期刊文献+
共找到24篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
连续离子层吸附与反应法(SILAR)生长ZnO多晶薄膜的研究 被引量:5
1
作者 高相东 李效民 于伟东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期610-616,共7页
采用连续离子层吸附与反应法(SILAR),以锌氨络离子([Zn(NH_3)_4]^(2+))为前驱体溶液,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以XRD和SEM等手段分析了薄膜的晶体结构和表面、断面形貌,考察了空气气氛下的退火过程对ZnO薄膜晶体结构与微观形貌的影响... 采用连续离子层吸附与反应法(SILAR),以锌氨络离子([Zn(NH_3)_4]^(2+))为前驱体溶液,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以XRD和SEM等手段分析了薄膜的晶体结构和表面、断面形貌,考察了空气气氛下的退火过程对ZnO薄膜晶体结构与微观形貌的影响,并初步探讨了以SILAR方法沉积ZnO薄膜的机理.结果表明,经200次SILAR沉积循环,所得ZnO薄膜为红锌矿结构的多晶薄膜,沿<002>方向择优生长;薄膜表面致密、光滑均匀,厚度约800nm.退火处理使ZnO薄膜氧缺位减少,晶粒沿c轴取向增强;随退火温度升高,锌间隙原子增加;500℃退火时,ZnO薄膜发生再结晶.减小前驱体溶液的[NH_3·H_2O]/[Zn^(2+)]比率可提高ZnO薄膜生长速率. 展开更多
关键词 ZNO 薄膜 连续离子层吸附与反应方法(silar)
下载PDF
连续离子层吸附反应(SILAR)法制备AgGaS_2纳米薄膜及性能表征 被引量:1
2
作者 黄毅 张建军 尔古打机 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1333-1337,共5页
采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,通过500℃退火在玻璃衬底上制备出AgGaS2纳米薄膜。使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、紫外可见(UV-Vis)谱和光致发光(PL)谱等对纳米薄膜的物相、形貌、化学配比和光学性能进行了定... 采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,通过500℃退火在玻璃衬底上制备出AgGaS2纳米薄膜。使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、紫外可见(UV-Vis)谱和光致发光(PL)谱等对纳米薄膜的物相、形貌、化学配比和光学性能进行了定性和定量表征。XRD测试结果表明,实验获得产物为黄铜矿结构AgGaS2,并观测到(112)面和(224)面。使用Scherrer公式估算了AgGaS2产物的晶粒平均粒度大小约为30 nm。SEM观测到的AgGaS2纳米薄膜外形均匀一致,沉积紧密,薄膜沉积的纳米平均颗粒直径约为18~26 nm。EDS测试结果显示AgGaS2纳米薄膜中Ag、Ga和S三元素的原子相对百分含量为25.12%,26.66%和49.93%,其化学计量比几近于1:1:2物质的量比。通过紫外可见透过光谱得到截止波长为470.1 nm,禁带宽度为2.64 eV。室温PL测试发现发光中心在456 nm,与AgGaS2晶体发光中心相比产生了约40 nm的蓝移。以上结果充分表明SILAR法是一种制备AgGaS2纳米薄膜的有效方式。 展开更多
关键词 连续离子层吸附反应法 AgGaS2纳米薄膜
下载PDF
连续离子层吸附反应(SILAR)法制备纳米Cu_2O薄膜
3
作者 胡飞 陈远相 熊玮 《中国陶瓷工业》 CAS 2010年第5期35-38,共4页
采用低温液相薄膜制备工艺--连续离子层吸附反应(SILAR)法,在玻璃衬底上制备了纳米Cu2O薄膜,考察了工艺参数对薄膜质量和薄膜表面形貌的影响,对薄膜的生长速率与反应溶液浓度、反应温度以及循环次数的关系进行了研究和分析。结果表明,... 采用低温液相薄膜制备工艺--连续离子层吸附反应(SILAR)法,在玻璃衬底上制备了纳米Cu2O薄膜,考察了工艺参数对薄膜质量和薄膜表面形貌的影响,对薄膜的生长速率与反应溶液浓度、反应温度以及循环次数的关系进行了研究和分析。结果表明,采用连续离子层吸附反应(SILAR)法有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜,连续离子层吸附反应(SILAR)法可以有效去掉疏松的离子,每次循环吸附反应都能使紧密吸附的离子转化成致密的纳米Cu2O薄膜,这样既有利于纳米Cu2O颗粒的生成,同时减少了污染和降低了成本。试验表明,制备纳米Cu2O薄膜的最佳反应温度为70℃,最佳反应溶液浓度均为1 mol/L,纳米Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数的增加而增加,循环40次可制得厚度为0.38μm的薄膜。经XRD和SEM测试,所制备的薄膜纯度高,表面平整且致密,Cu2O颗粒大小约为100 nm。 展开更多
