期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性
1
作者
阳治雄
曾荣周
+2 位作者
吴振珲
廖淋圆
李中启
《半导体技术》
北大核心
2023年第12期1071-1076,共6页
Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K...
Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K上升到400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度均低于Si SJ-LDMOSFET,表现出良好的抑制自热效应的能力;Si/SiC SJ-LDMOSFET的击穿电压基本保持不变,且饱和电流退化率较低。发生短路时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度上升率要明显小于Si SJ-LDMOSFET。在环境温度为300 K和400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路维持时间相对于Si SJ-LDMOSFET分别增加了230%和266.7%。研究结果显示Si/SiC SJ-LDMOSFET在高温下具有更好的温度稳定性和抗短路能力,适用于高温、高压和高短路可靠性要求的环境中。
展开更多
关键词
超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(
sj-ldmosfet
)
Si/SiC异质结
击穿
短路
温度稳定性
下载PDF
职称材料
具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件
2
作者
李春来
段宝兴
+2 位作者
马剑冲
袁嵩
杨银堂
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第16期377-383,共7页
为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET),在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMO...
为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET),在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS).这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题,使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿,而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用,提高N型缓冲层浓度,从而降低了器件的比导通电阻.利用三维仿真软件ISE分析表明,在漂移区长度均为10μm的情况下,P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右,较文献提出的N型缓冲层SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.
展开更多
关键词
横向双扩散金属氧化物半导体器件
超级结
比导通电阻
P型覆盖层
下载PDF
职称材料
题名
Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性
1
作者
阳治雄
曾荣周
吴振珲
廖淋圆
李中启
机构
湖南工业大学轨道交通学院
出处
《半导体技术》
北大核心
2023年第12期1071-1076,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3403200)
湖南省自然科学基金资助项目(2022JJ30226)。
文摘
Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K上升到400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度均低于Si SJ-LDMOSFET,表现出良好的抑制自热效应的能力;Si/SiC SJ-LDMOSFET的击穿电压基本保持不变,且饱和电流退化率较低。发生短路时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度上升率要明显小于Si SJ-LDMOSFET。在环境温度为300 K和400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路维持时间相对于Si SJ-LDMOSFET分别增加了230%和266.7%。研究结果显示Si/SiC SJ-LDMOSFET在高温下具有更好的温度稳定性和抗短路能力,适用于高温、高压和高短路可靠性要求的环境中。
关键词
超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(
sj-ldmosfet
)
Si/SiC异质结
击穿
短路
温度稳定性
Keywords
super
junction
lateral
double-diffused
metal
oxide
semiconductor
field
effect
transistor
(
sj-ldmosfet
)
Si/SiC hetero
junction
breakdown
short-circuit
temperature stability EEACC.2560P
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件
2
作者
李春来
段宝兴
马剑冲
袁嵩
杨银堂
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第16期377-383,共7页
基金
陕西省科技统筹创新工程计划(批准号:DF0105142502)
国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900,2015CB351906)
国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006,61334002)资助的课题~~
文摘
为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET),在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS).这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题,使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿,而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用,提高N型缓冲层浓度,从而降低了器件的比导通电阻.利用三维仿真软件ISE分析表明,在漂移区长度均为10μm的情况下,P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右,较文献提出的N型缓冲层SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.
关键词
横向双扩散金属氧化物半导体器件
超级结
比导通电阻
P型覆盖层
Keywords
lateral
double-diffused
metal
-
oxide
-
semiconductor
field
-
effect
transistor
,
super
junction
,specific on resistance, P covered layer
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性
阳治雄
曾荣周
吴振珲
廖淋圆
李中启
《半导体技术》
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件
李春来
段宝兴
马剑冲
袁嵩
杨银堂
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部