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Sub-nm ruthenium cluster catalyst for decomposition as an efficient and robust and synthesis of ammonia: Break the "size shackles" 被引量:3
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作者 Jinpeng Li Weiyang wang +10 位作者 Wenxing Chen Qinmei Gong Jun Luo Ruoqian Lin Huolin Xin Hui Zhang Dingsheng wang Qing Peng Wei Zhu Chen Chen Yadong Li 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期4774-4785,共12页
Downsizing to sub-nm is a general strategy to reduce the cost of catalysts. However, theoretical Wulff-constructed model suggests that sub-nm clusters show little activity for various reactions such as ammonia decompo... Downsizing to sub-nm is a general strategy to reduce the cost of catalysts. However, theoretical Wulff-constructed model suggests that sub-nm clusters show little activity for various reactions such as ammonia decomposition and ammonia synthesis because of the lack of active sites. As clusters may deviate from the ideal model construction under reaction conditions, a host-guest strategy to synthesize thermally stable 1.0 run monodispersed Ru dusters by the pyrolysis of MIL-101 hosts is reported here to verify the hypothesis. For ammonia decomposition, the activity of the Ru clusters is 25 times higher than that of commercial Ru/active carbon (AC) at full-conversion temperature, while for ammonia synthesis, the activity of the Ru dusters is 500 times as high as that of promoted Ru NPs counterpart. The catalyst also maintains its activities for 40 h without any increase in the size. This model can be used to develop a host-guest strategy for designing thermally stable sub-nm clusters to atomic-efficiently catalyze reactions. 展开更多
关键词 sub-nm Ru cluster synthesis design ammonia decomposition ammonia synthesis metal-organic frameworks
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宽束离子束刻蚀快速加工金属纳米间隙结构
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作者 曾沛 舒志文 +2 位作者 陈艺勤 段辉高 郑梦洁 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期109-118,共10页
提出并演示了利用宽束离子束刻蚀方法一次性对多个杠铃形金属纳米结构进行“横向抽减”,形成极小纳米间隙,从而实现多个金属纳米间隙结构的快速加工。利用电子束曝光定义图形化抗蚀剂结构,通过传统的金属沉积和湿法剥离将抗蚀剂图案转... 提出并演示了利用宽束离子束刻蚀方法一次性对多个杠铃形金属纳米结构进行“横向抽减”,形成极小纳米间隙,从而实现多个金属纳米间隙结构的快速加工。利用电子束曝光定义图形化抗蚀剂结构,通过传统的金属沉积和湿法剥离将抗蚀剂图案转移至杠铃形金属纳米结构,最后使用宽束离子束刻蚀进行修剪。实验表明,精确控制刻蚀时间可以使杠铃形结构的两个纳米天线间的间隙距离达到10 nm以下,通过结合基于HSQ负性抗蚀剂的图案化工艺,可在HSQ纳米模板上制得悬空金属纳米间隙结构。利用表面结构形貌表征获得刻蚀过程中纳米结构的形态演变规律,并通过系统的实验和模拟验证了悬空金属间隙结构用于表面增强拉曼散射的优势。该方案为多个极小金属纳米间隙结构的一次成型提供了新的思路,在大面积拉曼传感衬底的低成本高效制备方面具有可观的应用前景。 展开更多