关键词 连续离子层吸附反应法 氧化亚铜薄膜 纳米颗粒
下载PDF
SILAR法制备TiO_2/CdS/Co-Pi水氧化光阳极及其性能
4
作者 周丽 刘欢欢 +1 位作者 杨玉林 强亮生 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2731-2736,共6页
采用连续离子层吸附法(SILAR)沉积Cd S制备type-II异质结TiO_2/Cd S光阳极,用光电化学沉积法在TiO_2/Cd S表面沉积催化剂(Co-Pi)得到TiO_2/Cd S/Co-Pi水氧化光阳极。通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)... 采用连续离子层吸附法(SILAR)沉积Cd S制备type-II异质结TiO_2/Cd S光阳极,用光电化学沉积法在TiO_2/Cd S表面沉积催化剂(Co-Pi)得到TiO_2/Cd S/Co-Pi水氧化光阳极。通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)仪等对样品结构及组成进行分析,证明Cd S与Co-Pi已成功负载在TiO_2表面。用已制备的光阳极在中性溶液中模拟水氧化测试,在较低外偏压(0 V(vs Ag/Ag Cl))和无电子牺牲剂的情况下,即使在可见光照射下,依然得到较高的初始光电流和稳定光电流,分别为1.3和0.5 m A?cm^(-2),表明制备的光阳极可以在可见光照下有效地驱动水氧化反应。光电化学池的工作原理为,Cd S吸收光子产生光生电子-空穴,TiO_2和Co-Pi分别传输电子和空穴,空穴进行水氧化,电子转移到阴极完成质子还原。 展开更多
关键词 光催化 水氧化 连续离子层吸附及反应 可见光 TiO_2/CdS/Co-Pi光阳极
下载PDF
在纳晶薄膜上原位生长铜锌锡硫量子点的研究
5
作者 康嘉懿 杨蒙 +1 位作者 李雨珊 张敬波 《唐山师范学院学报》 2023年第6期10-15,共6页
采用连续离子层吸附反应法在TiO_(2)纳晶薄膜上直接生长铜锌锡硫量子点,进一步组装“三明治”结构的铜锌锡硫量子点敏化太阳能电池,研究连续离子层吸附反应沉积次数对量子点沉积的影响。通过透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射... 采用连续离子层吸附反应法在TiO_(2)纳晶薄膜上直接生长铜锌锡硫量子点,进一步组装“三明治”结构的铜锌锡硫量子点敏化太阳能电池,研究连续离子层吸附反应沉积次数对量子点沉积的影响。通过透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱、电化学阻抗谱和光电流-电压曲线等测试对铜锌锡硫量子点的微观形貌、晶体结构、元素组成和光电性能进行了分析。结果表明,最佳连续离子层吸附反应法循环沉积次数为5次,在最佳条件下,所得到的铜锌锡硫量子点晶粒尺寸均匀、大小适宜,能有效减少载流子复合,有利于电荷传输,提高铜锌锡硫量子点敏化太阳能电池的光电转换效率。 展开更多
关键词 连续离子层吸附反应 铜锌锡硫量子点 量子点敏化太阳能电池 光电转换效率
下载PDF
二氧化钛纳米管的制备及其光催化性能 被引量:7
6
作者 高大伟 王春霞 +4 位作者 林洪芹 魏取福 李伟伟 陆逸群 姜宇 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期22-26,共5页
