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Effect of nitrogen on deposition and field emission properties of boron-doped micro-and nano-crystalline diamond films 被引量:1
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作者 L.A.Li S.H.Cheng +3 位作者 H.D.Li Q.Yu J.W.Liu X.Y.Lv 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2010年第3期154-159,共6页
In this paper,we report the effect of nitrogen on the deposition and properties of boron doped diamond films synthesized by hot filament chemical vapor deposition.The diamond films consisting of micro-grains(nano-grai... In this paper,we report the effect of nitrogen on the deposition and properties of boron doped diamond films synthesized by hot filament chemical vapor deposition.The diamond films consisting of micro-grains(nano-grains) were realized with low(high) boron source flow rate during the growth processes.The transition of micro-grains to nano-grains is speculated to be strongly(weekly) related with the boron(nitrogen) flow rate.The grain size and Raman spectral feature vary insignificantly as a function of the nitrogen introduction at a certain boron flow rate.The variation of electron field emission characteristics dependent on nitrogen is different between microcrystalline and nanocrystalline boron doped diamond samples,which are related to the combined phase composition,boron doping level and texture structure.There is an optimum nitrogen proportion to improve the field emission properties of the boron-doped films. 展开更多
关键词 Chemical vapor deposited diamond film Nitrogen effect Boron doping MICROCRYSTALLINE nanocrystalline Electron field emission
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Field emission from Si tips coated with nanocrystalline diamond films
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作者 王万录 《Journal of Chongqing University》 CAS 2003年第2期39-42,共4页
The electron field emission from Si tips coated with nanocrystalline diamond films was investigated. The Si tips were formed by plasma etching, and nano-diamond films were deposited on the Si tips by hot filament chem... The electron field emission from Si tips coated with nanocrystalline diamond films was investigated. The Si tips were formed by plasma etching, and nano-diamond films were deposited on the Si tips by hot filament chemical vapor deposition. The radius of curvature for the Si tips was averagely about 50 nm. The microstructure of the diamond films was examined by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy. The field emission properties of the samples were measured in an ion-pumped vacuum chamber at a pressure of 106 Pa. The experimental results showed that the nanostructured films on Si tips exhibited a lower value of the turn-on electric field than those on flat Si substrates. It was found that the tip shape and non-diamond phase in the films had a significant effect on the field emission properties of the films. 展开更多
关键词 nanocrystalline diamond field emission Sitips CVD diamond films