关键词 离子束刻蚀 电子束曝光 金属纳米间隙 亚10 nm 拉曼检测
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极薄铁电薄膜J-V曲线温度特性的研究
3
作者 王宁章 鲍军波 +4 位作者 陈涛 冯汉华 黄新堂 袁润章 李兴教 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第6期453-456,共4页
用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜 BIT/ p- Si(10 0 )和 PZT/ p- Si(10 0 ) ,借助于 X-射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了薄膜的显微结构 ,并对这两种极薄铁电薄膜 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )和 Au/ PZT/ p- Si(10 0 )的 J- V... 用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜 BIT/ p- Si(10 0 )和 PZT/ p- Si(10 0 ) ,借助于 X-射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了薄膜的显微结构 ,并对这两种极薄铁电薄膜 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )和 Au/ PZT/ p- Si(10 0 )的 J- V曲线温度特性进行了拟合分析讨论。模拟分析结果表明 ,在负温区 ,电流密度 J对温度 T有较强的依赖关系 ,但与通常欧姆电流温度关系不同。而在正温区 ,服从 J=K V2 关系 ,ε和 SCL C电流密度 J则与温度 展开更多
关键词 铁电薄膜 电流温度特性 半导体材料
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亚50 nm台阶高度标准物质的可控制备及定值研究 被引量:2
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作者 张雅馨 王琛英 +2 位作者 景蔚萱 施玉书 蒋庄德 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期86-93,共8页
纳米台阶高度标准物质可以传递准确、可溯源的纳米高度量值。针对我国缺乏可控的高质量亚50 nm台阶高度标准物质制备技术的问题,提出了基于原子层沉积结合湿法刻蚀的纳米台阶高度标准物质研制方法,通过工艺过程优化实现了台阶高度亚纳... 纳米台阶高度标准物质可以传递准确、可溯源的纳米高度量值。针对我国缺乏可控的高质量亚50 nm台阶高度标准物质制备技术的问题,提出了基于原子层沉积结合湿法刻蚀的纳米台阶高度标准物质研制方法,通过工艺过程优化实现了台阶高度亚纳米量级精确可控,制备出了最小公称高度仅为5 nm的亚50 nm台阶高度标准物质系列。其定值结果可溯源到米定义波长基准,扩展不确定度不超过2.0 nm,均匀性和稳定性较好,不同测试仪器一致性水平较高。研究结果表明,所研制的纳米台阶高度标准物质可以用于亚50 nm高度量值传递以及多种测量仪器之间量值的比对测量,其产业化批量生产的前景也将为半导体产业提供完善的计量保障。 展开更多
关键词 台阶高度标准物质 亚50 nm 原子层沉积技术(ALD) 计量学
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微弱光谱信号低噪声信息获取和处理技术研究 被引量:2
5
作者 张昕 丁雷 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第4期575-580,共6页
对温室气体进行全球范围的高精度监测,获取高可靠有效数据,是实现对温室气体排放进行监控的基础。为了实现温室气体的亚纳米高光谱分辨率光谱探测,需要保证高光谱温室气体监测仪探测系统具有高信噪比。围绕仪器信号链路的关键模块——In... 对温室气体进行全球范围的高精度监测,获取高可靠有效数据,是实现对温室气体排放进行监控的基础。为了实现温室气体的亚纳米高光谱分辨率光谱探测,需要保证高光谱温室气体监测仪探测系统具有高信噪比。围绕仪器信号链路的关键模块——InGaAs面阵探测器的信息获取与处理模块,开展了微弱光谱信号低噪声信息获取和处理技术的研究。设计了微弱光谱信号低噪声信息获取和处理系统,并深入研究了影响光谱探测系统噪声的重要因素。通过构建谱段信噪比模型,并采用小带宽运放电路和AD多次采样方法降低电路噪声,系统在1.61μm谱段0.07nm光谱分辨率下,典型能量值为1.91W/(μm·m^2·sr),信噪比(SNR)达340。实验结果表明,系统噪声均方差(RMS)值为8.1LSB,优于10LSB(4.9mV噪声),实现了高光谱温室气体监测仪对亚纳米微弱光谱信号探测的高信噪比需求。该低噪声信号获取与处理技术为InGaAs面阵探测器在温室气体监测应用领域的微弱光谱信号探测打下了基础。 展开更多
关键词 微弱光谱信号 亚纳米高光谱分辨率 信息获取电路 低噪声 面阵探测器
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亚65nm及以下节点的光刻技术 被引量:1
6
作者 徐晓东 汪辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期921-925,共5页