为提高TiO_2的光催化性能,通过电化学阳极氧化法在金属钛箔基体上制备了结构有序的TiO_2纳米管(TiO_2NTs),并以此为基础通过连续离子层吸附反应技术(SILAR)制备了Ag、CdS共修饰的TiO_2纳米管(AgCdS/TiO_2NTs)。采用X射线衍射仪、扫描电... 为提高TiO_2的光催化性能,通过电化学阳极氧化法在金属钛箔基体上制备了结构有序的TiO_2纳米管(TiO_2NTs),并以此为基础通过连续离子层吸附反应技术(SILAR)制备了Ag、CdS共修饰的TiO_2纳米管(AgCdS/TiO_2NTs)。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、元素分析仪和紫外可见漫反射光谱等表征手段,对Ag-CdS/TiO_2NTs形貌结构、元素组成和光吸收特性等进行了表征,并研究了Ag、CdS修饰后的TiO_2纳米管的光催化性能。结果表明:Ag和CdS纳米粒子被成功沉积在TiO_2纳米管上;与纯TiO_2纳米管的吸收光谱相比,Ag-CdS/TiO_2NTs对光的吸收范围延伸到整个可见光区域;与纯TiO_2纳米管或CdS修饰的TiO_2纳米管相比,Ag(3)-CdS/TiO_2NTs对甲基橙脱色率最高,70 min后脱色率达100%。 展开更多
关键词 二氧化钛 纳米管 连续离子层吸附反应技术法 修饰 光催化
下载PDF
CuSCN薄膜的室温液相沉积及其光学性能 被引量:3
7
作者 高相东 李效民 +2 位作者 于伟东 邱继军 甘小燕 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期535-539,共5页
采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20~25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关... 采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20~25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关键因素.结果表明,所得薄膜具有明显结晶性及沿c轴择优生长趋势,表面致密、均匀,分别由50~100nm的较大颗粒和20~30nm的小颗粒紧密堆聚而成;薄膜在400~800nm波段的透过率为50%~70%,光学禁带宽度为3.94eV.CuSCN薄膜的沉积过程受铜前驱液中S_2O_3^(2-)与Cu^(2+)的摩尔比、衬底漂洗方式和生长温度等因素影响显著,高络离子浓度、多次沉积反应后再进行衬底漂洗、以及室温生长条件有利于得到高质量的CuSCN薄膜. 展开更多
关键词 CUSCN 薄膜 连续离子层吸附与反应 silar 光学性能
下载PDF
基于氧化物异质结的量子点敏化太阳电池 被引量:1
8
作者 李毅 张嘉 +5 位作者 刘锋 魏俊峰 朱俊 唐军旺 胡林华 戴松元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2218-2221,共4页
将半导体钒酸铋(BiVO4)作为光俘获材料,采用连续离子层吸附和反应法(SILAR)将其沉积在纳米晶TiO2多孔薄膜上并用作光阳极制备液态量子点敏化太阳电池。利用紫外可见吸收光谱、XRD和TEM等表征手段深入研究BiVO4前驱体溶液的浓度、离子沉... 将半导体钒酸铋(BiVO4)作为光俘获材料,采用连续离子层吸附和反应法(SILAR)将其沉积在纳米晶TiO2多孔薄膜上并用作光阳极制备液态量子点敏化太阳电池。利用紫外可见吸收光谱、XRD和TEM等表征手段深入研究BiVO4前驱体溶液的浓度、离子沉积次数以及浸泡处理时间对BiVO4敏化的TiO2薄膜的影响及机理。结果表明:采用Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3的水溶液作为前驱体溶液时,当NH4VO3水溶液的pH=3,连续沉积20次后,电池具有最佳光伏性能:电池短路电流密度为1.78mA/cm2,光电转换效率达到0.32%。结果表明,BiVO4作为光俘获材料,在量子点敏化太阳电池中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 太阳电池 量子点 钒酸铋 连续离子层吸附和反应法
下载PDF
CuInS2量子点敏化ZnO基光阳极的制备与性能研究 被引量:1
9
作者 夏冬林 郭锦华 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2274-2281,共8页
