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取代基对有机硅化合物等离子体聚合规律的影响
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作者 周茂堂 王世才 +1 位作者 颜文革 陈捷 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期23-27,共5页
在外部电容耦合的辉光放电装置中进行了三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷和三甲基乙烯基硅烷的聚合。研究了体系压力、放电功率、等离子气体(N_2、Ar)及基片距离对淀积速率的影响,重点讨论了取代基的影响。并用元素分析、红外光谱... 在外部电容耦合的辉光放电装置中进行了三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷和三甲基乙烯基硅烷的聚合。研究了体系压力、放电功率、等离子气体(N_2、Ar)及基片距离对淀积速率的影响,重点讨论了取代基的影响。并用元素分析、红外光谱和热重分析等方法研究了聚合物的结构与性能。 展开更多
关键词 取代基 等离子体 含硅高聚合物
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