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光... 由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。 展开更多
关键词 亚65nm 浸入式光刻 极紫外线 电子束直写 分辨率增强技术
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考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型
7
作者 张大伟 章浩 +1 位作者 余志平 田立林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期12-15,88,共5页
在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一... 在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。 展开更多
关键词 二维量子力学效应 WKB理论 全解析电荷模型 亚50纳米 金属氧化物半导体场效应晶体管
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牛血清蛋白-Au配合物及其复合物制备及表征
8
作者 王圣琼 孙畅 +4 位作者 陶春先 韩朝霞 洪瑞金 林辉 张大伟 《光学仪器》 2018年第1期13-18,共6页
以牛血清蛋白(bovine serum albumin,BSA)、氯金酸(HAuCl4)、NaOH等为原料,采用一锅合成法制备了牛血清蛋白-Au配合物(BSA-Au),观察到了样品的宽带红光荧光发射。通过库仑力作用将BSA-Au与表面带有正电荷的金纳米颗粒进行复合,对纳米复... 以牛血清蛋白(bovine serum albumin,BSA)、氯金酸(HAuCl4)、NaOH等为原料,采用一锅合成法制备了牛血清蛋白-Au配合物(BSA-Au),观察到了样品的宽带红光荧光发射。通过库仑力作用将BSA-Au与表面带有正电荷的金纳米颗粒进行复合,对纳米复合物的吸收光谱及荧光光谱特性进行了研究。实验结果表明,在本实验条件下,金纳米颗粒虽然增强了复合物样品在可见光区域的光吸收,但对BSA-Au红光发光有猝灭作用。 展开更多
关键词 牛血清蛋白 亚纳米尺度金簇 荧光光谱
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二维量子力学效应对阈值电压的影响
9
作者 张婷 代月花 高珊 《电脑知识与技术(过刊)》 2007年第20期494-495,共2页
在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量... 在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量子力学效应的全解析模型.由此模型可以得到二维量子力学修正和沟道长度以及其它器件参数的关系.与数值模拟结构比较可以得出如下结论:在亚50nm的MOSFET中,量子力学效应引入了阈值电压的修正是不可忽略的.且此全解析模型精度令人满意. 展开更多
关键词 二维量子力学效应 WKB理论 全解析模型 亚50nmMOSFET
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基于SNMP协议的CSG-T3000网管软件的服务端子系统设计
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作者 杨震斌 许强 方成 《重庆文理学院学报(社会科学版)》 2014年第5期125-127,133,共4页
基于网络管理的实际需求及通信产品的多样性,在明确的设计策略指导下设计了科大智能CSG-T3000网管软件的系统架构,其中针对服务端子系统进行详细的设计说明,按照此架构设计研发的网管系统经实际应用检验,完全达到基于应用的设计需求.
关键词 SNMP 网管软件 服务端子系统 数据库
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一种新型软X射线气溶胶荷电器的开发与评测
11
作者 王东滨 薛墨 +1 位作者 陈小彤 蒋靖坤 《大气与环境光学学报》 CAS CSCD 2020年第6期429-437,共9页
现有荷电器对1~3 nm气溶胶的通过效率和荷电效率都较低。研发了一种新型软X射线气溶胶双极荷电器,通过结构设计的改进极大地提高了3 nm以下气溶胶的通过效率,同时该荷电器对不同粒径气溶胶的本征荷电效率仍与现有荷电器相近。实验室评... 现有荷电器对1~3 nm气溶胶的通过效率和荷电效率都较低。研发了一种新型软X射线气溶胶双极荷电器,通过结构设计的改进极大地提高了3 nm以下气溶胶的通过效率,同时该荷电器对不同粒径气溶胶的本征荷电效率仍与现有荷电器相近。实验室评测结果表明:在1 L·min-1流量下,新型荷电器对3 nm以下不同粒径气溶胶的通过效率与TSI 3088软X射线荷电器相比可提高175%~300%;在2.5 L·min-1流量下,可提高115%~173%。同时,新型荷电器对10~40 nm及3 nm以下气溶胶的本征荷电效率与目前广泛使用的Fuchs稳态理论近似公式计算得出的荷电效率及其他类似荷电器的实测荷电效率基本吻合。相对于现有的商业荷电器,该新型荷电器对3 nm以下气溶胶有着更高的表观荷电效率,具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 气溶胶荷电器 软X射线 3 nm以下气溶胶 通过效率 荷电效率