采用两步法在导电玻璃(FTO)基板上制备纯氧化锌(ZnO)纳米棒和钇掺杂的氧化锌(ZnO∶Y)纳米棒,采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在所制备的ZnO及ZnO∶Y纳米棒上沉积CuInS2量子点制备ZnO/CuInS2和ZnO∶Y/CuInS2光阳极。利用X射线衍射仪(XRD... 采用两步法在导电玻璃(FTO)基板上制备纯氧化锌(ZnO)纳米棒和钇掺杂的氧化锌(ZnO∶Y)纳米棒,采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在所制备的ZnO及ZnO∶Y纳米棒上沉积CuInS2量子点制备ZnO/CuInS2和ZnO∶Y/CuInS2光阳极。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针能谱仪(EDS)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、电流密度-电压(J-V)曲线等技术手段对不同光阳极样品的晶相结构、微观形貌、化学组成、光吸收性能和太阳电池性能进行了表征。实验结果表明:所制备的ZnO纳米棒和ZnO∶Y纳米棒为六方纤锌矿结构。CuInS2量子点敏化的ZnO纳米棒薄膜的光学带隙从3.22 eV减小为2.98 eV。CuInS2量子点敏化ZnO∶Y太阳能电池的短路电流密度和光电转换效率比未掺杂的ZnO纳米棒组装的太阳能电池分别提高了6.5%和50.4%。 展开更多
关键词 量子点敏化太阳能电池 氧化锌光阳极 钇掺杂氧化锌纳米棒 CuInS2量子点 连续离子层吸附反应法
下载PDF
纳米硫氰酸亚铜制备与应用
10
作者 叶明富 王标 +3 位作者 孔祥荣 王成 许立信 金玲 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期229-231,234,共4页
综述了纳米硫氰酸亚铜的制备方法,包括液相沉淀法、电沉积法、连续离子层吸附与反应法、前驱体法等,及其在太阳能电池、防污涂料和电存储材料等方面的应用,并对其应用前景进行了展望。
关键词 CUSCN 液相沉淀法 电沉积法 连续离子层吸附与反应法 应用
下载PDF
CdS量子点敏化ZnO纳米棒阵列电极的制备和光电化学性能 被引量:9
11
作者 张桥保 冯增芳 +3 位作者 韩楠楠 林玲玲 周剑章 林仲华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2927-2934,共8页
采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱... 采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱研究了不同CdS循环沉积次数及不同沉积浓度对复合电极的光电性能影响.结果表明,前驱体浓度都为0.1mol·L-1且沉积15次敏化后的ZnO纳米棒阵列电极光电性能最好.与单纯的ZnO纳米棒阵列电极和单纯的CdS量子点电极相比,其光电转换效率显著提高,单色光光子-电流转换效率(IPCE)在380nm处达到76%.这是因为CdS量子点可以拓宽光的吸收到可见光区,并且在所形成的界面上光生载流子更容易分离.荧光光谱实验进一步说明了光电增强的原因是,两者间形成的界面中表面态大大减少,有利于减少光生电子和空穴的复合. 展开更多
关键词 ZNO纳米棒阵列 CDS量子点 CdS量子点/ZnO纳米棒 连续式离子层吸附与反应法 光电化学性能
下载PDF
PbO-PbI_2复合物膜转化的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜及其光电特性(英文) 被引量:4
12
作者 丁绪坤 李效民 +3 位作者 高相东 张树德 黄宇迪 李浩然 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第3期576-582,共7页
有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底... 有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底表面制备了一种典型的有机-无机卤化物钙钛矿CH3NH3Pb I3薄膜.其制备过程是:采用超声辅助的连续离子吸附与反应法在玻璃衬底表面沉积Pb O-Pb I2复合物膜,之后与CH3NH3I蒸汽在110°C环境下反应,将Pb O-Pb I2复合物膜转化成CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜.对CH3NH3Pb I3薄膜的微观结构,结晶性及其光电性能等进行了表征.结果表明,CH3NH3Pb I3薄膜呈晶态,具有典型的钙钛矿晶体结构.薄膜表面形貌均匀,晶粒尺寸超过400 nm.在可见光范围,CH3NH3Pb I3薄膜透过率低于10%,能带宽度为1.58e V.电学性能研究表明CH3NH3Pb I3薄膜表面电阻率高达1000 MΩ.高表面电阻率表明CH3NH3Pb I3薄膜具有一定的介电性能,其介电常数(εr)在100 Hz时达到155.本研究提出了一种制备高质量CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜的新方法,所得CH3NH3Pb I3薄膜可望在光、电及光电器件中得到应用. 展开更多
