用角形喷嘴淹没水射流技术,可以在循环碰撞为3～4次、加载压力为43～50MPa的工艺条件下将料浆比为25%～35%的煤粒粉碎至d50<22.6μm,为采用前混合水射流方法粉碎煤炭制备高性能水煤浆燃料提供了理论基础和关键技术.

微/纳机电系统

微机电系统 (MEMS)和纳机电系统 (NEMS)是微米 /纳米技术的重要组成部分。MEMS已在产业化道路上发展 ,NEMS还处于基础研究阶段。分析了微 /纳机电系统的发展特点 ,简要地介绍了典型的MEMS和NEMS器件及系统后 。

超细煤粉再燃技术及其低NO_x排放分析

超细煤粉再燃技术是燃煤电站实现低NOx排放的关键技术之一.结合超细煤粉再燃机理,对低NOx排放的主要影响因素:燃料特性、煤粉细度、在再燃区的停留时间、再燃区反应温度、再燃燃料比和过量空气系数等进行了综合分析,得出了只要燃烧条件选择合理,采用低挥发分的烟煤代替高挥发分的烟煤或褐煤作为再燃燃料也是可行的结论.

球磨法微细化马铃薯淀粉工艺优化

目的利用球磨设备对普通食用级马铃薯淀粉进行微细化加工,研究不同微细化条件对马铃薯淀粉微细化效果的影响。方法采用二次正交旋转回归试验对微细化工艺进行优化,通过得到的二次正交旋转回归方程,确定影响微细化结果的各因素的主次顺序依次为:球磨时间、球磨机转速、淀粉液浓度。结果经试验最后确定马铃薯淀粉微细化的最适宜条件为以无水乙醇为球磨介质,球磨时间24 h,球磨机转速350 r/min,淀粉液浓度0.35 g/mL。结论二次正交回归旋转组合试验结果表明,影响马铃薯淀粉微细化工艺的各因素的主次顺序依次为:球磨时间、球磨机转速和淀粉液浓度;最佳条件下得到的淀粉粒度为11.019μm,回归模型预测值偏差为2.7%,预测精度较高。

耐沾污性建筑外墙涂料的研究

从外墙涂料的污染原因出发,分析了提高建筑外墙涂料耐沾污性的几种措施,综述了国内外耐沾污涂料的理论研究和现状,讨论了荷叶效应、自分层技术、微粉化技术以及光催化效应等方法在制备耐沾污性建筑外墙涂料中的优势和存在的问题,指出了制备耐沾污性建筑外墙涂料的方向。

底层相关的VLSI高层次设计策略

在 VL SI系统设计、行为设计和逻辑设计过程中 ,未考虑到的与半导体制造工艺有关的因素 (如延迟、功耗问题等 )严重影响设计结果的性能 ,以至使物理设计结果的性能远离原来的设计目标 .针对这个问题 ,文中提出与底层有关的 VL SI高层次设计策略 ,将影响性能的底层参数和信息引入高层次设计中 。