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1550nm数字电视长距离传输网的设计和实施
12
作者 殷军 《中国有线电视》 2007年第1期35-38,共4页
在丽水市建立有线数字电视服务平台后,需要将有线数字电视传输到丽水市各县(市)、乡镇乃至农户家里,实现有线数字电视的全市覆盖。从丽水市的实际出发,提出利用SDH传输网和1550nm射频副载波调制干线光传输相结合的方法覆盖全市8个... 在丽水市建立有线数字电视服务平台后,需要将有线数字电视传输到丽水市各县(市)、乡镇乃至农户家里,实现有线数字电视的全市覆盖。从丽水市的实际出发,提出利用SDH传输网和1550nm射频副载波调制干线光传输相结合的方法覆盖全市8个县(市)的具体方案。 展开更多
关键词 数字电视 SDH传输网 1550 nm射频副载波调制干线光传输 掺铒光纤放大器
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后Tenon′s囊下注射曲安奈德联合532激光治疗弥漫性糖尿病性黄斑水肿临床观察
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作者 项岳晖 高潮 +1 位作者 张范 赵丽 《临床医药实践》 2011年第6期417-420,共4页
目的:评价后Tenon′s囊下注射曲安奈德联合532激光治疗糖尿病性黄斑水肿(DME)的临床疗效。方法:对24例39眼伴有DME的糖尿病视网膜病变(DR)的患者给予后Tenon′s囊下注射曲安奈德30 mg 1次,2周后,采用532激光进行黄斑格栅光凝以及... 目的:评价后Tenon′s囊下注射曲安奈德联合532激光治疗糖尿病性黄斑水肿(DME)的临床疗效。方法:对24例39眼伴有DME的糖尿病视网膜病变(DR)的患者给予后Tenon′s囊下注射曲安奈德30 mg 1次,2周后,采用532激光进行黄斑格栅光凝以及全视网膜光凝,再间隔2周后分析患者视力、眼底荧光造影、眼压以及并发症情况。结果:随访3~18个月,39眼中22眼(56.4%)视力稳定;13眼视力提高(33.3%),4眼视力下降(10.2%);荧光血管造影(FFA)眼底荧光造影检查,39眼中23眼黄斑水肿消退(59.0%),13眼部分消退(33.3%),另外有3眼无变化或者加重(7.7%)。39眼中除有2眼出现眼压升高症状,4眼出现晶状体混浊轻度加重外,无其他并发症出现。结论:后Tenon′s囊下注射曲安奈德联合532激光治疗DME是行之有效的治疗方法,有助于黄斑水肿的消退以及视力的提高,并且有并发症少等特点。 展开更多
关键词 后Tenon′s囊下注射 曲安奈德 弥漫性糖尿病性黄斑水肿 532激光光凝 临床观察
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Generating a sub-nanometer-confined optical field in a nanoslit waveguiding mode 被引量:1
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作者 Liu Yang Zhanke Zhou +6 位作者 Hao Wu Hongliang Dang Yuxin Yang Jiaxin Gao Xin Guo Pan Wang Limin Tong 《Advanced Photonics》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期33-41,共9页
We propose to generate a sub-nanometer-confined optical field in a nanoslit waveguiding mode in a coupled nanowire pair(CNP).We show that,when a conventional waveguide mode with a proper polarization is evanescently c... We propose to generate a sub-nanometer-confined optical field in a nanoslit waveguiding mode in a coupled nanowire pair(CNP).We show that,when a conventional waveguide mode with a proper polarization is evanescently coupled into a properly designed CNP with a central nanoslit,it can be efficiently channeled into a high-purity nanoslit mode within a waveguiding length<10μm.The CNP can be either freestanding or on-chip by using a tapered fiber or planar waveguide for input-coupling,with a coupling efficiency up to 95%.Within the slit region,the output diffraction-limited nanoslit mode offers an extremely confined optical field(∼0.3 nm×3.3 nm)with a peak-to-background ratio higher than 25 dB and can be