关键词 CH3NH3PbI3 薄膜 钙钛矿 连续离子吸附与反应法 气相过程 光电材料
下载PDF
CdS/TiO_2复合纳米管制备和光催化性能的研究
13
作者 马骏 王学敏 +1 位作者 沈逸枭 侯兴刚 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第3期49-54,共6页
采用阳极氧化法在纯钛箔上制备TiO2纳米管,再通过连续离子层沉积法在TiO2纳米管上沉积CdS粒子,沉积3层CdS后,进行退火处理,退火后再沉积3层CdS.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和拉曼光谱对纳米管的形... 采用阳极氧化法在纯钛箔上制备TiO2纳米管,再通过连续离子层沉积法在TiO2纳米管上沉积CdS粒子,沉积3层CdS后,进行退火处理,退火后再沉积3层CdS.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和拉曼光谱对纳米管的形貌、物相结构和元素价态等特性进行分析.结果表明:经阳极氧化法制备的TiO2纳米管为锐钛矿结构,随后沉积的CdS同时出现了立方相与六方相晶格结构,400℃退火可以显著增加立方相CdS的结晶程度;纳米管中CdS粒子的直径均小于5 nm,CdS粒子由一大一小2个纳米粒子组成,大粒子由退火过程形成.光催化实验表明:经过退火处理的CdS/TiO2复合纳米管的可见光光催化能力约是未退火样品的3倍,说明退火处理可以有效提高TiO2可见光光催化能力. 展开更多
关键词 CdS/TiO2复合纳米管 连续离子层沉积法 可见光光催化
下载PDF
基于复合量子点界面修饰的杂化太阳能电池研究
14
作者 周露露 汪竞阳 +1 位作者 屈少华 罗中杰 《湖北文理学院学报》 2016年第2期32-36,共5页
利用连续离子层吸附与反应法,在透明TiO_2纳米晶薄膜表面制备出CdSe/CdS复合量子点,并组装了基于复合量子点界面修饰的P3HT/CdSe/CdS/TiO_2杂化太阳能电池.通过XRD、SEM-EDX、紫外可见分光光度计、模拟太阳光光电性能测试系统和电化学... 利用连续离子层吸附与反应法,在透明TiO_2纳米晶薄膜表面制备出CdSe/CdS复合量子点,并组装了基于复合量子点界面修饰的P3HT/CdSe/CdS/TiO_2杂化太阳能电池.通过XRD、SEM-EDX、紫外可见分光光度计、模拟太阳光光电性能测试系统和电化学阻抗谱等手段对量子点敏化TiO_2薄膜的形貌结构成分及电池的光电性能进行表征分析.结果表明,CdSe/CdS复合量子点作为界面修饰材料可拓展杂化电池的吸收范围和吸收强度,增大给体/受体界面复合电阻,降低载流子复合几率,从而大幅提高光电转换效率,相比纯P3HT/TiO_2杂化电池的效率提高了6倍. 展开更多
关键词 复合量子点 连续离子层吸附与反应法 杂化太阳能电池 光电性能
下载PDF
CdS Quantum Dots-sensitized TiO_2 Nanotube Arrays for Solar Cells 被引量:1
15
作者 隋小涛 TAO Haizheng +4 位作者 LOU Xianchun WANG Xuelai FENG Jiamin ZENG Tao 赵修建 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2013年第1期17-21,共5页
CdS quantum dots(QDs) sensitized TiO2 nanotube arrays photoelectrodes were investigated for their photovoltaic performance of quantum dots-sensitized solar cells. The highly ordered TiO2 nanotube arrays(TNAs) were... CdS quantum dots(QDs) sensitized TiO2 nanotube arrays photoelectrodes were investigated for their photovoltaic performance of quantum dots-sensitized solar cells. The highly ordered TiO2 nanotube arrays(TNAs) were synthesized on Ti foils by anodic oxidation method. Then CdS quantum dots were deposited onto