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低成本高结晶GaN纳米线柔性薄膜制备及其场发射性能
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作者 王如志 张京阳 +2 位作者 杨孟骐 王佳兴 郑坤 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1038-1048,共11页
旨在探究非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂在柔性碳膜上制备高结晶的GaN纳米线的可行性,并研究其场发射特性及机理。采用非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂,在柔性碳膜上制备了直径为20~100 nm、长度为3~15μm的高结晶的GaN纳米线,并... 旨在探究非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂在柔性碳膜上制备高结晶的GaN纳米线的可行性,并研究其场发射特性及机理。采用非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂,在柔性碳膜上制备了直径为20~100 nm、长度为3~15μm的高结晶的GaN纳米线,并通过工艺参数对其结构与尺寸进行调控,得到GaN纳米线薄膜的催化生长机制。通过对其场发射特性进行研究,发现其场发射性能与其纳米结构紧密相关,催化剂厚度以及薄膜弯曲状态可显著影响其场发射性能。结果表明,采用Cu作为催化剂所制备的GaN纳米线柔性薄膜的场发射电流具有较好的稳定性。该研究为GaN纳米线的低成本制备方法提供了可借鉴思路,同时也为场发射柔性器件的制作提供了可行的技术手段。 展开更多
关键词 氮化镓(gan) 纳米线 场发射 柔性薄膜 CU催化剂 低成本制备
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不同衬底对金刚石-石墨烯复合薄膜场发射性能影响研究
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作者 韦庆红 张文 +5 位作者 官磊 吴晓雪 刘辉强 汪建 王兵 熊鹰 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期10059-10063,共5页
金刚石薄膜因其高导热性、负电子亲和势、低功函数和长期稳定性的特点被认为是一种很有潜力的场电子发射阴极材料。金刚石薄膜沉积在衬底上后,在不破坏金刚石薄膜自身结构完整性的前提下很难将其剥离。因此在场发射性能测试中一般是将... 金刚石薄膜因其高导热性、负电子亲和势、低功函数和长期稳定性的特点被认为是一种很有潜力的场电子发射阴极材料。金刚石薄膜沉积在衬底上后,在不破坏金刚石薄膜自身结构完整性的前提下很难将其剥离。因此在场发射性能测试中一般是将金刚石薄膜和衬底作为整体测试,而衬底和金刚石薄膜间存在界面势垒,界面势垒对场发射性能的影响不可忽略。目前针对金刚石薄膜与衬底界面对场发射性能影响的研究相对较少,需要更多的关注和研究。分别以单晶硅、金属铌、金属钼为衬底,采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法生长制备了金刚石-石墨烯复合薄膜。对金刚石-石墨烯复合薄膜微观形貌、成分含量等进行了表征并研究了其场发射性能。研究结果表明,不同衬底对复合薄膜场发射性能影响显著,以金属铌衬底制备的复合薄膜表现出低开启场(E_(0)=2.5 V/μm)和较高发射电流密度(J@5.3 V/μm=1.9 mA/cm^(2))。此研究为获得更优场发射性能的金刚石-石墨烯复合薄膜提供了新的思路。 展开更多
关键词 电子场发射 金刚石-石墨烯复合薄膜 不同衬底 MPCVD
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大面积碳纳米管薄膜的低温制备与表征 被引量:9
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作者 刘兴辉 朱长纯 +1 位作者 田昌会 刘卫华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期590-592,共3页
 采用研制的大体积射频等离子体红外加热化学气相沉积设备,在600℃的低温下,在5cm×5cm大的Ni片上生长出碳纳米管薄膜。扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察显示,碳纳米管薄膜具有很好的均匀性,管径大约为70~90nm。随机地对样品的3...  采用研制的大体积射频等离子体红外加热化学气相沉积设备,在600℃的低温下,在5cm×5cm大的Ni片上生长出碳纳米管薄膜。扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察显示,碳纳米管薄膜具有很好的均匀性,管径大约为70~90nm。随机地对样品的3个不同区域进行了场发射特性的测试,结果表明这种薄膜具有良好的场发射特性及一致性。开启电场约为2.4V/μm,在电场为6.6V/μm时的发射电流密度达到1635μA/cm2。实验结果表明在低温条件下,大面积生长场发射用碳纳米管薄膜是可行的。 展开更多
关键词 碳纳米管 大面积Ni衬底 化学气相沉积 场致发射特性
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大面积印刷纳米金刚石薄膜的场致发射的研究 被引量:3
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作者 张秀霞 朱长纯 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1488-1490,共3页
研制了特定比例的纳米金刚石浆料,采用了丝网印刷工艺在石墨衬底上大面积印制了纳米金刚石场发射薄膜,实验探索了石墨衬底纳米金刚石薄膜的烧结工艺和后处理过程,利用扫描电镜(SEM)观察了纳米金刚石膜的表面形貌,经后处理的薄膜中纳米... 研制了特定比例的纳米金刚石浆料,采用了丝网印刷工艺在石墨衬底上大面积印制了纳米金刚石场发射薄膜,实验探索了石墨衬底纳米金刚石薄膜的烧结工艺和后处理过程,利用扫描电镜(SEM)观察了纳米金刚石膜的表面形貌,经后处理的薄膜中纳米金刚石露出薄膜表面,纳米金刚石的棱角是天然的发射体。采用本课题组研制的多功能场发射测试台在10-6Pa的真空条件下进行了场发射特性的测试,结果发现石墨上低成本大面积印刷的纳米金刚石薄膜具有均匀稳定的场发射特性,作为电子器件的理想冷阴极发射,可在宇宙飞船、原子反应堆等恶劣条件下工作的平面显示器中得到应用。 展开更多
关键词 纳米金刚石薄膜 场发射特性 丝网印刷 大面积石墨衬底