operated within a 200-nm bandwidth.The group velocity dispersion of the nanoslit mode for ultrafast pulsed operation is also briefly investigated.Compared with the previous lasing configuration,the waveguiding scheme demonstrated here is not only simple and straightforward in structural design but is also much flexible and versatile in operation.Therefore,the waveguiding scheme we show here may offer an efficient and flexible platform for exploring light–matter interactions beyond the nanometer scale,and developing optical technologies ranging from superresolution nanoscopy and atom/molecule manipulation to ultra-sensitivity detection. 展开更多
关键词 sub-nm confined optical field nanoslit evanescent coupling waveguide mode
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亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型 被引量:1
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作者 王冠宇 张鹤鸣 +2 位作者 王晓艳 吴铁峰 王斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期573-581,共9页
本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果... 本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果进行对比分析,证明了本文提出的模型的正确性.最后,还讨论了亚100nm器件中常规工艺对阈值电压的影响.该模型为亚100nm小尺寸应变Si器件的分析设计提供了一定的参考. 展开更多
关键词 亚lOOnm 应变Si/SiGe NMOSFET 二维表面势 阈值电压
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亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型 被引量:1
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作者 孟坚 柯导明 韩名君 《中国科学:信息科学》 CSCD 2013年第11期1496-1510,共15页
本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关... 本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组,求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式.该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同.文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果,计算值与二维数值模拟值高度吻合. 展开更多
关键词 亚90 nm沟道MOSFET 二维电势分布 耗尽层厚度 阈值电压 半解析模型
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一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管 被引量:3
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作者 肖德元 王曦 +8 位作者 俞跃辉 袁海江 程新红 陈静 甘甫烷 张苗 季明华 吴汉明 谢志峰 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第14期2051-2059,共9页
提出一种新型的工作于积累模式、具有混合晶向的圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管器件结构.与目前其他报道的CMOS器件相比,NMOS和PMOS器件沟道具有不同的晶向,且均有埋层氧化层将其与衬底隔离,器件结构简单、紧凑,集成度增加... 提出一种新型的工作于积累模式、具有混合晶向的圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管器件结构.与目前其他报道的CMOS器件相比,NMOS和PMOS器件沟道具有不同的晶向,且均有埋层氧化层将其与衬底隔离,器件结构简单、紧凑,集成度增加了一倍.报道了积累型圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,由于克服了不对称场的积聚,如锐角效应导致的漏电,器件沟道的电完整性得到很大改善.SOI圆柱体全包围栅场效应晶体管在积累工作模式下,电流流过整个圆柱体,具备高载流子迁移率,低低频器件噪声,并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应,增大了器件的阈值电压.亚10nm尺寸下,器件的开/关态电流比值大于106,表明器件具备良好的性能及进一步按比例缩小的能力.另外还简单介绍了器件制作工艺流程,提出的工艺流程具备简单且与常规CMOS工艺流程兼容的特点. 展开更多