the TiO2 nanotube arrays by successive ionic layer absorption and reaction(SILAR) method to serve as the sensitizers. Cd(NO3)2 and Na2S were used as the precursor materials of Cd+ and S2- ions, respectively. It is found that the CdS QDs sensitizer may significantly increase the light response of TiO2 nanotube arrays. With increasing CdS QDs deposition cycles, the visible light response increases. Maximum photocurrent was obtained for the QDs that have an absorption peak at about 500 nm. Under AM 1.5 G illuminations(100 mW cm^-2), a 4.85 mA/cm^2 short circuit current density was achieved, and the maximium energy conversion efficiency of the asprepared CdS QDs-sensitized TNAs solar cells was obtained as high as 0.81% at five SILAR cycles. 展开更多
关键词 quantum dots sensitized solar cell successive ionic layer adsorption and reaction TiO2 vnanotube arrays
下载PDF
4.81%光电转换效率的全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池(英文) 被引量:2
16
作者 陈军军 史成武 +3 位作者 张正国 肖冠南 邵章朋 李楠楠 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第10期2029-2034,共6页
利用TiO_2纳米棒阵列和在旋涂辅助连续离子层吸附反应过程中使用乙二硫醇的策略,成功地在TiO_2纳米棒阵列上获得了致密PbS量子点薄膜,组装了新颖结构的全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池。研究了TiO_2纳米棒阵列长度... 利用TiO_2纳米棒阵列和在旋涂辅助连续离子层吸附反应过程中使用乙二硫醇的策略,成功地在TiO_2纳米棒阵列上获得了致密PbS量子点薄膜,组装了新颖结构的全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池。研究了TiO_2纳米棒阵列长度对全固态致密PbS量子点薄膜敏化太阳电池光伏性能的影响,发现TiO_2纳米棒阵列长度为290、540和1040 nm时,相应太阳电池的光电转换效率分别是2.02%、4.81%和1.95%。对于组装全固态量子点敏化太阳电池,综合考虑空穴传输长度和量子点担载量的平衡是获得较高光电转换效率的关键所在。 展开更多
关键词 致密PbS量子点薄膜 TiO2纳米棒阵列 乙二硫醇 连续离子层吸附反应 全固态量子点敏化太阳电池
下载PDF
ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列的制备及性能
17
作者 傅艳珏 王春瑞 《东华大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2017年第2期286-292,共7页
采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS_2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明... 采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS_2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明,CdS鞘和MoS_2鞘依次均匀地包覆在垂直生长的ZnO纳米棒上,且结合过程中未明显影响内芯ZnO的棒状结构.在异质结结构中,ZnO/CdS界面、CdS/MoS_2界面接触良好且晶格失配率低.此外,一维ZnO纳米棒阵列的存在也抑制了MoS_2在c轴方向上的堆积,使包覆在纳米棒上的MoS_2以少层的形式存在.原位电输运特性表明,与ZnO纳米棒和ZnO/CdS异质结纳米棒相比,ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒则呈现出了更优的电学特性. 展开更多