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基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响 被引量:1
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作者 顾广瑞 李英爱 +5 位作者 林景波 李全军 李哲奎 郑伟涛 赵永年 金曾孙 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期513-516,共4页
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si(0.008~0.02Ω.m)基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相.在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大,阈值电场随基... 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si(0.008~0.02Ω.m)基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相.在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大,阈值电场随基底偏压的增加先增加后减小.基底偏压为-140V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品,阈值电场低于8V/μm.F^N曲线表明,在外加电场的作用下,电子隧穿BN薄膜表面势垒发射到真空. 展开更多
关键词 BN薄膜 场发射 偏压 粗糙度
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基于单壁碳纳米管与镍基底的超声纳米焊接及场发射性能研究(英文)
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作者 刘璇 王亚荣 +3 位作者 李必奎 王鹏波 王世明 张亚非 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期379-383,共5页
超声纳米焊接技术被用来改善单壁碳纳米管(SWNTs)的场发射性能.利用电泳沉积的方法将SWNTs沉积在镍衬底上形成SWNT薄膜.将沉积有SWNT薄膜的样品进行超声纳米焊接.在高频超声能量和压紧力的共同作用下,金属镍首先发生软化,使得SWNTs很容... 超声纳米焊接技术被用来改善单壁碳纳米管(SWNTs)的场发射性能.利用电泳沉积的方法将SWNTs沉积在镍衬底上形成SWNT薄膜.将沉积有SWNT薄膜的样品进行超声纳米焊接.在高频超声能量和压紧力的共同作用下,金属镍首先发生软化,使得SWNTs很容易埋入镍中,从而两者形成了可靠的连接.扫描电子显微镜形貌图展示了SWNTs被嵌入了镍金属层中.作为稳定的发射极,焊接后的样品展现出了更加优异的场发射性能:较低的开启电压、较高的发射电流密度和更加稳定的发射电流.这主要是因为焊头表面的小突起更有利于SWNTs的端部翘起,小的接触电阻有助于电子发射的结果.大面积纳米焊接技术的使用可提高纳米焊接效率,加速大规模制备SWNT场致发射阴极. 展开更多
关键词 超声纳米焊接 单壁碳纳米管薄膜 镍基底 场发射性能 尖端 接触电阻
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大面积纳米金刚石薄膜的制备及场发射性能 被引量:4
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作者 周文龙 张铭 +1 位作者 宋雪梅 严辉 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2844-2848,共5页
以CH4和H2为反应气,采用微波等离子体增强化学气相沉积方法在直径为10 cm的硅原片上制备纳米金刚石薄膜。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电镜和原子力显微镜对薄膜的组成结构及性能进行表征。结果表明:薄膜的平均晶粒尺寸约为13.8 nm,... 以CH4和H2为反应气,采用微波等离子体增强化学气相沉积方法在直径为10 cm的硅原片上制备纳米金刚石薄膜。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电镜和原子力显微镜对薄膜的组成结构及性能进行表征。结果表明:薄膜的平均晶粒尺寸约为13.8 nm,厚度可达10.8μm,表面粗糙度约为11.8 nm;其拉曼光谱是典型的纳米金刚石薄膜的特征峰峰形,同时在高真空条件下对所制备的薄膜样品进行场发射性能测试。 展开更多
关键词 纳米金刚石薄膜 拉曼图谱 表面粗糙度 场发射性能
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基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响 被引量:2
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作者 孙文斗 顾广瑞 +4 位作者 孙龙 李全军 李哲奎 盖同祥 赵永年 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期251-254,共4页
利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大... 利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响.基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜,阈值电场为12V/μm,电场升到34V/μm,场发射电流为280μA/cm2.所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的. 展开更多
关键词 场发射 基底温度 表面粗糙度 氮化硼薄膜 射频磁控溅射 隧道效应
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衬底温度对氧化锌薄膜场发射性能的影响 被引量:1
11
作者 李军 王如志 +1 位作者 王波 严辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期473-477,共5页