关键词 亚10nm器件 混合晶向 无PN结 圆柱体共包围栅 互补金属氧化物 场效应晶体管 器件分析 器件仿真 器件工艺
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超顺排的Bi_(2)O_(3)-多酸亚纳米线薄膜用于锂硫电池中间层 被引量:5
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作者 张思敏 石浩东 +3 位作者 唐军旺 匙文雄 吴忠帅 王训 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第12期2949-2957,共9页
亚纳米线(SNWs)具有类高分子的性质,可以像高分子一样进行加工,而且其组成和结构易于调控,具有丰富的功能.合理设计多组分异质结构SNWs可以进一步提高其功能性,然而目前合成这种SNWs仍然面临着巨大的挑战.本文合成了Bi_(2)O_(3)-多酸异... 亚纳米线(SNWs)具有类高分子的性质,可以像高分子一样进行加工,而且其组成和结构易于调控,具有丰富的功能.合理设计多组分异质结构SNWs可以进一步提高其功能性,然而目前合成这种SNWs仍然面临着巨大的挑战.本文合成了Bi_(2)O_(3)-多酸异质结构SNWs(PMB SNWs),并制备了超顺排的PMB SNWs薄膜(S-PMB SNWs薄膜),该薄膜可以作为中间层,有效抑制多硫化锂(LPSs)的穿梭,从本质上促进LPSs氧化还原转化动力学,并对锂阳极起到保护作用.以S-PMB SNWs膜作为中间层的锂硫(Li-S)电池在850次循环中表现出超低的容量衰减率,每循环一圈只衰减0.013%.本研究证明了这种异质结构的SNWs具有改善锂硫电池性能的潜力. 展开更多
关键词 锂硫电池 容量衰减 异质结构 中间层 锂阳极 纳米线 组成和结构 有效抑制
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亚十纳米导向自组装与深紫外混合光刻技术 被引量:2
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作者 李自力 胡晓华 熊诗圣 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第9期438-453,共16页
光刻图形化工艺对芯片制造乃至于现代信息技术的发展起着至关重要的作用。随着微电子器件关键尺寸的持续微缩,芯片制造工艺日益演进,迫切需要立足国内产业现状,开发用于先进工艺节点的下一代光刻工艺。导向自组装(DSA)光刻技术是一种基... 光刻图形化工艺对芯片制造乃至于现代信息技术的发展起着至关重要的作用。随着微电子器件关键尺寸的持续微缩,芯片制造工艺日益演进,迫切需要立足国内产业现状,开发用于先进工艺节点的下一代光刻工艺。导向自组装(DSA)光刻技术是一种基于热力学微相分离的图形化工艺,具有高通量、高分辨、低成本的特点。本文提出结合深紫外(DUV)光刻技术在引导图形的基础上开发应用于高端芯片制造,与产线兼容的亚十纳米DSA光刻技术,致力解决制约我国集成电路产业发展的“卡脖子”工艺难题。基于此,从DSA机理、材料种类、图形设计、工艺兼容性(涂胶、退火、刻蚀)、成本、缺陷率、应用等方面系统讨论了该技术的发展潜力,并介绍了DSA光刻在300 mm先导线上实施所取得的最新研究进展,充分论证了DSA与DUV相结合的混合光刻技术应用于先进工艺节点的可操作性。最后,对该技术当前存在的挑战和机遇进行了总结与展望。 展开更多
关键词 光刻 导向自组装光刻 深紫外光刻 亚十纳米制造 微电子器件 先进工艺节点
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面向亚5nm图案化含硅嵌段共聚物的合成与自组装 被引量:1
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作者 陶永鑫 陈蕾蕾 +3 位作者 刘一寰 胡欣 朱宁 郭凯 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1445-1458,共14页
嵌段共聚物的合成及其应用是高分子科学领域的研究热点.近年来,国内外学者设计了一系列新型含硅嵌段共聚物,具有较高的Flory-Huggins相互作用参数,在自组装制备亚5 nm特征图案方面取得了重大突破,有望应用于下一代半导体制造.本文总结... 嵌段共聚物的合成及其应用是高分子科学领域的研究热点.近年来,国内外学者设计了一系列新型含硅嵌段共聚物,具有较高的Flory-Huggins相互作用参数,在自组装制备亚5 nm特征图案方面取得了重大突破,有望应用于下一代半导体制造.本文总结了聚二甲基硅氧烷基、聚含硅苯乙烯基和聚倍半硅氧烷基3种类型含硅嵌段共聚物的合成,讨论了在本体和薄膜自组装纳米图案化方面的研究进展,对相关领域存在的挑战与机遇进行了展望. 展开更多
关键词 含硅嵌段共聚物 自组装 纳米光刻 亚5nm FLORY-HUGGINS 相互作用参数
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