关键词 连续离子层吸附法 少层二硫化钼 ZnO/CdS/MoS2异质结 原位电性能
下载PDF
CuS对电极的制备及性能研究
18
作者 王欣羽 张蔚 +4 位作者 赵志博 袁学强 张思群 孙洪全 郑威 《哈尔滨商业大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第3期301-306,共6页
采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在FTO基底玻璃上制备了CuS对电极,并应用于量子点敏化太阳能电池(QDSC)中.探究了不同沉积层数(2、4、6、8、10、12、14)对CuS对电极性能的影响.对制备的对电极进行XRD,SEM,EDS,电化学阻抗谱(EIS)和光电... 采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在FTO基底玻璃上制备了CuS对电极,并应用于量子点敏化太阳能电池(QDSC)中.探究了不同沉积层数(2、4、6、8、10、12、14)对CuS对电极性能的影响.对制备的对电极进行XRD,SEM,EDS,电化学阻抗谱(EIS)和光电流密度-光电压(J-V)曲线测试分析.结果表明,相比于水热法制备的CuS对电极,SILAR法沉积10层的CuS对电极的电化学性能更优异,其组成的电池的光电转换效率为0. 81%,界面传荷电阻Rct为38. 81Ω. 展开更多
关键词 CuS对电极 量子点敏化太阳能电池 连续离子层吸附反应法 水热法 光电转换效率 界面传荷电阻
下载PDF
不同[Cu]/[In]比例的CuInS2薄膜的特性
19
作者 Mutlu Kundakcl 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第5期582-586,622,共6页
采用连续离了层吸附与反应方法存玻璃基板上按照不同[Cu]/[In]的比例制备了CuInS2薄膜,并在400℃退火30min.对薄膜的晶体结构和晶粒尺寸用X射线衍射方法进行厂表征,原予力显微镜测定薄膜的表面形貌.研究不同的[Cu]/[In]比例对薄... 采用连续离了层吸附与反应方法存玻璃基板上按照不同[Cu]/[In]的比例制备了CuInS2薄膜,并在400℃退火30min.对薄膜的晶体结构和晶粒尺寸用X射线衍射方法进行厂表征,原予力显微镜测定薄膜的表面形貌.研究不同的[Cu]/[In]比例对薄膜光学和电学性能的影响.采用直流两探针法在300~470℃测定CuInS2薄膜的电阻率,随着[Cl]/[In]比例的增加,电阻率值越来越低,溶液中[Cu]/[In]的比例明显影响CulnS2薄膜的结构、电学和光学特性. 展开更多
关键词 薄膜 连续离子层吸附与反应方法 黄铜矿类化合物
下载PDF
CdS量子点敏化的ZnO纳米片-纳米棒制备及其应用研究
20
作者 李伟利 岳世伟 +3 位作者 姚璐 耿洪超 张志玮 盛鹏涛 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期783-788,共6页
本文采用三电极体系,利用电化学沉积技术,以导电玻璃(ITO)为基底制备多孔ZnO纳米片。然后以ZnO纳米片作为"种子层",选取0.005mol/L六次甲基四胺和Zn(NO_3)_6混合液为前驱液,采用低温水热法二次生长ZnO纳米棒阵列,两步法制备... 本文采用三电极体系,利用电化学沉积技术,以导电玻璃(ITO)为基底制备多孔ZnO纳米片。然后以ZnO纳米片作为"种子层",选取0.005mol/L六次甲基四胺和Zn(NO_3)_6混合液为前驱液,采用低温水热法二次生长ZnO纳米棒阵列,两步法制备得到具有大比表面积的ZnO纳米片-纳米棒复合结构。在室温条件下,通过连续离子层吸附与反应法(SILAR)制备CdS量子点,得到CdS/ZnO纳米片-纳米棒复合电极,此电极具有较高电致发光强度。利用多巴胺(DA)对所制备电极电致发光具有猝灭作用,可用于DA的检测。研究表明此电极对DA检测具有高的灵敏度,DA检测的线性范围为0.01~50μmol/L,检测限为0.01μmol/L,具有一定的实际应用价值。 展开更多
关键词 ZnO纳米片-纳米棒 连续离子层吸附与反应法 电致发光 多巴胺
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部