利用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的氧化锌(ZnO)薄膜。研究了其场发射特性,分析了场发射特性和衬底温度的变化关系。实验结果表明,开启电场随着衬底温度的增加呈先增大后减小的趋势,场发射特性的变化是由于衬底温度的改变引起表面... 利用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的氧化锌(ZnO)薄膜。研究了其场发射特性,分析了场发射特性和衬底温度的变化关系。实验结果表明,开启电场随着衬底温度的增加呈先增大后减小的趋势,场发射特性的变化是由于衬底温度的改变引起表面形貌的变化所致。衬底温度为300℃时沉积的ZnO薄膜样品粗糙度最小,场发射性能最差,其开启场强为1.7V/μm,场强为3.8V/μm时电流密度仅为0.00197A/cm2;衬底温度为400℃时沉积的ZnO薄膜样品表面粗糙度最大,场发射特性也优于其他薄膜;开启场强为0.82V/μm,场强为3.8V/μm时电流密度稳定在0.03A/cm2。Fowler-Nordheim(F-N)曲线为直线表明,电子是在外加电场的作用下隧穿表面势垒束缚发射到真空的。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 场发射 衬底温度 表面粗糙度
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应用于场致发射的掺杂纳米金刚石膜的研究 被引量:1
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作者 陈冠虎 汪建华 +2 位作者 熊礼威 翁俊 王文君 《真空》 CAS 北大核心 2011年第3期43-48,共6页
场致发射是一种新型显示技术,具有良好应用前景,场发射显示器的核心内容是场发射阴极材料,纳米金刚石由于低表面粗糙度、低场发射强度、高发射电流密度、大比表面积、网状结构以及高密度悬挂键等优秀电化学性能成为场发射的理想阴极材... 场致发射是一种新型显示技术,具有良好应用前景,场发射显示器的核心内容是场发射阴极材料,纳米金刚石由于低表面粗糙度、低场发射强度、高发射电流密度、大比表面积、网状结构以及高密度悬挂键等优秀电化学性能成为场发射的理想阴极材料。本文阐述了化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜的沉积装置、预处理和工艺参数,并介绍了金刚石掺杂机理和掺入元素的研究现状。 展开更多
关键词 场致发射 纳米金刚石薄膜 掺杂
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纳米金刚石薄膜的制备及场发射研究进展 被引量:3
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作者 何学好 马会中 +1 位作者 王峰 张兰 《光盘技术》 2008年第4期50-51,共2页
纳米金刚石薄膜因具有纳米材料和金刚石的双重性质且易于制备,作为场发射材料在平板显示领域拥有潜在的应用价值,而引起人们的极大兴趣。本文对近年来国内外有关纳米金刚石薄膜的制备、场发射的研究现状进行了综述。
关键词 纳米金刚石薄膜 平板显示器件 场发射 电子亲和势
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铝基定向碳纳米管复合膜的场发射性能研究
14
作者 杜招红 黄冠平 +1 位作者 曾国民 曾效舒 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2010年第2期104-106,共3页
研究了铝基定向碳纳米管复合膜的场发射性能,获得了开启场强为1.15V/μm、最大发射电流密度为1.25mA/cm^2的铝基定向碳纳米管薄膜。F-N曲线呈线性关系证明电子发射确为场致发射。
关键词 铝基定向碳纳米管复合膜 开启场强 阈值电压 场致发射
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不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究 被引量:5
15
作者 陈程程 刘立英 +3 位作者 王如志 宋雪梅 王波 严辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第17期455-461,共7页
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析.结果表明:基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响.在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN... 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析.结果表明:基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响.在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜,其场发射性能得到显著提升,其场发射电流可以数量级增大.场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应.本研究结果表明,要获得优异性能场发射薄膜,合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑. 展开更多
关键词 基底 gan 纳米薄膜 场发射
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锌漆薄膜/2Cr13钢基体系统薄膜裂纹试验与模拟
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作者 张华 王悦 +1 位作者 杨健 李启亮 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期938-945,共8页
本文采用试验和数值模拟方法研究锌漆薄膜/2Cr13钢基体系统薄膜开裂和裂纹扩展情况。创新性地使用三点弯曲试验结合声发射技术监测到薄膜裂纹萌生时刻,并计算薄膜断裂韧性。采用扩展有限元法研究三点弯曲作用下薄膜裂纹扩展过程,发现模... 本文采用试验和数值模拟方法研究锌漆薄膜/2Cr13钢基体系统薄膜开裂和裂纹扩展情况。创新性地使用三点弯曲试验结合声发射技术监测到薄膜裂纹萌生时刻,并计算薄膜断裂韧性。采用扩展有限元法研究三点弯曲作用下薄膜裂纹扩展过程,发现模拟得到的荷载-位移曲线与试验曲线相吻合。模拟结果表明,薄膜裂纹尖端区域存在应力峰值,当该值达到损伤判据临界应力时,裂纹发生扩展。同时,对多种因素影响下薄膜周期裂纹无量纲能量释放率进行分析,发现薄膜厚度一定时,薄膜相对于基体刚度越大,半无限基体上薄膜裂纹前缘达到稳定状态时对应的基体厚度与裂纹间距越大。 展开更多
关键词 锌漆薄膜 2Cr13钢基体 声发射 薄膜断裂韧性 裂纹尖端应力场 扩展有限元法 无量纲能量释放率
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